公开(公告)号：TWI250133B

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：TW092102004

申请日：2003-01-29

申请人： 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

发明人： 柴野由紀夫 SHIBANO, YUKIO ,  三原田悟 ,  上田修平 UEDA, SHUHEI ,  渡部厚 WATABE, ATSUSHI ,  田正樹

IPC分类号： C03B ,  C07F ,  G02F ,  B24B ,  C03C

CPC分类号： G03F1/60 ,  B24B7/00 ,  B24C1/00 ,  C03C19/00 ,  G02F2001/133302 ,  Y10T428/315

摘要： 本發明係擬提供一種平坦度/對角長(度)為6.0×10-6以下，對角長為500mn以上的大型基板。
以使用本發明之大型基板於曝光，就可增進曝光精度，尤其可增進疊合精度及解像度，因而，可實施高精緻的大型面板之曝光。又由本發明之加工方法而能以穩定地獲得高平坦度的大型光罩用基板。由於可增進面板曝光時之 CD精度(尺寸精度)而可實施細微圖型的曝光，也關係到可增進面板之良率。再者，以應用本發明之加工方法時，亦可創造任意形狀的表面形狀。

简体摘要： 本发明系拟提供一种平坦度/对角长(度)为6.0×10-6以下，对角长为500mn以上的大型基板。 以使用本发明之大型基板于曝光，就可增进曝光精度，尤其可增进叠合精度及解像度，因而，可实施高精致的大型皮肤之曝光。又由本发明之加工方法而能以稳定地获得高平坦度的大型光罩用基板。由于可增进皮肤曝光时之 CD精度(尺寸精度)而可实施细微图型的曝光，也关系到可增进皮肤之良率。再者，以应用本发明之加工方法时，亦可创造任意形状的表面形状。

公开(公告)号：TWI244430B

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：TW093114284

申请日：2004-05-20

申请人： 新力股份有限公司 SONY CORPORATION

发明人： 戶倉邦彥 TOKURA, KUNIHIKO ,  瓜生勝 URYU, MASARU

IPC分类号： B29C

CPC分类号： G03F7/24 ,  B29C33/56 ,  G03F1/60

摘要： 本發明係為了製作成在具有3維形狀的模具整體、或其中一部份能轉印無光罩的接合線之簡單的圖案，因此使用在汎用的聚酯膜片上塗佈感光性材料來作成光罩(2)，圖案形成後，製作成用真空成型等來成型成與模具(1)相同的形狀並與塗佈了光阻劑的模具(1’)密接、曝光、顯影。

简体摘要： 本发明系为了制作成在具有3维形状的模具整体、或其中一部份能转印无光罩的接合线之简单的图案，因此使用在泛用的聚酯膜片上涂布感光性材料来作成光罩(2)，图案形成后，制作成用真空成型等来成型成与模具(1)相同的形状并与涂布了光阻剂的模具(1’)密接、曝光、显影。

公开(公告)号：TWI240956B

公开(公告)日：2005-10-01

申请号：TW093114803

申请日：2004-05-25

申请人： 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： 伊藤正光 ITOH, MASAMITSU

IPC分类号： H01L

CPC分类号： G03F1/60 ,  G03F1/84

摘要： 本發明係製造具有所希望之平坦度之曝光光罩基板。
本發明之曝光光罩基板製造方法係包含測定形成遮光膜前之基板之平坦度之第1測定工序(S101)；由此測定結果，預測將基板夾緊於曝光裝置時之基板之平坦度之第1預測工序(S103)；由此預測結果，選擇具有特定平坦度之基板之選擇工序(S104)；係對此選擇工序所選擇之基板之預測工序，預測在基板形成遮光膜後之基板之所希望之平坦度之第2預測工序(S105)；在選擇工序所選擇之基板形成遮光膜之成膜工序(S106)；測定在此成膜工序形成遮光膜之基板之平坦度之第2測定工序(S107)；及比較此測定結果與第2預測工序之結果，判定形成遮光膜後之基板可否獲得前述所希望之平坦度之判定工序(S109)。

简体摘要： 本发明系制造具有所希望之平坦度之曝光光罩基板。 本发明之曝光光罩基板制造方法系包含测定形成遮光膜前之基板之平坦度之第1测定工序(S101)；由此测定结果，预测将基板夹紧于曝光设备时之基板之平坦度之第1预测工序(S103)；由此预测结果，选择具有特定平坦度之基板之选择工序(S104)；系对此选择工序所选择之基板之预测工序，预测在基板形成遮光膜后之基板之所希望之平坦度之第2预测工序(S105)；在选择工序所选择之基板形成遮光膜之成膜工序(S106)；测定在此成膜工序形成遮光膜之基板之平坦度之第2测定工序(S107)；及比较此测定结果与第2预测工序之结果，判定形成遮光膜后之基板可否获得前述所希望之平坦度之判定工序(S109)。

公开(公告)号：TWI233002B

公开(公告)日：2005-05-21

申请号：TW092135184

申请日：2003-12-12

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 資三德 TZU, SAN DE ,  嚴濤南 ANTHONY YEN ,  張仲興 CHANG, CHUNG HSING ,  謝禎皓 HSIEH, CHEN HAO

IPC分类号： G03F ,  H01L

CPC分类号： G03F1/62 ,  G03F1/48 ,  G03F1/54 ,  G03F1/60

摘要： 一種具有保護薄膜之光罩製作方法，包括以下步驟。首先，提供一基底，該基底具有一透光層，在該透光層上具有一遮光層，在該遮光層上更具有一光阻層。接著，在該光阻層及遮光層中形成一曝露該透光層之凹槽。然後，移除該光阻層。再者，污染該曝露之透光層而在凹槽下方之該透光層中形成一不透光區。最後，移除該遮光層。

简体摘要： 一种具有保护薄膜之光罩制作方法，包括以下步骤。首先，提供一基底，该基底具有一透光层，在该透光层上具有一遮光层，在该遮光层上更具有一光阻层。接着，在该光阻层及遮光层中形成一曝露该透光层之凹槽。然后，移除该光阻层。再者，污染该曝露之透光层而在凹槽下方之该透光层中形成一不透光区。最后，移除该遮光层。

公开(公告)号：TW200506508A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：TW093107380

申请日：2004-03-19

申请人： HOYA股份有限公司 HOYA CORPORATION

发明人： 赤川裕之 AKAGAWA, HIROYUKI

IPC分类号： G03F ,  H01L

CPC分类号： G03F1/60

摘要： 一種標線(reticle)用基板，其係使用於裝設於步進機上使用之標線之形成、且具有互相對向之主表面、側面，及設置在該主表面及側面之間的倒角面之標線用基板，其特徵為：在前述之基板主表面中，從主表面及倒角面之境界內側3毫米之領域以外之平坦度測定領域中之平坦度係為0.5微米以下，並且主表面及倒角面之境界中自基準面之最大高度做成－1微米以上0微米以下。

简体摘要： 一种标线(reticle)用基板，其系使用于装设于步进机上使用之标线之形成、且具有互相对向之主表面、侧面，及设置在该主表面及侧面之间的倒角面之标线用基板，其特征为：在前述之基板主表面中，从主表面及倒角面之境界内侧3毫米之领域以外之平坦度测定领域中之平坦度系为0.5微米以下，并且主表面及倒角面之境界中自基准面之最大高度做成－1微米以上0微米以下。

公开(公告)号：TW554260B

公开(公告)日：2003-09-21

申请号：TW090124463

申请日：2001-10-02

申请人： 康寧公司

发明人： 約翰湯瑪士布朗 ,  史提分查里卡里 ,  里薩安莫 ,  羅伯史提分派立克 ,  蘇參李史奇費貝

IPC分类号： G03F

CPC分类号： G03F7/70216 ,  C03B19/1407 ,  C03B19/1415 ,  C03B19/1423 ,  C03B19/1453 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/20 ,  C03B2201/21 ,  C03B2207/30 ,  C03B2207/32 ,  C03B2207/36 ,  C03B2207/38 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0085 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/20 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/30 ,  C03C2201/32 ,  C03C2203/54 ,  G03F1/60 ,  G03F7/70958

摘要： 本發明揭示出高純度乾燥直接沉積玻璃化之矽氧氟化物玻璃適合使用作為低於190nmVUV波長區域之光石版印刷應用。本發明直接沉積玻璃化之矽氧氟化物玻璃在157 nm波長下為透射性，使該玻璃特別地適合使用作為157nm波長區域之光學遮罩基質。本發明光學遮罩基質為乾燥直接沉積玻璃化矽氧氟化物玻璃，其在真空紫外線(VUV)波長區域呈現出非常高之透射度同時保持非常高純度熔融矽石良好的熱學以及物理特性。除了含有氟以及具有少量或並不包含OH含量，本發明適合使用作為157nm光學遮罩之直接沉積玻璃化之矽氧氟化物玻璃，該玻璃主要特徵包含小於1x1017分子/cm3分子氫以及低氯含量。

简体摘要： 本发明揭示出高纯度干燥直接沉积玻璃化之硅氧氟化物玻璃适合使用作为低于190nmVUV波长区域之光石版印刷应用。本发明直接沉积玻璃化之硅氧氟化物玻璃在157 nm波长下为透射性，使该玻璃特别地适合使用作为157nm波长区域之光学遮罩基质。本发明光学遮罩基质为干燥直接沉积玻璃化硅氧氟化物玻璃，其在真空紫外线(VUV)波长区域呈现出非常高之透射度同时保持非常高纯度熔融硅石良好的热学以及物理特性。除了含有氟以及具有少量或并不包含OH含量，本发明适合使用作为157nm光学遮罩之直接沉积玻璃化之硅氧氟化物玻璃，该玻璃主要特征包含小于1x1017分子/cm3分子氢以及低氯含量。

公开(公告)号：TW538305B

公开(公告)日：2003-06-21

申请号：TW088102804

申请日：1999-02-25

申请人： 卡爾蔡司公司

发明人： 克里斯丁葳格納 ,  舒斯特卡爾漢斯

IPC分类号： G03F

CPC分类号： G03F1/62 ,  G03F1/60 ,  G03F1/64 ,  G03F7/70566 ,  G03F7/70875 ,  G03F7/7095

摘要： 本發明係有關一種設有一照明系統(2)與一載體材料(10)為氟化鎂之遮蔽罩(1)的微石版印刷曝光設備，該照明系統(2)提供徑向偏振之光(20，PL，PR)，氟化鎂之晶體主軸幾乎在遮蔽罩(1)光軸(A)的方向上。並設一適當冷卻裝置(5，13，14，50，51，52)。

简体摘要： 本发明系有关一种设有一照明系统(2)与一载体材料(10)为氟化镁之屏蔽罩(1)的微石版印刷曝光设备，该照明系统(2)提供径向偏振之光(20，PL，PR)，氟化镁之晶体主轴几乎在屏蔽罩(1)光轴(A)的方向上。并设一适当冷却设备(5，13，14，50，51，52)。

公开(公告)号：TWI610126B

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW102139423

申请日：2013-10-30

申请人： HOYA股份有限公司 ,  HOYA CORPORATION

发明人： 小湊淳志 ,  KOMINATO, ATSUSHI ,  宍戶博明 ,  SHISHIDO, HIROAKI ,  野澤順 ,  NOZAWA, OSAMU

IPC分类号： G03F1/68

CPC分类号： G03F1/50 ,  C03C17/225 ,  C03C17/3435 ,  C03C2217/281 ,  C03C2218/33 ,  C23C14/0641 ,  G03F1/60

公开(公告)号：TWI609234B

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：TW103101662

申请日：2014-01-16

申请人： HOYA股份有限公司 ,  HOYA CORPORATION

发明人： 山田剛之 ,  YAMADA, TAKEYUKI ,  西村貴仁 ,  NISHIMURA, TAKAHITO

IPC分类号： G03F1/70

CPC分类号： G03F1/60 ,  B24B37/04 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/14 ,  G03F1/32 ,  G03F1/50 ,  G03F1/80

公开(公告)号：TW201732416A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW106117095

申请日：2014-06-19

申请人： HOYA股份有限公司 ,  HOYA CORPORATION

发明人： 田邊勝 ,  TANABE, MASARU

IPC分类号： G03F1/60 ,  C03C17/09 ,  C03C19/00

CPC分类号： G03F1/60 ,  C03C15/02 ,  C03C17/22 ,  G03F1/50 ,  G03F7/20 ,  H01L21/0274

摘要： 提供一種抑制遮罩基底用基板之製造產率的低落，且具有極高實質效果之主表面平坦度的遮罩基底用基板、遮罩基底以及轉印用遮罩。又，提拱一種該等之製造方法。 設定藉由僅以半徑相關之係數的次方數為2次以下的項來構成，且半徑相關之係數的次方數會以包含有1個以上的2次項之查涅克多項式所定義的光學上有實質效果的平坦基準面之假定基準面，而區別其基準面與遮罩基底用基板之實測形狀差距的最大值與最小值之差的資料(PV值)為1/8曝光波長λ以下的遮罩基底用基板。

简体摘要： 提供一种抑制遮罩基底用基板之制造产率的低落，且具有极高实质效果之主表面平坦度的遮罩基底用基板、遮罩基底以及转印用遮罩。又，提拱一种该等之制造方法。 设置借由仅以半径相关之系数的次方数为2次以下的项来构成，且半径相关之系数的次方数会以包含有1个以上的2次项之查涅克多项式所定义的光学上有实质效果的平坦基准面之假定基准面，而区别其基准面与遮罩基底用基板之实测形状差距的最大值与最小值之差的数据(PV值)为1/8曝光波长λ以下的遮罩基底用基板。