公开(公告)号：TW201547031A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：TW104129178

申请日：2010-10-08

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI ,  豐高耕平 ,  TOYOTAKA, KOUHEI ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI ,  桑原秀明 ,  KUWABARA, HIDEAKI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/26 ,  G06K19/07758 ,  G11C7/00 ,  G11C19/28 ,  H01L21/8236 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L2223/6677 ,  H02M3/07

Abstract: 本發明的課題之一是降低用於LSI、CPU或記憶體的電晶體的漏電流及寄生電容。使用如下薄膜電晶體來製造LSI、CPU或記憶體等的半導體積體電路，在上述薄膜電晶體中，去掉氧化物半導體中的成為電子給體(施體)的雜質，利用所得到的本徵或者實際上本徵的其能隙大於矽半導體的氧化物半導體來形成通道區。使用氫濃度被充分地降低而被高純度化的氧化物半導體層形成的薄膜電晶體可以實現由漏電流引起的耗電少的半導體裝置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题之一是降低用于LSI、CPU或内存的晶体管的漏电流及寄生电容。使用如下薄膜晶体管来制造LSI、CPU或内存等的半导体集成电路，在上述薄膜晶体管中，去掉氧化物半导体中的成为电子给体(施体)的杂质，利用所得到的本征或者实际上本征的其能隙大于硅半导体的氧化物半导体来形成信道区。使用氢浓度被充分地降低而被高纯度化的氧化物半导体层形成的薄膜晶体管可以实现由漏电流引起的耗电少的半导体设备。

公开(公告)号：TWI502869B

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：TW099141952

申请日：2010-12-02

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI ,  伊藤良明 ,  ITO, YOSHIAKI ,  井上廣樹 ,  INOUE, HIROKI ,  西島辰司 ,  NISHIJIMA, TATSUJI

IPC: H02M3/155

CPC classification number: H02M3/156 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H02M3/155

公开(公告)号：TWI484417B

公开(公告)日：2015-05-11

申请号：TW098132967

申请日：2009-09-29

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 井上廣樹 ,  INOUE, HIROKI ,  高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI

IPC: G06K19/07 ,  G05F3/02

CPC classification number: G05F3/24 ,  G06K19/0701 ,  G06K19/07749

公开(公告)号：TW201507110A

公开(公告)日：2015-02-16

申请号：TW103118828

申请日：2014-05-29

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/1156 ,  G11C11/24 ,  G11C13/0007 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1229 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明的一個方式的目的之一是提供一種即使遮斷電源也能夠保持資料的半導體裝置。該半導體裝置包括：第一電晶體；第二電晶體；第三電晶體；以及電容元件，其中，第一電晶體的源極電極和汲極電極中的一個電連接於第三電晶體的源極電極和汲極電極中的一個以及電容元件的一個電極，第二電晶體的閘極電極電連接於第三電晶體的源極電極和汲極電極中的另一個。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种即使遮断电源也能够保持数据的半导体设备。该半导体设备包括：第一晶体管；第二晶体管；第三晶体管；以及电容组件，其中，第一晶体管的源极电极和汲极电极中的一个电连接于第三晶体管的源极电极和汲极电极中的一个以及电容组件的一个电极，第二晶体管的闸极电极电连接于第三晶体管的源极电极和汲极电极中的另一个。

公开(公告)号：TW201346525A

公开(公告)日：2013-11-16

申请号：TW102109633

申请日：2013-03-19

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI ,  廣木正明 ,  HIROKI, MASAAKI ,  佐藤岳尙 ,  SATO, TAKEHISA ,  山本朗央 ,  YAMAMOTO, ROH

IPC: G06F1/32

CPC classification number: G05F5/00 ,  H02J9/00 ,  H02M2001/008

Abstract: 本發明的目的是在具有資料處理裝置的電源控制裝置的結構中在不影響其方便性的情況下實現待機功耗的降低。在藉由主開關對外部裝置進行供給電源的電源控制裝置的結構中，除了在其中設置資料處理裝置進行主開關的控制的結構以外，該電源控制裝置還採用設置對資料處理裝置供給電源的亞開關並在該資料處理裝置中設置揮發性記憶體單元及非揮發性記憶體單元的結構。進一步地，在將資料儲存於資料處理裝置的非揮發性記憶體單元中的期間使亞開關截止而控制間歇停止向資料處理裝置供給電源。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的是在具有数据处理设备的电源控制设备的结构中在不影响其方便性的情况下实现待机功耗的降低。在借由主开关对外部设备进行供给电源的电源控制设备的结构中，除了在其中设置数据处理设备进行主开关的控制的结构以外，该电源控制设备还采用设置对数据处理设备供给电源的亚开关并在该数据处理设备中设置挥发性内存单元及非挥发性内存单元的结构。进一步地，在将数据存储于数据处理设备的非挥发性内存单元中的期间使亚开关截止而控制间歇停止向数据处理设备供给电源。

公开(公告)号：TWI641112B

公开(公告)日：2018-11-11

申请号：TW103118828

申请日：2014-05-29

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201824214A

公开(公告)日：2018-07-01

申请号：TW105137662

申请日：2016-11-17

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  博格斯特 喬安 ,  BERGQUIST, JOHAN ,  久保田大介 ,  KUBOTA, DAISUKE ,  高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI

IPC: G09F9/30

Abstract: 本發明的一個實施方式提供一種即使在強光下其可見度也高的顯示裝置。該顯示裝置在第一基板與第二基板之間包括具有反射可見光的功能的第一顯示元件以及具有發射可見光的功能的第二顯示元件。在強光下使第一顯示元件工作，而在弱光下使第二顯示元件工作，由此能夠進行高可見度的顯示。此外，在第二基板的第一面上設置有觸控感測器，在與第一面對置的第二面上設置有防反射層。由此，在強光下，可以充分抑制顯示面的外光反射，從而可以進一步提高可見度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式提供一种即使在强光下其可见度也高的显示设备。该显示设备在第一基板与第二基板之间包括具有反射可见光的功能的第一显示组件以及具有发射可见光的功能的第二显示组件。在强光下使第一显示组件工作，而在弱光下使第二显示组件工作，由此能够进行高可见度的显示。此外，在第二基板的第一面上设置有触摸传感器，在与第一面对置的第二面上设置有防反射层。由此，在强光下，可以充分抑制显示面的外光反射，从而可以进一步提高可见度。

公开(公告)号：TWI606684B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：TW105135123

申请日：2011-06-10

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  石井將人 ,  ISHII, MASATO

IPC: H02M3/155 ,  H02M3/156

CPC classification number: H02M3/156 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H02M3/155 ,  Y02B70/1483

公开(公告)号：TWI599088B

公开(公告)日：2017-09-11

申请号：TW102122701

申请日：2013-06-26

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 高橋実 ,  TAKAHASHI, MINORU ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  廣木正明 ,  HIROKI, MASAAKI ,  高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI ,  桃純平 ,  MOMO, JUNPEI

IPC: H01M10/44 ,  H01M10/052

CPC classification number: H01M10/6571 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/443 ,  H01M10/465 ,  H01M10/486 ,  H01M10/615 ,  H01M10/63 ,  H01M10/637 ,  H02J7/007 ,  H02J7/35 ,  H02S10/20 ,  Y02E60/122

公开(公告)号：TW201729058A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105140265

申请日：2016-12-06

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI

IPC: G06F3/041

CPC classification number: G06F3/0418 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044

Abstract: 本發明的目的是改善信噪比(SNR)。信號處理電路包括第一端子至第四端子、開關電路及積分電路。放大電路包括輸出端子、端子(-)、第一端子(+)及第二端子(+)。積分電路包括放大電路。開關電路具有電連接端子(-)和第二端子、電連接第一端子(+)和第一端子且電連接第二端子(+)和第三端子的功能、以及電連接端子(-)和第三端子、電連接第一端子(+)和第二端子且電連接第二端子(+)和第四端子的功能。積分電路以第一端子(+)的電壓和第二端子(+)的電壓之平均電壓為參考電壓對輸入到端子(-)的信號進行積分。積分電路可以從輸入到端子(-)的信號去除共模雜訊，輸出SNR高的信號。信號處理電路例如適用於觸控感測器的感測器電路。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的是改善信噪比(SNR)。信号处理电路包括第一端子至第四端子、开关电路及积分电路。放大电路包括输出端子、端子(-)、第一端子(+)及第二端子(+)。积分电路包括放大电路。开关电路具有电连接端子(-)和第二端子、电连接第一端子(+)和第一端子且电连接第二端子(+)和第三端子的功能、以及电连接端子(-)和第三端子、电连接第一端子(+)和第二端子且电连接第二端子(+)和第四端子的功能。积分电路以第一端子(+)的电压和第二端子(+)的电压之平均电压为参考电压对输入到端子(-)的信号进行积分。积分电路可以从输入到端子(-)的信号去除共模噪声，输出SNR高的信号。信号处理电路例如适用于触摸传感器的传感器电路。