公开(公告)号：TWI680513B

公开(公告)日：2019-12-21

申请号：TW107116161

申请日：2010-06-29

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  大原宏樹 ,  OHARA, HIROKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

公开(公告)号：TWI636506B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：TW104130286

申请日：2010-06-30

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  大原宏樹 ,  OHARA, HIROKI

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

公开(公告)号：TWI629549B

公开(公告)日：2018-07-11

申请号：TW105109001

申请日：2010-09-01

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

公开(公告)号：TWI626693B

公开(公告)日：2018-06-11

申请号：TW104112387

申请日：2009-12-16

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

公开(公告)号：TWI623979B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：TW105130462

申请日：2010-11-30

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  大原宏樹 ,  OHARA, HIROKI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

公开(公告)号：TWI623106B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：TW104124537

申请日：2009-10-16

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 伊藤俊一 ,  ITO, SHUNICHI ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  G09F9/30

公开(公告)号：TWI623046B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：TW106104917

申请日：2010-06-28

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  大原宏樹 ,  OHARA, HIROKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324

公开(公告)号：TW201810672A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106115852

申请日：2010-09-28

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  平石鈴之介 ,  HIRAISHI, SUZUNOSUKE ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/45

Abstract: 目的係為了在包括氧化物半導體層的薄膜電晶體中，降低該氧化物半導體層與電連接到該氧化物半導體層的源極和汲極電極層之間的接觸電阻。該源極和汲極電極層具有兩或多層的堆疊結構。在層的此堆疊中，與該氧化物半導體層接觸之層為薄的銦層或薄的銦合金層。需注意的是，該氧化物半導體層含有銦。該源極和汲極電極層中之第二層或第二和隨後的層的任一個係使用選自Al(鋁)、Cr(鉻)、Cu(銅)、Ta(鉭)、Ti(鈦)、Mo(鉬)、及W(鎢)的元素，含有這些元素的任一個作為成分之合金，或含有這些元素組合的任一個之合金等所形成。

Abstract in simplified Chinese: 目的系为了在包括氧化物半导体层的薄膜晶体管中，降低该氧化物半导体层与电连接到该氧化物半导体层的源极和汲极电极层之间的接触电阻。该源极和汲极电极层具有两或多层的堆栈结构。在层的此堆栈中，与该氧化物半导体层接触之层为薄的铟层或薄的铟合金层。需注意的是，该氧化物半导体层含有铟。该源极和汲极电极层中之第二层或第二和随后的层的任一个系使用选自Al(铝)、Cr(铬)、Cu(铜)、Ta(钽)、Ti(钛)、Mo(钼)、及W(钨)的元素，含有这些元素的任一个作为成分之合金，或含有这些元素组合的任一个之合金等所形成。

公开(公告)号：TW201810439A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW105137665

申请日：2010-06-29

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  大原宏樹 ,  OHARA, HIROKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明的目的之一是提供一種包括具有穩定的電特性的薄膜電晶體的高可靠性的半導體裝置。另外，本發明的目的之一是以低成本且以高良率提供一種高可靠性的半導體裝置。一種半導體裝置的製造方法，該半導體裝置包括作為包括通道形成區的半導體層、源極區及汲極區使用氧化物半導體層的薄膜電晶體，其中提高氧化物半導體層的純度並進行減少作為雜質的水分等的加熱處理(用於脫水化或脫氫化的加熱處理)。並且，在氧氛圍下對受到加熱處理的氧化物半導體層進行緩冷。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一是提供一种包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体设备。另外，本发明的目的之一是以低成本且以高良率提供一种高可靠性的半导体设备。一种半导体设备的制造方法，该半导体设备包括作为包括信道形成区的半导体层、源极区及汲极区使用氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中提高氧化物半导体层的纯度并进行减少作为杂质的水分等的加热处理(用于脱水化或脱氢化的加热处理)。并且，在氧氛围下对受到加热处理的氧化物半导体层进行缓冷。

公开(公告)号：TWI609495B

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：TW099100804

申请日：2010-01-13

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  島津貴志 ,  SHIMAZU, TAKASHI ,  大原宏樹 ,  OHARA, HIROKI ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/78696 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H04M1/0266