公开(公告)号：TW201802297A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106102939

申请日：2017-01-25

Applicant: 麥克達米德恩索龍股份有限公司 ,  MACDERMID ENTHONE INC.

Inventor： 潘尼卡西歐二世 文森 ,  PANECCASIO, JR., VINCENT ,  惠登 凱力 ,  WHITTEN, KYLE ,  理察生 湯瑪斯B ,  RICHARDSON, THOMAS B. ,  李 伊凡 ,  LI, IVAN

IPC: C25D3/38 ,  C25D7/12 ,  C08G65/24 ,  C08G65/333 ,  H05K3/42 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/532 ,  H01L25/065

CPC classification number: C25D3/38 ,  C08G65/24 ,  C08G65/33396 ,  C25D7/12 ,  C25D7/123 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/53228 ,  H01L25/0657 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H05K3/188 ,  H05K3/424 ,  H05K2203/0723

Abstract: 一種水性電解組成物，及一種使用該水性電解組成物將銅電沈積在介電體或半導體基本結構上之方法。該方法包括(i)將在基本結構上包含種子導電層之金屬化基板以水性電解沈積組成物接觸；及(ii)對該電解沈積組成物供應電流而將銅沈積在該基板上。該水性電解組成物包含：(a)銅離子；(b)酸；(c)抑制劑；及(d)包含n個對應結構1N的重複單元、與p個對應結構1P的重複單元之四級化聚(表鹵醇)：

Abstract in simplified Chinese: 一种水性电解组成物，及一种使用该水性电解组成物将铜电沉积在介电体或半导体基本结构上之方法。该方法包括(i)将在基本结构上包含种子导电层之金属化基板以水性电解沉积组成物接触；及(ii)对该电解沉积组成物供应电流而将铜沉积在该基板上。该水性电解组成物包含：(a)铜离子；(b)酸；(c)抑制剂；及(d)包含n个对应结构1N的重复单元、与p个对应结构1P的重复单元之四级化聚(表卤醇)：

公开(公告)号：TW201742523A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：TW106101710

申请日：2017-01-18

Applicant: 羅門哈斯電子材料有限公司 ,  ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC

Inventor： 傑雅里朱 那加拉杰 ,  JAYARAJU, NAGARAJAN ,  巴斯塔 里歐 ,  BARSTAD, LEON

IPC: H05K3/10 ,  C25D7/00

CPC classification number: H05K3/429 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/38 ,  C25D3/38 ,  C25D5/02 ,  C25D5/18 ,  C25D5/56 ,  C25D7/123 ,  H05K1/09 ,  H05K1/115 ,  H05K3/0094 ,  H05K3/423 ,  H05K2201/032 ,  H05K2203/0723

Abstract: 直流電鍍覆方法抑制空隙形成，減少凹陷且消除節結。所述方法涉及在高電流密度下電鍍銅，接著在較低電流密度下電鍍以填充通孔。

Abstract in simplified Chinese: 直流电镀覆方法抑制空隙形成，减少凹陷且消除节结。所述方法涉及在高电流密度下电镀铜，接着在较低电流密度下电镀以填充通孔。

公开(公告)号：TW201740778A

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：TW105142921

申请日：2016-12-23

Applicant: 蘇州衛鵬機電科技有限公司 ,  SUZHOU WEIPENG ELECTRICAL TECHNOLOGY CO.,LTD ,  常熟東南相互電子有限公司 ,  CHANGSHU MUTUAL-TEK CO.,LTD

Inventor： 孟月東 ,  MENG, YUEDONG ,  方福堂 ,  FANG, FUTANG ,  常鵬 ,  CHANG, PENG

IPC: H05K3/18

CPC classification number: H05K3/181 ,  H01J37/32009 ,  H01J2237/334 ,  H05K3/16 ,  H05K3/18 ,  H05K3/188 ,  H05K3/38 ,  H05K2203/072 ,  H05K2203/0723 ,  H05K2203/095

Abstract: 本發明公開了一種超薄金屬層的印刷線路板的製備方法，該方法利用鹼性的脂肪胺類的氣體和經硫酸銅溶液鼓泡的氮氣進行真空電容耦合放電產生低溫等離子體，對聚醯亞胺薄膜和玻璃纖維布塗布的環氧樹脂板進行刻蝕與接枝活性基團的表面處理，增加表面粗糙度和化學活性，然後直接進行濺射鍍或化學鍍銅膜，再進行電鍍加厚到所需要的銅膜厚度。本發明的方法不僅不需要粘接劑（無膠），而且剝離強度高，可以實現超薄金屬層的軟、硬印刷線路板、多層板和軟硬複合板等的製作。

Abstract in simplified Chinese: 本发明公开了一种超薄金属层的印刷线路板的制备方法，该方法利用碱性的脂肪胺类的气体和经硫酸铜溶液鼓泡的氮气进行真空电容耦合放电产生低温等离子体，对聚酰亚胺薄膜和玻璃钢布涂布的环氧树脂板进行刻蚀与接枝活性基团的表面处理，增加表面粗糙度和化学活性，然后直接进行溅射镀或化学镀铜膜，再进行电镀加厚到所需要的铜膜厚度。本发明的方法不仅不需要粘接剂（无胶），而且剥离强度高，可以实现超薄金属层的软、硬印刷线路板、多层板和软硬复合板等的制作。

公开(公告)号：TW201707973A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105119846

申请日：2016-06-24

Applicant: 迪愛生股份有限公司 ,  DIC CORPORATION

Inventor： 富士川亘 ,  FUJIKAWA, WATARU ,  白髮潤 ,  SHIRAKAMI, JUN ,  村川昭 ,  MURAKAWA, AKIRA ,  島屋卓 ,  SHIMAYA, TAKU

IPC: B32B27/00 ,  C08L81/02 ,  C08L23/00 ,  B32B15/08 ,  H01B5/14 ,  H05K9/00

CPC classification number: B32B27/08 ,  B05D3/10 ,  B05D7/02 ,  B05D7/50 ,  B29C45/14311 ,  B29C2045/1664 ,  B29C2045/1693 ,  B29L2009/00 ,  B32B7/04 ,  B32B7/10 ,  B32B7/12 ,  B32B15/06 ,  B32B15/08 ,  B32B15/082 ,  B32B15/095 ,  B32B15/098 ,  B32B25/16 ,  B32B27/286 ,  B32B27/308 ,  B32B2250/04 ,  B32B2250/246 ,  B32B2255/06 ,  B32B2255/205 ,  B32B2270/00 ,  B32B2274/00 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/212 ,  B32B2319/00 ,  B32B2327/12 ,  B32B2333/08 ,  B32B2457/00 ,  B32B2457/08 ,  C08F265/06 ,  C08J7/047 ,  C08L21/00 ,  C08L27/16 ,  C23C18/1803 ,  C23C18/20 ,  C23C28/00 ,  H05K3/022 ,  H05K3/1208 ,  H05K3/125 ,  H05K3/246 ,  H05K3/38 ,  H05K3/386 ,  H05K2201/0133 ,  H05K2203/0723

Abstract: 本發明提供一種積層體，其特徵為在由含有聚苯硫(polyphenylene sulfide)(a1)及彈性體(a2)的聚苯硫樹脂組成物所構成之支撐體(A)之上，依順序積層有金屬層(B)及金屬鍍敷層(C)之積層體，其特徵為：相對於100質量份的前述聚苯硫(a1)，前述聚苯硫樹脂組成物中的彈性體(a2)之含量為0.3~90質量份之範圍。此積層體係作為支撐體的聚苯硫與金屬鍍敷層之密著性優異，而且亦具備即使暴露於高溫環境下時，也能維持優異的密著性之耐熱性。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种积层体，其特征为在由含有聚苯硫(polyphenylene sulfide)(a1)及弹性体(a2)的聚苯硫树脂组成物所构成之支撑体(A)之上，依顺序积层有金属层(B)及金属镀敷层(C)之积层体，其特征为：相对于100质量份的前述聚苯硫(a1)，前述聚苯硫树脂组成物中的弹性体(a2)之含量为0.3~90质量份之范围。此积层体系作为支撑体的聚苯硫与金属镀敷层之密着性优异，而且亦具备即使暴露于高温环境下时，也能维持优异的密着性之耐热性。

公开(公告)号：TW201703598A

公开(公告)日：2017-01-16

申请号：TW104119874

申请日：2015-06-18

Applicant: 臻鼎科技股份有限公司 ,  ZHEN DING TECHNOLOGY CO., LTD.

Inventor： 蘇威碩 ,  SU, WEI-SHUO

IPC: H05K3/18 ,  H05K3/02

CPC classification number: H05K3/244 ,  H05K3/108 ,  H05K3/427 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2201/09736 ,  H05K2201/098 ,  H05K2203/0723 ,  H05K2203/1394

Abstract: 一種電路板的製作方法，包括：提供基板，包括基底層及形成於所述基底層一側的連續第一銅箔層；在所述第一銅箔層部分區域上電鍍形成導電層；在所述導電層的部分表面電鍍形成表面處理圖形；之後，蝕刻，去除未被所述導電層覆蓋的第一銅箔層，同時減薄未被所述表面處理圖形覆蓋的所述導電層；在所述基底層表面保留下來的第一銅箔層及所述導電層成為導電線路圖形，得到無電鍍導線的電路板。本發明還涉及一上述製作方法得到的無電鍍導線的電路板。

Abstract in simplified Chinese: 一种电路板的制作方法，包括：提供基板，包括基底层及形成于所述基底层一侧的连续第一铜箔层；在所述第一铜箔层部分区域上电镀形成导电层；在所述导电层的部分表面电镀形成表面处理图形；之后，蚀刻，去除未被所述导电层覆盖的第一铜箔层，同时减薄未被所述表面处理图形覆盖的所述导电层；在所述基底层表面保留下来的第一铜箔层及所述导电层成为导电线路图形，得到无电镀导线的电路板。本发明还涉及一上述制作方法得到的无电镀导线的电路板。

公开(公告)号：TWI540945B

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW102110793

申请日：2013-03-27

Applicant: DIC股份有限公司 ,  DIC CORPORATION

Inventor： 村川昭 ,  MURAKAWA, AKIRA ,  白髮潤 ,  SHIRAKAMI, JUN ,  冨士川亘 ,  FUJIKAWA, WATARU ,  斉藤公恵 ,  SAITOU, YUKIE

IPC: H05K3/10 ,  H05K9/00

CPC classification number: H05K9/0086 ,  H01L21/288 ,  H01L21/321 ,  H01L23/5328 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/09 ,  H05K1/097 ,  H05K3/1208 ,  H05K3/246 ,  H05K3/389 ,  H05K3/4644 ,  H05K9/0081 ,  H05K2203/0723 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201512465A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：TW102133470

申请日：2013-09-16

Applicant: 綠點高新科技股份有限公司 ,  TAIWAN GREEN POINT ENTERPRISES CO., LTD.

Inventor： 廖本逸 ,  LIAO, PEN YI ,  吳宗翰 ,  何耀棕 ,  黃博承 ,  林芳如 ,  林正益

IPC: C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D5/34

CPC classification number: C25D5/34 ,  C23C18/1603 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1689 ,  C23C18/1868 ,  C23C18/204 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D5/48 ,  C25D7/123 ,  H05K3/046 ,  H05K3/381 ,  H05K2201/0999 ,  H05K2203/0723 ,  H05K2203/107

Abstract: 一種鍍層厚度均勻之電鍍方法包含以下步驟：於一非導電基材的表面上形成一第一金屬層；對於該第一金屬層進行加工處理，將該第一金屬層區分成多數間隔設置的電鍍區及一位於該等電鍍區外的非電鍍區，該等電鍍區的面積趨近相同，該等電鍍區包括一全為實際電鍍圖案的第一電鍍區，及一由一實際電鍍圖案與一虛擬電鍍圖案所組成的第二電鍍區；以電鍍方式於該第一金屬層的該等電鍍區上分別形成一第二金屬層；移除該第一金屬層的非電鍍區部分；及移除該第一金屬層的各虛擬電鍍圖案的部分及各第二金屬層位於虛擬電鍍圖案的部分。

Abstract in simplified Chinese: 一种镀层厚度均匀之电镀方法包含以下步骤：于一非导电基材的表面上形成一第一金属层；对于该第一金属层进行加工处理，将该第一金属层区分成多数间隔设置的电镀区及一位于该等电镀区外的非电镀区，该等电镀区的面积趋近相同，该等电镀区包括一全为实际电镀图案的第一电镀区，及一由一实际电镀图案与一虚拟电镀图案所组成的第二电镀区；以电镀方式于该第一金属层的该等电镀区上分别形成一第二金属层；移除该第一金属层的非电镀区部分；及移除该第一金属层的各虚拟电镀图案的部分及各第二金属层位于虚拟电镀图案的部分。

公开(公告)号：TW201504484A

公开(公告)日：2015-02-01

申请号：TW103116883

申请日：2014-05-13

Applicant: 德國艾托特克公司 ,  ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH

Inventor： 葛洛登 馬庫斯 ,  GLOEDEN, MARKUS ,  建西 赫高 ,  GENTH, HERKO ,  丹伯朗斯琪 尼那 ,  DAMBROWSKY, NINA ,  麥可納莉 安東尼 ,  MCNELLY, ANTONY ,  魯瑟 羅柏特 ,  RUETHER, ROBERT

IPC: C25D5/54 ,  C25D3/38 ,  C25D5/00 ,  H05K3/18 ,  H05K3/38

CPC classification number: C25D3/38 ,  C25D5/10 ,  C25D5/18 ,  C25D5/38 ,  C25D5/44 ,  C25D5/54 ,  C25D21/12 ,  H05K1/0265 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/241 ,  H05K3/246 ,  H05K2203/0307 ,  H05K2203/0723 ,  H05K2203/1492

Abstract: 本發明係關於一種電沉積厚銅層於導電燒結層上之方法。該厚銅層具有高黏著強度、低缺陷及內應力且具有高導電性及導熱性。該位於該燒結層上之厚銅層係適用於高功率電子應用中之印刷電路板。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种电沉积厚铜层于导电烧结层上之方法。该厚铜层具有高黏着强度、低缺陷及内应力且具有高导电性及导热性。该位于该烧结层上之厚铜层系适用于高功率电子应用中之印刷电路板。

公开(公告)号：TWI468559B

公开(公告)日：2015-01-11

申请号：TW098124822

申请日：2009-07-22

Applicant: 古河電氣工業股份有限公司 ,  THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.

Inventor： 藤澤哲 ,  FUJISAWA, SATOSHI ,  鈴木裕二 ,  SUZUKI, YUJI ,  宇野岳夫 ,  UNO, TAKEO

IPC: C25D7/06 ,  C25D3/56 ,  B32B15/08

CPC classification number: H05K3/384 ,  B32B15/01 ,  B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  B32B27/281 ,  B32B2255/06 ,  B32B2255/205 ,  B32B2307/20 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/50 ,  B32B2307/538 ,  B32B2307/714 ,  B32B2457/08 ,  C22C19/03 ,  C25D3/562 ,  C25D7/0614 ,  H05K1/0346 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/0723 ,  Y10T428/12438 ,  Y10T428/12472 ,  Y10T428/12569 ,  Y10T428/12882 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/12944 ,  Y10T428/12993

公开(公告)号：TW201448075A

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：TW103118000

申请日：2014-05-23

Applicant: 日月光半導體製造股份有限公司 ,  ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

Inventor： 李俊哲 ,  LEE, CHUN CHE ,  蘇洹漳 ,  SU, YUAN CHANG ,  鄭文吉 ,  CHENG, WEN CHI ,  廖國成 ,  LIAO, GUO CHENG ,  丁一權 ,  DING, YI CHUAN

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/13 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/1163 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/12042 ,  H05K3/108 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/4007 ,  H05K3/4682 ,  H05K2201/0376 ,  H05K2201/09045 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/0723 ,  H05K2203/1461 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明係關於一種半導體基板及其製造方法。該半導體基板包括一絕緣層、一第一線路層、一第二線路層、複數個導電通道及複數個凸塊。該第一線路層嵌於該絕緣層之第一表面，且顯露於絕緣層之第一表面。該第二線路層位於該絕緣層之第二表面上，且經由該等導電通道電性連接該第一線路層。該等凸塊直接位於部份該第一線路層上，其中該等凸塊之晶格與該第一線路層之晶格相同。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种半导体基板及其制造方法。该半导体基板包括一绝缘层、一第一线路层、一第二线路层、复数个导电信道及复数个凸块。该第一线路层嵌于该绝缘层之第一表面，且显露于绝缘层之第一表面。该第二线路层位于该绝缘层之第二表面上，且经由该等导电信道电性连接该第一线路层。该等凸块直接位于部份该第一线路层上，其中该等凸块之晶格与该第一线路层之晶格相同。