公开(公告)号：TW201824227A

公开(公告)日：2018-07-01

申请号：TW105138110

申请日：2016-11-21

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI

IPC: G09G3/20

Abstract: 本發明提供一種新穎的顯示裝置及電子裝置。顯示裝置包括信號生成電路、第一閘極驅動器、第二閘極驅動器以及具有像素的顯示面板。像素包括液晶元件、發光元件、控制液晶元件的顯示的第一像素電路以及控制發光元件的顯示的第二像素電路。第一閘極驅動器具有對第一像素電路輸出第一掃描信號的功能。第二閘極驅動器具有對第二像素電路輸出第二掃描信號的功能。信號生成電路具有對第二閘極驅動器輸出如下信號的功能，該信號是停止對任意行的第二像素電路進行控制的第二掃描信號的輸出的信號。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种新颖的显示设备及电子设备。显示设备包括信号生成电路、第一闸极驱动器、第二闸极驱动器以及具有像素的显示皮肤。像素包括液芯片件、发光组件、控制液芯片件的显示的第一像素电路以及控制发光组件的显示的第二像素电路。第一闸极驱动器具有对第一像素电路输出第一扫描信号的功能。第二闸极驱动器具有对第二像素电路输出第二扫描信号的功能。信号生成电路具有对第二闸极驱动器输出如下信号的功能，该信号是停止对任意行的第二像素电路进行控制的第二扫描信号的输出的信号。

公开(公告)号：TW201737544A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：TW106121118

申请日：2013-06-26

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 高橋実 ,  TAKAHASHI, MINORU ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  廣木正明 ,  HIROKI, MASAAKI ,  高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI ,  桃純平 ,  MOMO, JUNPEI

IPC: H01M10/052 ,  H01M10/44

CPC classification number: H01M10/6571 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/443 ,  H01M10/465 ,  H01M10/486 ,  H01M10/615 ,  H01M10/63 ,  H01M10/637 ,  H02J7/007 ,  H02J7/35 ,  H02S10/20 ,  Y02E60/122

Abstract: 所公開的發明是能夠在廣的溫度範圍工作的蓄電單元。一種蓄電單元，包括：蓄電裝置；加熱器，用來對蓄電裝置加熱；溫度感測器，用來檢測蓄電裝置的溫度；以及控制電路，該控制電路在蓄電裝置的溫度低於第一溫度或者高於第二溫度時禁止對蓄電裝置充電。第一溫度例如為導致在蓄電裝置的負電極上形成樹枝晶體的溫度，而第二溫度例如為導致形成在負極活性物質的表面上的鈍化膜遭到破壞的溫度。

Abstract in simplified Chinese: 所公开的发明是能够在广的温度范围工作的蓄电单元。一种蓄电单元，包括：蓄电设备；加热器，用来对蓄电设备加热；温度传感器，用来检测蓄电设备的温度；以及控制电路，该控制电路在蓄电设备的温度低于第一温度或者高于第二温度时禁止对蓄电设备充电。第一温度例如为导致在蓄电设备的负电极上形成树枝晶体的温度，而第二温度例如为导致形成在负极活性物质的表面上的钝化膜遭到破坏的温度。

公开(公告)号：TW201717173A

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：TW105128051

申请日：2010-11-09

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: G09F9/30 ,  H01L21/77 ,  G09G3/30 ,  G09G3/20 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/3266 ,  G09G2300/0814 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/7869

Abstract: 顯示裝置包括：像素部，其包括複數個像素，該複數個像素各包括第一電晶體、第二電晶體、及發光元件，其中該第一電晶體的閘極電連接到掃描線，該第一電晶體之源極和汲極的其中之一電連接到信號線，及它們的其中另一個電連接到該第二電晶體的閘極；該第二電晶體之源極和汲極的其中之一電連接到供電線，及它們的其中另一個電連接到該發光元件，以及該第一電晶體包括氧化物半導體層。該顯示裝置顯示靜止影像時之週期包括停止輸出信號到該像素部中的所有該等掃描線時之週期。

Abstract in simplified Chinese: 显示设备包括：像素部，其包括复数个像素，该复数个像素各包括第一晶体管、第二晶体管、及发光组件，其中该第一晶体管的闸极电连接到扫描线，该第一晶体管之源极和汲极的其中之一电连接到信号线，及它们的其中另一个电连接到该第二晶体管的闸极；该第二晶体管之源极和汲极的其中之一电连接到供电线，及它们的其中另一个电连接到该发光组件，以及该第一晶体管包括氧化物半导体层。该显示设备显示静止影像时之周期包括停止输出信号到该像素部中的所有该等扫描线时之周期。

公开(公告)号：TWI569122B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW104113678

申请日：2010-10-26

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI

IPC: G05F1/10 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/7869 ,  H02M3/07 ,  H02M3/158

公开(公告)号：TWI568157B

公开(公告)日：2017-01-21

申请号：TW105100945

申请日：2011-06-10

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  石井將人 ,  ISHII, MASATO

IPC: H02M3/155 ,  H02M3/156

CPC classification number: H02M3/156 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H02M3/155 ,  Y02B70/1483

公开(公告)号：TW201639170A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW105123071

申请日：2010-10-26

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI ,  豐高耕平 ,  TOYOTAKA, KOUHEI ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI ,  桑原秀明 ,  KUWABARA, HIDEAKI

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/84 ,  H01L23/552 ,  H01L23/60 ,  H01L23/66 ,  H01L25/16 ,  H01L27/0222 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L28/20 ,  H01L28/60 ,  H01L29/78609 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明的課題之一是降低用於LSI、CPU、記憶體的電晶體的漏電流及寄生電容。藉由使用如下電晶體，來製造ISI、CPU、記憶體等的半導體積體電路：在半導體基板上，藉由去掉氧化物半導體中的用作電子給體(施體)的雜質，得到本質或者實際上本質的其能隙大於矽半導體的能隙的氧化物半導體。形成在半導體基板上的使用其氫濃度被充分降低而實現高純度化的氧化物半導體層的電晶體可以實現由於漏電流而發生的耗電量少的半導體裝置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题之一是降低用于LSI、CPU、内存的晶体管的漏电流及寄生电容。借由使用如下晶体管，来制造ISI、CPU、内存等的半导体集成电路：在半导体基板上，借由去掉氧化物半导体中的用作电子给体(施体)的杂质，得到本质或者实际上本质的其能隙大于硅半导体的能隙的氧化物半导体。形成在半导体基板上的使用其氢浓度被充分降低而实现高纯度化的氧化物半导体层的晶体管可以实现由于漏电流而发生的耗电量少的半导体设备。

公开(公告)号：TWI548188B

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW100144210

申请日：2011-12-01

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI ,  伊藤良明 ,  ITO, YOSHIAKI

IPC: H02M3/155 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H02M3/158 ,  H02M3/33523 ,  H02M2001/0006

公开(公告)号：TWI533574B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：TW100135013

申请日：2011-09-28

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 伊藤良明 ,  ITO, YOSHIAKI ,  高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI

IPC: H02M1/42 ,  H02M3/10

CPC classification number: H02M3/156

公开(公告)号：TW201604558A

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW104112713

申请日：2015-04-21

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI

IPC: G01R19/255 ,  G09G3/20 ,  G09G3/30 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12

CPC classification number: G06F3/041 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0416 ,  G06F2203/04102 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0876 ,  G09G2310/02 ,  G09G2320/0295 ,  G09G2320/043 ,  G09G2380/02

Abstract: 本發明的一個方式提供一種檢測來自像素的輸出電流及來自輸入裝置的輸出電流，並將其轉換為資料的電路。本發明的一個方式提供一種電流檢測電路，包括：積分電路；比較器；計數器；以及閂鎖器。積分電路能夠在第二信號所決定的期間內將第一信號電位積分，並將其作為第三信號輸出。比較器能夠對第三信號的電位和第一電位進行比較，並輸出第四信號。計數器能夠在第四信號所決定的期間內將第五信號所包含的脈衝數作為第六信號輸出。閂鎖器能夠保持第六信號。其中，積分電路較佳為包括運算放大器以及一個或多個電容元件。第一信號從顯示裝置所包括的像素或輸入裝置所包括的輸入部供應。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式提供一种检测来自像素的输出电流及来自输入设备的输出电流，并将其转换为数据的电路。本发明的一个方式提供一种电流检测电路，包括：积分电路；比较器；计数器；以及闩锁器。积分电路能够在第二信号所决定的期间内将第一信号电位积分，并将其作为第三信号输出。比较器能够对第三信号的电位和第一电位进行比较，并输出第四信号。计数器能够在第四信号所决定的期间内将第五信号所包含的脉冲数作为第六信号输出。闩锁器能够保持第六信号。其中，积分电路较佳为包括运算放大器以及一个或多个电容组件。第一信号从显示设备所包括的像素或输入设备所包括的输入部供应。

公开(公告)号：TW201601309A

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW104127323

申请日：2010-09-27

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI ,  伊藤良明 ,  ITO, YOSHIAKI

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明之目的在於提供具有新的生產性之半導體材料及新的結構之半導體裝置。該半導體裝置包含：第一導電層，在基板之上；第一絕緣層，覆蓋該第一導電層；氧化物半導體層，在該第一絕緣層之上，而與該第一導電層的一部分重疊，且具有晶體區於表面部分；第二及第三導電層，係形成與該氧化物半導體層接觸；絕緣層，覆蓋該氧化物半導體層及該第二和第三導電層；以及第四導電層，在該絕緣層之上，而與該氧化物半導體層的一部分重疊。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于提供具有新的生产性之半导体材料及新的结构之半导体设备。该半导体设备包含：第一导电层，在基板之上；第一绝缘层，覆盖该第一导电层；氧化物半导体层，在该第一绝缘层之上，而与该第一导电层的一部分重叠，且具有晶体区于表面部分；第二及第三导电层，系形成与该氧化物半导体层接触；绝缘层，覆盖该氧化物半导体层及该第二和第三导电层；以及第四导电层，在该绝缘层之上，而与该氧化物半导体层的一部分重叠。