公开(公告)号：TW200833199A

公开(公告)日：2008-08-01

申请号：TW096143656

申请日：2007-11-19

Applicant: 日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.

Inventor： 古曳倫也 KOHIKI, MICHIYA ,  中島光一 NAKASHIMA, KOICHI ,  道下尚則 MICHISHITA, NAONORI

IPC: H05K

CPC classification number: H05K1/0346 ,  H05K3/06 ,  H05K3/16 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2203/0723 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31681

Abstract: 本發明之2層覆銅積層板,係以濺鍍及鍍敷處理在聚醯亞胺膜形成有銅層者,其特徵在於,係於覆銅積層板之MD上收縮、於覆銅積層板之TD上伸長,該積層材之彎曲量在20㎜以下。其中,彎曲量係表示於溫度23℃、濕度50%、72小時之條件下調節濕度後,100㎜見方之2層覆銅積層板的隆起量。本發明提供一種於藉由濺鍍及鍍敷處理而在聚醯亞胺膜上形成銅層之2層CCL材料中,可減少該積層材之彎曲量之2層CCL材料及其製造方法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之2层覆铜积层板,系以溅镀及镀敷处理在聚酰亚胺膜形成有铜层者,其特征在于,系于覆铜积层板之MD上收缩、于覆铜积层板之TD上伸长,该积层材之弯曲量在20㎜以下。其中,弯曲量系表示于温度23℃、湿度50%、72小时之条件下调节湿度后,100㎜见方之2层覆铜积层板的隆起量。本发明提供一种于借由溅镀及镀敷处理而在聚酰亚胺膜上形成铜层之2层CCL材料中,可减少该积层材之弯曲量之2层CCL材料及其制造方法。

公开(公告)号：TWI296236B

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：TW094118166

申请日：2005-06-02

Applicant: 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.

Inventor： 岡田和之 OKADA KAZUYUKI ,  高橋勝 TAKAHASHI MASARU

IPC: B32B ,  C25D ,  H05K

CPC classification number: C25D5/48 ,  C23C30/00 ,  C25D5/12 ,  C25D7/0614 ,  C25D11/38 ,  H01L23/4985 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0346 ,  H05K3/384 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/0723 ,  Y10T428/12431 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明的目的在於提供一種無錫電鍍潛入的表面處理銅箔，在將未經粗糙化處理的銅箔黏合於聚亞醯胺樹脂基材時，可確保實用上無障礙的黏著性。為了達成上述目的，可採用適用於聚亞醯胺樹脂基材的表面處理銅箔，其包括表面處理層，用來改良與聚亞醯胺樹脂基材的黏著性，其特徵在於：上述表面處理層設置於電解銅箔的光澤表面，且上述表面處理層除了不可避免的不純物之外，含有65wt%~90wt%的鎳或鈷以及10wt%~35wt%的鋅，並且，重量厚度30mg/m2至70mg/m2的鎳-鋅合金層或鈷-鋅合金層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的在于提供一种无锡电镀潜入的表面处理铜箔，在将未经粗糙化处理的铜箔黏合于聚亚酰胺树脂基材时，可确保实用上无障碍的黏着性。为了达成上述目的，可采用适用于聚亚酰胺树脂基材的表面处理铜箔，其包括表面处理层，用来改良与聚亚酰胺树脂基材的黏着性，其特征在于：上述表面处理层设置于电解铜箔的光泽表面，且上述表面处理层除了不可避免的不纯物之外，含有65wt%~90wt%的镍或钴以及10wt%~35wt%的锌，并且，重量厚度30mg/m2至70mg/m2的镍-锌合金层或钴-锌合金层。

公开(公告)号：TW200738913A

公开(公告)日：2007-10-16

申请号：TW096108011

申请日：2007-03-08

Applicant: 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.

Inventor： 土橋誠 DOBASHI, MAKOTO ,  松田光由 MATSUDA, MITSUYOSHI ,  朝長子 ,  酒井久雄 ,  田智浩 SAKATA, TOMOHIRO ,  吉岡淳志 YOSHIOKA, JUNSHI ,  西川丞 ,  田口丈雄 TAKEO TAGUCHI

IPC: C25D ,  H05K

CPC classification number: H05K3/384 ,  C25D1/04 ,  C25D3/38 ,  C25D5/16 ,  C25D5/18 ,  C25D5/48 ,  C25D7/06 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/0307 ,  H05K2203/0723 ,  H05K2203/1476 ,  Y10T428/12438 ,  Y10T428/12451 ,  Y10T428/12472 ,  Y10T428/12882 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24917

Abstract: 本發明之目的係在於提供具有與先前供給於市場的低稜線表面處理電解銅箔同水準以上的低稜線,且對配線的直線性造成影響的起伏小的表面處理電解銅箔及其製造方法。為達成此目的,與絕緣層構成材之接著面的起伏的最大高低差(Wmax)為0.05微米~0.7微米,凹凸的最大高低差(PV)為0.05微米~1.5微米,表面粗糙度(Rzjis)為0.1微米~1.0微米之表面處理電解銅箔。用於製造該表面處理電解銅箔之電解銅箔,係使用添加3-巰基-1-丙磺酸或雙(3-磺丙基)二硫化物、具有環狀構造之4級銨鹽聚合物及氯而得之硫酸系銅電解液,使用表面粗糙度小的陰極,將連續的第1步驟電解至第n步驟電解,以不同的2階以上的電流密度實施之電解條件製造。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的系在于提供具有与先前供给于市场的低棱线表面处理电解铜箔同水准以上的低棱线,且对配线的直线性造成影响的起伏小的表面处理电解铜箔及其制造方法。为达成此目的,与绝缘层构成材之接着面的起伏的最大高低差(Wmax)为0.05微米~0.7微米,凹凸的最大高低差(PV)为0.05微米~1.5微米,表面粗糙度(Rzjis)为0.1微米~1.0微米之表面处理电解铜箔。用于制造该表面处理电解铜箔之电解铜箔,系使用添加3-巯基-1-丙磺酸或双(3-磺丙基)二硫化物、具有环状构造之4级铵盐聚合物及氯而得之硫酸系铜电解液,使用表面粗糙度小的阴极,将连续的第1步骤电解至第n步骤电解,以不同的2阶以上的电流密度实施之电解条件制造。

公开(公告)号：TW200704833A

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：TW095120359

申请日：2006-06-08

Applicant: 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.

Inventor： 松永哲廣

IPC: C25D ,  B32B ,  H05K

CPC classification number: C23C28/00 ,  B05D2202/45 ,  B05D2350/65 ,  H05K3/384 ,  H05K3/386 ,  H05K3/389 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/0358 ,  H05K2203/0307 ,  H05K2203/0723 ,  Y10T428/12438 ,  Y10T428/12556 ,  Y10T428/12569 ,  Y10T428/12715 ,  Y10T428/12722 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/27 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本發明係關於一種表面處理銅箔及其表面處理銅箔之製造方法以及附有極薄底漆樹脂層之表面處理銅箔;也就是說,其目的係提供一種並無在電解銅箔之防銹處理層使用鉻、加工成為印刷電路板而以後之電路之剝離强度以及該剝離强度之耐藥品性惡化率等之良好之表面處理銅箔。為了達成該目的,因此,採用一種表面處理銅箔,係在電解銅箔相對於絕緣樹脂基材之貼合面來具備防銹處理層和矽烷偶合劑層之表面處理銅箔,其特徵在於:該防銹處理層係依序地層積重量厚度5mg/m^2-40mg/m^2之鎳層和重量厚度5mg/m^2-40mg/m^2之錫層,在該防銹處理層之表面,具備矽烷偶合劑層。此外,採用一種附有極薄底漆樹脂層之表面處理銅箔,其特徵在於:在本案發明之表面處理銅箔(僅限於並無具備粗化處理者)相對於絕緣樹脂基材之貼合面上,具備換算厚度0.5���m-5���m之極薄底漆樹脂層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种表面处理铜箔及其表面处理铜箔之制造方法以及附有极薄底漆树脂层之表面处理铜箔;也就是说,其目的系提供一种并无在电解铜箔之防锈处理层使用铬、加工成为印刷电路板而以后之电路之剥离强度以及该剥离强度之耐药品性恶化率等之良好之表面处理铜箔。为了达成该目的,因此,采用一种表面处理铜箔,系在电解铜箔相对于绝缘树脂基材之贴合面来具备防锈处理层和硅烷偶合剂层之表面处理铜箔,其特征在于:该防锈处理层系依序地层积重量厚度5mg/m^2-40mg/m^2之镍层和重量厚度5mg/m^2-40mg/m^2之锡层,在该防锈处理层之表面,具备硅烷偶合剂层。此外,采用一种附有极薄底漆树脂层之表面处理铜箔,其特征在于:在本案发明之表面处理铜箔(仅限于并无具备粗化处理者)相对于绝缘树脂基材之贴合面上,具备换算厚度0.5���m-5���m之极薄底漆树脂层。

公开(公告)号：TW200639988A

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：TW094114847

申请日：2005-05-09

Applicant: 全懋精密科技股份有限公司 PHOENIX PRECISION TECHNOLOGY CORPORATION

Inventor： 許詩濱 HSU, SHIH-PING ,  湯紹夏 TANG, SAO-HSIA ,  王音統 WANG, YING TUNG ,  胡文宏 HU, WEN HUNG ,  史朝文 SHIH, CHAO WEN

IPC: H01L ,  C25D

CPC classification number: H05K3/243 ,  H01L2224/11 ,  H05K3/26 ,  H05K2203/0392 ,  H05K2203/054 ,  H05K2203/0723

Abstract: 一種有機電路板電鍍形成導電凸塊之製程裝置，係包括：表面清洗單元，係用以清除電路板外露之導電層表面之有機污染物；水洗單元，用以清洗導電層表面；表面活化單元，用以去除形成於導電層表面的金屬氧化物；以及電鍍單元，以於該外露之導電層表面電鍍形成導電凸塊。俾得以電鍍方式在電路板形成導電凸塊，以降低對位之困難度及接合強度不佳等問題，並可達高密度細凸塊間距佈線之需求。

Abstract in simplified Chinese: 一种有机电路板电镀形成导电凸块之制程设备，系包括：表面清洗单元，系用以清除电路板外露之导电层表面之有机污染物；水洗单元，用以清洗导电层表面；表面活化单元，用以去除形成于导电层表面的金属氧化物；以及电镀单元，以于该外露之导电层表面电镀形成导电凸块。俾得以电镀方式在电路板形成导电凸块，以降低对位之困难度及接合强度不佳等问题，并可达高密度细凸块间距布线之需求。

公开(公告)号：TW200636942A

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：TW095108561

申请日：2006-03-14

Applicant: 新光電氣工業股份有限公司 SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 岡澤秀安 OKAZAWA, HIDEYASU ,  武田吉樹 TAKEDA, YOSHIKI

IPC: H01L

CPC classification number: H05K3/243 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/108 ,  H05K3/427 ,  H05K2203/0542 ,  H05K2203/0723 ,  H05K2203/1394 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一種利用電鍍技術來製造電路板之方法，其在電鍍以便將電路圖案形成在該板上時防止了由於該電路圖案中不必要部分的信號反射與雜訊，以便因此增進該等電性特性並實現更高密度的電路圖案佈局，包含步驟有將一第一無電鍍層與一覆蓋第一電鍍抗蝕劑形成在一覆上金屬箔的絕緣板上、將電源饋入至該第一無電鍍層以便形成一第一電鍍層在抗蝕劑開口中的該第一無電鍍層上；除去暴露的第一無電鍍層與金屬箔以便露出該絕緣板；形成一第二無電鍍層在該板與該等電路圖案的暴露部分上；形成一第二電鍍抗蝕劑在那之上；除去在該等抗蝕劑開口中的第二無電鍍層；將電源饋入至該第二電鍍抗蝕劑之下的第二無電鍍層以便形成一第二無電鍍層在該等抗蝕劑開口中的該等電路圖案之上；除去該第二電鍍抗蝕劑；及除去露出的第二無電鍍層。

Abstract in simplified Chinese: 一种利用电镀技术来制造电路板之方法，其在电镀以便将电路图案形成在该板上时防止了由于该电路图案中不必要部分的信号反射与噪声，以便因此增进该等电性特性并实现更高密度的电路图案布局，包含步骤有将一第一无电镀层与一覆盖第一电镀抗蚀剂形成在一复上金属箔的绝缘板上、将电源馈入至该第一无电镀层以便形成一第一电镀层在抗蚀剂开口中的该第一无电镀层上；除去暴露的第一无电镀层与金属箔以便露出该绝缘板；形成一第二无电镀层在该板与该等电路图案的暴露部分上；形成一第二电镀抗蚀剂在那之上；除去在该等抗蚀剂开口中的第二无电镀层；将电源馈入至该第二电镀抗蚀剂之下的第二无电镀层以便形成一第二无电镀层在该等抗蚀剂开口中的该等电路图案之上；除去该第二电镀抗蚀剂；及除去露出的第二无电镀层。

公开(公告)号：TW200635459A

公开(公告)日：2006-10-01

申请号：TW094109711

申请日：2005-03-29

Applicant: 全懋精密科技股份有限公司 PHOENIX PRECISION TECHNOLOGY CORPORATION

Inventor： 胡文宏 HU, WEN HUNG

IPC: H05K ,  H01L

CPC classification number: H05K3/3473 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H05K3/0035 ,  H05K3/0038 ,  H05K3/243 ,  H05K3/28 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2203/043 ,  H05K2203/054 ,  H05K2203/0723 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一種電路板形成導電結構之製程，其步驟係包括：提供一已形成有電性連接墊的電路板；接著在該電路板上依序形成一第一絕緣層、導電層及第二絕緣層；之後對應於該電性連接墊的正上方之第一絕緣層、導電層及第二絕緣層等三層結構作開孔製程(opening process)，以在該電性連接墊上方之三層結構形成開口；以及於該開口內以電鍍方式形成一凸塊。由上述之導電結構形成方法，俾可減少開口製程之對位次數，以降低製造成本。

Abstract in simplified Chinese: 一种电路板形成导电结构之制程，其步骤系包括：提供一已形成有电性连接垫的电路板；接着在该电路板上依序形成一第一绝缘层、导电层及第二绝缘层；之后对应于该电性连接垫的正上方之第一绝缘层、导电层及第二绝缘层等三层结构作开孔制程(opening process)，以在该电性连接垫上方之三层结构形成开口；以及于该开口内以电镀方式形成一凸块。由上述之导电结构形成方法，俾可减少开口制程之对位次数，以降低制造成本。

公开(公告)号：TW200623318A

公开(公告)日：2006-07-01

申请号：TW093139852

申请日：2004-12-21

Applicant: 全懋精密科技股份有限公司 PHOENIX PRECISION TECHNOLOGY CORPORATION

Inventor： 許詩濱 HSU, SHIH-PING

IPC: H01L

CPC classification number: C25D5/022 ,  H05K3/0023 ,  H05K3/045 ,  H05K3/107 ,  H05K3/421 ,  H05K3/423 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/465 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2203/0723 ,  Y10T29/53174

Abstract: 一種具有增層電路板細線路之結構及其製作方法。首先提供一核心電路板，且核心電路板表面具有複數個連接墊。接著於該核心電路板表面形成一第一介電層，一第二介電層形成於該第一介電層表面以及一第三介電層於該第二介電層上，並於該第三介電層形成複數個圖案化開口，然後於前述開口對應核心電路板表面電性連接墊之該第一介電層與第二介電層形成開孔。隨後於該第三介電層表面及各該圖案化開口與開孔中形成一晶種層，接著於該晶種層上電鍍一導電金屬層，使各該圖案開口形成有導電線路及各開孔中形成有導電盲孔。最後去除第三介電層表面之導電金屬層以及晶種層，以使各該圖案開口之導電線路藉由第三介電層形成隔離。

Abstract in simplified Chinese: 一种具有增层电路板细线路之结构及其制作方法。首先提供一内核电路板，且内核电路板表面具有复数个连接垫。接着于该内核电路板表面形成一第一介电层，一第二介电层形成于该第一介电层表面以及一第三介电层于该第二介电层上，并于该第三介电层形成复数个图案化开口，然后于前述开口对应内核电路板表面电性连接垫之该第一介电层与第二介电层形成开孔。随后于该第三介电层表面及各该图案化开口与开孔中形成一晶种层，接着于该晶种层上电镀一导电金属层，使各该图案开口形成有导电线路及各开孔中形成有导电盲孔。最后去除第三介电层表面之导电金属层以及晶种层，以使各该图案开口之导电线路借由第三介电层形成隔离。

公开(公告)号：TW200604001A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：TW094118166

申请日：2005-06-02

Applicant: 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.

Inventor： 岡田和之 OKADA KAZUYUKI ,  高橋勝 TAKAHASHI MASARU

IPC: B32B ,  C25D ,  H05K

CPC classification number: C25D5/48 ,  C23C30/00 ,  C25D5/12 ,  C25D7/0614 ,  C25D11/38 ,  H01L23/4985 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0346 ,  H05K3/384 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/0723 ,  Y10T428/12431 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明的目的在於提供一種無錫電鍍潛入的表面處理銅箔，在將未經粗糙化處理的銅箔黏合於聚亞醯胺樹脂基材時，可確保實用上無障礙的黏著性。為了達成上述目的，可採用適用於聚亞醯胺樹脂基材的表面處理銅箔，其包括表面處理層，用來改良與聚亞醯胺樹脂基材的黏著性，其特徵在於：上述表面處理層設置於電解銅箔的光澤表面，且上述表面處理層除了不可避免的不純物之外，含有65wt％～90wt％的鎳或鈷以及10wt％～35wt％的鋅，並且，重量厚度30mg／m^2至70mg／m^2的鎳–鋅合金層或鈷–鋅合金層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的在于提供一种无锡电镀潜入的表面处理铜箔，在将未经粗糙化处理的铜箔黏合于聚亚酰胺树脂基材时，可确保实用上无障碍的黏着性。为了达成上述目的，可采用适用于聚亚酰胺树脂基材的表面处理铜箔，其包括表面处理层，用来改良与聚亚酰胺树脂基材的黏着性，其特征在于：上述表面处理层设置于电解铜箔的光泽表面，且上述表面处理层除了不可避免的不纯物之外，含有65wt％～90wt％的镍或钴以及10wt％～35wt％的锌，并且，重量厚度30mg／m^2至70mg／m^2的镍–锌合金层或钴–锌合金层。

公开(公告)号：TW200525650A

公开(公告)日：2005-08-01

申请号：TW093102095

申请日：2004-01-30

Applicant: 全懋精密科技股份有限公司 PHOENIX PRECISION TECHNOLOGY CORPORATION

Inventor： 張瑞琦 CHANG, RUEI-CHIH ,  胡竹青 HU, CHU-CHIN

IPC: H01L

CPC classification number: H05K3/4007 ,  H01L23/49816 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H05K3/3473 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/09436 ,  H05K2203/043 ,  H05K2203/054 ,  H05K2203/0723 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一種半導體封裝基板之預銲錫結構及其製法，主要係提供至少一表面形成有多數電性連接墊之半導體封裝基板，於該封裝基板表面上形成一絕緣保護層，且該絕緣保護層具有多數之開孔以外露出該等電性連接墊，然後於該絕緣保護層及開孔表面形成一導電層，並於該導電層上形成圖案化阻層，以覆蓋住部分之導電層且定義出欲電鍍開孔，最後於該欲電鍍開孔中依序電鍍形成有導電柱及銲錫材料，俾於移除該阻層與未為該導電柱及銲錫材料所覆蓋之導電層後，對該銲錫材料進行迴銲製程以形成預銲錫，且該預銲錫係完整包覆該導電柱之上表面。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体封装基板之预焊锡结构及其制法，主要系提供至少一表面形成有多数电性连接垫之半导体封装基板，于该封装基板表面上形成一绝缘保护层，且该绝缘保护层具有多数之开孔以外露出该等电性连接垫，然后于该绝缘保护层及开孔表面形成一导电层，并于该导电层上形成图案化阻层，以覆盖住部分之导电层且定义出欲电镀开孔，最后于该欲电镀开孔中依序电镀形成有导电柱及焊锡材料，俾于移除该阻层与未为该导电柱及焊锡材料所覆盖之导电层后，对该焊锡材料进行回焊制程以形成预焊锡，且该预焊锡系完整包覆该导电柱之上表面。