公开(公告)号：TWI580054B

公开(公告)日：2017-04-21

申请号：TW099122675

申请日：2010-07-09

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  大原宏樹 ,  OHARA, HISANORI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

公开(公告)号：TW201709329A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105138427

申请日：2009-11-11

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  廣橋拓也 ,  HIROHASHI, TAKUYA ,  高橋正弘 ,  TAKAHASHI, MASAHIRO ,  岸田英幸 ,  KISHIDA, HIDEYUKI ,  宮永昭治 ,  MIYANAGA, AKIHARU

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28158 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 本發明係有關半導體裝置及其製造方法，其目的在於提供一種適用於半導體裝置的氧化物半導體。或者，本發明的另一個目的在於提供一種使用該氧化物半導體的半導體裝置。揭示的半導體裝置在電晶體的通道形成區域中包括以In-Ga-Zn-O為基的氧化物半導體層。在所述半導體裝置中，以In-Ga-Zn-O為基的氧化物半導體層具有如下結構：在由InGaO3(ZnO)m(m>0)所表示的非晶形結構中包含由InGaO3(ZnO)m(m=1)所表示的晶粒。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关半导体设备及其制造方法，其目的在于提供一种适用于半导体设备的氧化物半导体。或者，本发明的另一个目的在于提供一种使用该氧化物半导体的半导体设备。揭示的半导体设备在晶体管的信道形成区域中包括以In-Ga-Zn-O为基的氧化物半导体层。在所述半导体设备中，以In-Ga-Zn-O为基的氧化物半导体层具有如下结构：在由InGaO3(ZnO)m(m>0)所表示的非晶形结构中包含由InGaO3(ZnO)m(m=1)所表示的晶粒。

公开(公告)号：TW201707191A

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：TW105127069

申请日：2010-07-12

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  桑原秀明 ,  KUWABARA, HIDEAKI ,  高橋辰也 ,  TAKAHASHI, TATSUYA

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78645

Abstract: 增進半導體裝置的孔徑比。驅動電路及像素係設於一個基板之上，並且，驅動電路中的第一薄膜電晶體和像素中的第二薄膜電晶體均包含閘極電極層、在閘極電極層之上的閘極絕緣層、在閘極絕緣層之上的氧化物半導體層、在氧化物半導體層之上的源極和汲極電極層、以及在閘極絕緣層、氧化物半導體層、及源極和汲極電極層之上與部份氧化物半導體層相接觸的氧化物絕緣層。第二薄膜電晶體的閘極電極層、閘極絕緣層、氧化物半導體層、源極和汲極電極層、以及氧化物絕緣層均具有透光特性。

Abstract in simplified Chinese: 增进半导体设备的孔径比。驱动电路及像素系设于一个基板之上，并且，驱动电路中的第一薄膜晶体管和像素中的第二薄膜晶体管均包含闸极电极层、在闸极电极层之上的闸极绝缘层、在闸极绝缘层之上的氧化物半导体层、在氧化物半导体层之上的源极和汲极电极层、以及在闸极绝缘层、氧化物半导体层、及源极和汲极电极层之上与部份氧化物半导体层相接触的氧化物绝缘层。第二薄膜晶体管的闸极电极层、闸极绝缘层、氧化物半导体层、源极和汲极电极层、以及氧化物绝缘层均具有透光特性。

公开(公告)号：TW201639176A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW105122073

申请日：2010-03-05

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  廣橋拓也 ,  HIROHASHI, TAKUYA ,  岸田英幸 ,  KISHIDA, HIDEYUKI

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明的目的之一在於提供一種具有穩定電特性的薄膜電晶體的高可靠性的半導體裝置。在包括作為半導體層採用氧化物半導體層的反堆疊型薄膜電晶體的半導體裝置中，在氧化物半導體層之上具有緩衝層。緩衝層接觸於半導體層的通道形成區與源極電極層及汲極電極層。緩衝層在其膜中具有電阻分佈。在緩衝層中，設置在半導體層的通道形成區上的區域的導電率低於半導體層的通道形成區的導電率，並且與源極電極層及汲極電極層接觸的區域的導電率高於半導體層的通道形成區的導電率。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一在于提供一种具有稳定电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体设备。在包括作为半导体层采用氧化物半导体层的反堆栈型薄膜晶体管的半导体设备中，在氧化物半导体层之上具有缓冲层。缓冲层接触于半导体层的信道形成区与源极电极层及汲极电极层。缓冲层在其膜中具有电阻分布。在缓冲层中，设置在半导体层的信道形成区上的区域的导电率低于半导体层的信道形成区的导电率，并且与源极电极层及汲极电极层接触的区域的导电率高于半导体层的信道形成区的导电率。

公开(公告)号：TW201635393A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW105118222

申请日：2009-12-17

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN

IPC: H01L21/336 ,  G09G3/20

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 一種半導體裝置，包括具有氧化物半導體層和優良的電特性的薄膜電晶體。此外，提供用於製造半導體裝置的方法，其中在一個基底上形成多種類型的不同結構的薄膜電晶體以形成多種類型的電路，而且其中沒有顯著增加步驟數量。在絕緣表面上形成金屬薄膜之後，在金屬薄膜上形成氧化物半導體層。然後，執行諸如熱處理之類的氧化處理以部分或全部地氧化金屬薄膜。此外，在諸如邏輯電路之類強調操作速度的電路與矩陣電路之間，薄膜電晶體的結構不同。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，包括具有氧化物半导体层和优良的电特性的薄膜晶体管。此外，提供用于制造半导体设备的方法，其中在一个基底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显着增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，运行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化金属薄膜。此外，在诸如逻辑电路之类强调操作速度的电路与矩阵电路之间，薄膜晶体管的结构不同。

公开(公告)号：TWI550826B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：TW104124065

申请日：2009-12-17

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  丸山哲紀 ,  MARUYAMA, TETSUNORI ,  井本裕己 ,  IMOTO, YUKI ,  淺野裕治 ,  ASANO, YUJI ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L28/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TW201630157A

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：TW105113277

申请日：2010-07-08

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  桑原秀明 ,  KUWABARA, HIDEAKI

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/45

Abstract: 製造高度可靠的顯示裝置，其具有高鏡孔比及包括具有穩定電特性之電晶體。該顯示裝置包括在同一基板上之驅動器電路部和顯示部。該驅動器電路部包括驅動器電路電晶體和驅動器電路配線。該驅動器電路電晶體的源極電極和汲極電極係使用金屬所形成。該驅動器電路電晶體的通道層係使用氧化物半導體所形成。該驅動器電路配線係使用金屬所形成。該顯示部包括像素電晶體和顯示部配線。該像素電晶體的源極電極和汲極電極係使用透明氧化物導體所形成。該像素電晶體的半導體層係使用氧化物半導體所形成。該顯示部配線係使用透明氧化物導體所形成。

Abstract in simplified Chinese: 制造高度可靠的显示设备，其具有高镜孔比及包括具有稳定电特性之晶体管。该显示设备包括在同一基板上之驱动器电路部和显示部。该驱动器电路部包括驱动器电路晶体管和驱动器电路配线。该驱动器电路晶体管的源极电极和汲极电极系使用金属所形成。该驱动器电路晶体管的信道层系使用氧化物半导体所形成。该驱动器电路配线系使用金属所形成。该显示部包括像素晶体管和显示部配线。该像素晶体管的源极电极和汲极电极系使用透明氧化物导体所形成。该像素晶体管的半导体层系使用氧化物半导体所形成。该显示部配线系使用透明氧化物导体所形成。

公开(公告)号：TWI543355B

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：TW099125606

申请日：2010-08-02

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3248 ,  H01L51/5278 ,  H01L2251/5323

公开(公告)号：TWI541908B

公开(公告)日：2016-07-11

申请号：TW104123549

申请日：2010-06-29

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  大原宏樹 ,  OHARA, HIROKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI540647B

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW100118212

申请日：2009-12-17

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN

IPC: H01L21/336 ,  G09G3/20

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696