公开(公告)号：TW201526247A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW104108311

申请日：2010-03-05

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  廣橋拓也 ,  HIROHASHI, TAKUYA ,  岸田英幸 ,  KISHIDA, HIDEYUKI

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明的目的之一在於提供一種具有穩定電特性的薄膜電晶體的高可靠性的半導體裝置。在包括作為半導體層採用氧化物半導體層的反堆疊型薄膜電晶體的半導體裝置中，在氧化物半導體層之上具有緩衝層。緩衝層接觸於半導體層的通道形成區與源極電極層及汲極電極層。緩衝層在其膜中具有電阻分佈。在緩衝層中，設置在半導體層的通道形成區上的區域的導電率低於半導體層的通道形成區的導電率，並且與源極電極層及汲極電極層接觸的區域的導電率高於半導體層的通道形成區的導電率。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一在于提供一种具有稳定电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体设备。在包括作为半导体层采用氧化物半导体层的反堆栈型薄膜晶体管的半导体设备中，在氧化物半导体层之上具有缓冲层。缓冲层接触于半导体层的信道形成区与源极电极层及汲极电极层。缓冲层在其膜中具有电阻分布。在缓冲层中，设置在半导体层的信道形成区上的区域的导电率低于半导体层的信道形成区的导电率，并且与源极电极层及汲极电极层接触的区域的导电率高于半导体层的信道形成区的导电率。

公开(公告)号：TWI487104B

公开(公告)日：2015-06-01

申请号：TW098137143

申请日：2009-11-02

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201521121A

公开(公告)日：2015-06-01

申请号：TW104103729

申请日：2009-12-17

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN

IPC: H01L21/336 ,  G09G3/20

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 一種半導體裝置，包括具有氧化物半導體層和優良的電特性的薄膜電晶體。此外，提供用於製造半導體裝置的方法，其中在一個基底上形成多種類型的不同結構的薄膜電晶體以形成多種類型的電路，而且其中沒有顯著增加步驟數量。在絕緣表面上形成金屬薄膜之後，在金屬薄膜上形成氧化物半導體層。然後，執行諸如熱處理之類的氧化處理以部分或全部地氧化金屬薄膜。此外，在諸如邏輯電路之類強調操作速度的電路與矩陣電路之間，薄膜電晶體的結構不同。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，包括具有氧化物半导体层和优良的电特性的薄膜晶体管。此外，提供用于制造半导体设备的方法，其中在一个基底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显着增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，运行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化金属薄膜。此外，在诸如逻辑电路之类强调操作速度的电路与矩阵电路之间，薄膜晶体管的结构不同。

公开(公告)号：TW201515232A

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：TW103139363

申请日：2010-09-15

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  渡邊了介 ,  WATANABE, RYOSUKE ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  宮永昭治 ,  MIYANAGA, AKIHARU ,  廣橋拓也 ,  HIROHASHI, TAKUYA ,  岸田英幸 ,  KISHIDA, HIDEYUKI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/2636 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 一個靶為提供具良好電氣特性之高度可靠半導體裝置，及包括該半導體裝置做為開關元件之顯示裝置。在包括氧化半導體層之電晶體中，設於該氧化半導體層至少一表面側之針狀結晶組係以垂直於該表面之c軸方向生長，並包括平行於該表面之a-b平面，且除了該針狀結晶組以外之部分為非結晶區或非結晶及微晶混合區。因此，可形成具良好電氣特性之高度可靠半導體裝置。

Abstract in simplified Chinese: 一个靶为提供具良好电气特性之高度可靠半导体设备，及包括该半导体设备做为开关组件之显示设备。在包括氧化半导体层之晶体管中，设于该氧化半导体层至少一表面侧之针状结晶组系以垂直于该表面之c轴方向生长，并包括平行于该表面之a-b平面，且除了该针状结晶组以外之部分为非结晶区或非结晶及微晶混合区。因此，可形成具良好电气特性之高度可靠半导体设备。

公开(公告)号：TWI481010B

公开(公告)日：2015-04-11

申请号：TW099122831

申请日：2010-07-12

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  桑原秀明 ,  KUWABARA, HIDEAKI ,  高橋辰也 ,  TAKAHASHI, TATSUYA

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78645

公开(公告)号：TW201511178A

公开(公告)日：2015-03-16

申请号：TW103141380

申请日：2010-09-13

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  渡邊了介 ,  WATANABE, RYOSUKE ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  宮永昭治 ,  MIYANAGA, AKIHARU ,  廣橋拓也 ,  HIROHASHI, TAKUYA ,  岸田英幸 ,  KISHIDA, HIDEYUKI

IPC: H01L21/77 ,  H01L29/04 ,  H01L21/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一種電晶體，具有有利的電氣特性和高可靠性，及包括該電晶體之顯示裝置。該電晶體為底閘電晶體使用用於通道區之氧化物半導體而予形成。歷經經由熱處理之脫水或脫氫的氧化物半導體層被用做活動層。該活動層包括微晶化表面部分之第一區及其餘部分之第二區。經由使用具有該等結構之該氧化物半導體層，改變為n型，歸因於濕氣進入該表面部分，或氧從該表面部分排除，並可抑制寄生通道之產生。此外，並可減少該氧化物半導體層與源極及汲極電極之間的接觸電阻。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种晶体管，具有有利的电气特性和高可靠性，及包括该晶体管之显示设备。该晶体管为底闸晶体管使用用于信道区之氧化物半导体而予形成。历经经由热处理之脱水或脱氢的氧化物半导体层被用做活动层。该活动层包括微晶化表面部分之第一区及其余部分之第二区。经由使用具有该等结构之该氧化物半导体层，改变为n型，归因于湿气进入该表面部分，或氧从该表面部分排除，并可抑制寄生信道之产生。此外，并可减少该氧化物半导体层与源极及汲极电极之间的接触电阻。

公开(公告)号：TWI476916B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：TW099106444

申请日：2010-03-05

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  廣橋拓也 ,  HIROHASHI, TAKUYA ,  岸田英幸 ,  KISHIDA, HIDEYUKI

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201508842A

公开(公告)日：2015-03-01

申请号：TW103140251

申请日：2010-07-01

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  G09F9/33

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明的課題在於提供一種使用具有穩定的電特性的電晶體來進行穩定的工作的顯示裝置。當應用以氧化物半導體層為通道形成區的電晶體來製造顯示裝置時，至少在應用於驅動電路的電晶體上進一步配置閘極電極。當製造以氧化物半導體層為通道形成區的電晶體時，對氧化物半導體層進行用來實現脫水化或脫氫化的加熱處理，以減少存在於以上下接觸的方式設置的閘極絕緣層及保護絕緣層與氧化物半導體層的介面的水分等雜質。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题在于提供一种使用具有稳定的电特性的晶体管来进行稳定的工作的显示设备。当应用以氧化物半导体层为信道形成区的晶体管来制造显示设备时，至少在应用于驱动电路的晶体管上进一步配置闸极电极。当制造以氧化物半导体层为信道形成区的晶体管时，对氧化物半导体层进行用来实现脱水化或脱氢化的加热处理，以减少存在于以上下接触的方式设置的闸极绝缘层及保护绝缘层与氧化物半导体层的界面的水分等杂质。

公开(公告)号：TWI433371B

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：TW095138234

申请日：2006-10-17

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 川上貴洋 ,  KAWAKAMI, TAKAHIRO ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  池田壽雄 ,  IKEDA, HISAO ,  青山智哉 ,  AOYAMA, TOMOYA

IPC: H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5092 ,  H01L2251/308

公开(公告)号：TWI422066B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：TW102122361

申请日：2004-09-24

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 池田壽雄 ,  IKEDA, HISAO ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L51/5088 ,  H01L51/5048