公开(公告)号：TW201717214A

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：TW105140437

申请日：2015-07-24

申请人： 日鐵住金新材料股份有限公司 ,  NIPPON MICROMETAL CORPORATION ,  新日鐵住金高新材料股份有限公司 ,  NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.

发明人： 山田隆 ,  YAMADA, TAKASHI ,  小田大造 ,  ODA, DAIZO ,  榛原照男 ,  HAIBARA, TERUO ,  大石良 ,  OISHI, RYO ,  齋藤和之 ,  SAITO, KAZUYUKI ,  宇野智裕 ,  UNO, TOMOHIRO

IPC分类号： H01B1/02 ,  H01L23/48

CPC分类号： B23K35/0227 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45118 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/45178 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01013

摘要： 本發明係於具有Cu合金芯材與形成於其表面之Pd被覆層之半導體裝置用接合導線，謀求175℃~200℃之HTS中之球接合部之接合可靠性提高、與耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)：1.1~1.6之併存。 藉由於導線中含有Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt之1種以上總計0.03~2質量%，而提高HTS中之球接合部之接合可靠性，進而藉由於對於接合導線之垂直於導線軸之方向之芯材剖面測定結晶方位之結果中，將導線長度方向之結晶方位中、相對於導線長度方向而角度差為15度以下的結晶方位 之方位比率設為50%以上，且將接合導線之垂直於導線軸之方向之芯材剖面中之平均結晶粒徑設為0.9~1.3μm，而使耐力比為1.6以下。

简体摘要： 本发明系于具有Cu合金芯材与形成于其表面之Pd被覆层之半导体设备用接合导线，谋求175℃~200℃之HTS中之球接合部之接合可靠性提高、与耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)：1.1~1.6之并存。 借由于导线中含有Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt之1种以上总计0.03~2质量%，而提高HTS中之球接合部之接合可靠性，进而借由于对于接合导线之垂直于导线轴之方向之芯材剖面测定结晶方位之结果中，将导线长度方向之结晶方位中、相对于导线长度方向而角度差为15度以下的结晶方位<100>之方位比率设为50%以上，且将接合导线之垂直于导线轴之方向之芯材剖面中之平均结晶粒径设为0.9~1.3μm，而使耐力比为1.6以下。

公开(公告)号：TW201711116A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：TW105108784

申请日：2016-03-22

申请人： 田中電子工業股份有限公司 ,  TANAKA DENSHI KOGYO K. K.

发明人： 天野裕之 ,  AMANO, HIROYUKI

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C9/00

CPC分类号： H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/48456 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01206

摘要： 本發明之目的在於提供一種藉由使銅-磷合金中含有鎳(Ni)而使尾線不會彎曲的銅合金接合線，本發明用以解決下述課題：在第二接合後直接將線材向上拉起以切斷時，尾線會在焊針內彎曲或線材的前端彎曲。 本發明之球焊用銅合金細線，其特徵為由下述成分所構成：鎳(Ni)為0.02質量%以上2質量%以下、磷(P)為5質量ppm以上800質量ppm以下、其他卑金屬元素的總量小於100質量ppm及剩餘部份為銅(Cu)。

简体摘要： 本发明之目的在于提供一种借由使铜-磷合金中含有镍(Ni)而使尾线不会弯曲的铜合金接合线，本发明用以解决下述课题：在第二接合后直接将线材向上拉起以切断时，尾线会在焊针内弯曲或线材的前端弯曲。 本发明之球焊用铜合金细线，其特征为由下述成分所构成：镍(Ni)为0.02质量%以上2质量%以下、磷(P)为5质量ppm以上800质量ppm以下、其他卑金属元素的总量小于100质量ppm及剩余部份为铜(Cu)。

公开(公告)号：TW201643261A

公开(公告)日：2016-12-16

申请号：TW105116514

申请日：2016-05-26

申请人： 日鐵住金新材料股份有限公司 ,  NIPPON MICROMETAL CORPORATION ,  新日鐵住金高新材料股份有限公司 ,  NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.

发明人： 山田隆 ,  YAMADA, TAKASHI ,  小田大造 ,  ODA, DAIZO ,  榛原照男 ,  HAIBARA, TERUO ,  大石良 ,  OISHI, RYO ,  齋藤和之 ,  SAITO, KAZUYUKI ,  宇野智裕 ,  UNO, TOMOHIRO

IPC分类号： C22C9/00 ,  H01L21/60

CPC分类号： B23K35/0227 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45118 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/45178 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01013

摘要： 本發明之半導體裝置用接合線具有Cu合金芯材、及形成於其表面之Pd被覆層，可同時實現高溫下之球接合部之接合可靠性提高、及耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)：1.1~1.6。 藉由使導線中包含賦予高溫環境下之連接可靠性之元素而提高高溫下之球接合部之接合可靠性，進而，藉由於對接合線之垂直於導線軸之方向之芯材剖面測定結晶方位之結果中，將導線長度方向之結晶方位中相對於導線長度方向之角度差為15度以下之結晶方位 之方位比率設為30%以上，且將接合線之垂直於導線軸之方向之芯材剖面中之平均結晶粒徑設為0.9~1.5μm，而將耐力比設為1.6以下。

简体摘要： 本发明之半导体设备用接合线具有Cu合金芯材、及形成于其表面之Pd被覆层，可同时实现高温下之球接合部之接合可靠性提高、及耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)：1.1~1.6。 借由使导线中包含赋予高温环境下之连接可靠性之元素而提高高温下之球接合部之接合可靠性，进而，借由于对接合线之垂直于导线轴之方向之芯材剖面测定结晶方位之结果中，将导线长度方向之结晶方位中相对于导线长度方向之角度差为15度以下之结晶方位<100>之方位比率设为30%以上，且将接合线之垂直于导线轴之方向之芯材剖面中之平均结晶粒径设为0.9~1.5μm，而将耐力比设为1.6以下。

公开(公告)号：TWI524490B

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW099110898

申请日：2010-04-08

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 本間琢朗 ,  HOMMA, TAKURO ,  高田佳史 ,  TAKATA, YOSHIFUMI

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/02697 ,  H01L22/32 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI517323B

公开(公告)日：2016-01-11

申请号：TW099130609

申请日：2010-09-10

申请人： ATI科技ULC公司 ,  ATI TECHNOLOGIES ULC

发明人： 塔巴西歐 羅登 ,  TOPACIO, RODEN ,  汪 葛瑞爾 ,  WONG, GABRIEL

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05013 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TW201338064A

公开(公告)日：2013-09-16

申请号：TW101134962

申请日：2007-06-22

申请人： 日立化成股份有限公司 ,  HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.

发明人： 永井朗 ,  NAGAI, AKIRA ,  安田雅昭 ,  YASUDA, MASAAKI ,  畠山惠一 ,  HATAKEYAMA, KEIICHI ,  榎本哲也 ,  ENOMOTO, TETSUYA

IPC分类号： H01L21/60 ,  C09J7/02

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 提供：可以有效率地獲得附著有黏著劑之半導體晶片單片，且可以將半導體晶片與配線基板予以良好地連接之半導體裝置之製造方法及黏著薄膜。以半導體晶圓6的電路面6a朝向切割捲帶9側之方式，準備切割捲帶9、黏著劑層3及半導體晶圓6依此順序被層積之層積體60。藉由從與半導體晶圓6的背面6b來辨識電路面6a的電路圖案P，來辨識切斷位置。將至少半導體晶圓6及黏著劑層3於層積體60的厚度方向予以切斷。使切割捲帶9硬化，且使切割捲帶9與黏著劑層3剝離。使半導體晶片26的突出電極4與配線基板40的配線12對位。以配線12與突出電極4電性連接之方式，藉由黏著劑層23來連接配線基板40與半導體晶片26。

简体摘要： 提供：可以有效率地获得附着有黏着剂之半导体芯片单片，且可以将半导体芯片与配线基板予以良好地连接之半导体设备之制造方法及黏着薄膜。以半导体晶圆6的电路面6a朝向切割卷带9侧之方式，准备切割卷带9、黏着剂层3及半导体晶圆6依此顺序被层积之层积体60。借由从与半导体晶圆6的背面6b来辨识电路面6a的电路图案P，来辨识切断位置。将至少半导体晶圆6及黏着剂层3于层积体60的厚度方向予以切断。使切割卷带9硬化，且使切割卷带9与黏着剂层3剥离。使半导体芯片26的突出电极4与配线基板40的配线12对位。以配线12与突出电极4电性连接之方式，借由黏着剂层23来连接配线基板40与半导体芯片26。

公开(公告)号：TWI404184B

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：TW094136371

申请日：2005-10-18

申请人： 恰巴克有限公司 ,  CHIPPAC, INC.

发明人： 河宗佑 ,  HA, JONGWOO ,  鄭泰福 ,  JUNG, TAEBOK

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/32 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32188 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

公开(公告)号：TWI376073B

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：TW096138093

申请日：2007-10-12

申请人： 黑瑟&克尼普斯股份有限公司

发明人： 漢斯 庾根 黑瑟 ,  法蘭克 瓦爾特

IPC分类号： H01R ,  B23K

CPC分类号： B23K20/004 ,  B23K20/10 ,  B23K20/26 ,  H01L21/67138 ,  H01L24/45 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

摘要： 一種超音波結合器，具有一結合工具、一金屬絲供應裝置、及一切割裝置；其中該結合工具、金屬絲供應裝置及切割裝置支承在一個可沿Z軸方向運動的主保持裝置上，且該結合工具、金屬絲供應裝置及切割裝置可利用該主保持裝置的一個Z軸驅動器向一基質的方向下降，且其中該超音波結合器有一特別的驅動裝置(動作器)以驅動該切割裝置，其特徵在：該切割裝置(1)受到該主保持裝置(1)利用Z軸驅動器下降的作用只會下降到一中間位置(23)，在此中間位置該切割裝置(22)設在距所要結合的金屬絲一段距離處，且該中間位置係為一個端位置，切割裝置(22)從主保持裝置(1)下降到此端位置，該驅動裝置不受主保持裝置(1)的運動影響地將該切割裝置(22)從該中間位置(23)進一步下降到一切斷位置(24)，以將該金屬絲至少部分地切斷。

简体摘要： 一种超音波结合器，具有一结合工具、一金属丝供应设备、及一切割设备；其中该结合工具、金属丝供应设备及切割设备支承在一个可沿Z轴方向运动的主保持设备上，且该结合工具、金属丝供应设备及切割设备可利用该主保持设备的一个Z轴驱动器向一基质的方向下降，且其中该超音波结合器有一特别的驱动设备(动作器)以驱动该切割设备，其特征在：该切割设备(1)受到该主保持设备(1)利用Z轴驱动器下降的作用只会下降到一中间位置(23)，在此中间位置该切割设备(22)设在距所要结合的金属丝一段距离处，且该中间位置系为一个端位置，切割设备(22)从主保持设备(1)下降到此端位置，该驱动设备不受主保持设备(1)的运动影响地将该切割设备(22)从该中间位置(23)进一步下降到一切断位置(24)，以将该金属丝至少部分地切断。

公开(公告)号：TWI353661B

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：TW096112273

申请日：2007-04-09

申请人： 欣興電子股份有限公司

发明人： 周保宏 ,  朱志亮 ,  王維駿

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H05K1/183 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/0035 ,  H05K3/28 ,  H05K3/284 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4652 ,  H05K3/4697 ,  H05K2201/0358 ,  H05K2201/09536 ,  Y10T29/49126 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 一種供嵌埋半導體晶片之電路板結構及其製法，該結構係包括：核心板，係具有一第一表面及第二表面，於該第一表面及第二表面分別具有第一線路層及第二線路層，且於該第一表面具有一晶片置放區；壓合層，係形成於該核心板之第一、第二表面及第一、第二線路層表面，且該壓合層中形成有至少一開口以露出該晶片置放區；第三及第四線路層，係分別形成於該核心板之第一及第二表面上的壓合層表面，該第三及第四線路層分別具有複數第一及第二電性連接墊；第一絕緣保護層，係形成於該壓合層、第三線路層表面，該第一絕緣保護層中具有一第一開口以露出該第三線路層中之第一電性連接墊及晶片置放區；以及第二絕緣保護層，係形成於該壓合層、第四線路層表面，該第二絕緣保護層中具有複數第二開口以露出該第四線路層中之第二電性連接墊；該晶片置放區係供接置一半導體晶片，俾以降低封裝之整體高度。

简体摘要： 一种供嵌埋半导体芯片之电路板结构及其制法，该结构系包括：内核板，系具有一第一表面及第二表面，于该第一表面及第二表面分别具有第一线路层及第二线路层，且于该第一表面具有一芯片置放区；压合层，系形成于该内核板之第一、第二表面及第一、第二线路层表面，且该压合层中形成有至少一开口以露出该芯片置放区；第三及第四线路层，系分别形成于该内核板之第一及第二表面上的压合层表面，该第三及第四线路层分别具有复数第一及第二电性连接垫；第一绝缘保护层，系形成于该压合层、第三线路层表面，该第一绝缘保护层中具有一第一开口以露出该第三线路层中之第一电性连接垫及芯片置放区；以及第二绝缘保护层，系形成于该压合层、第四线路层表面，该第二绝缘保护层中具有复数第二开口以露出该第四线路层中之第二电性连接垫；该芯片置放区系供接置一半导体芯片，俾以降低封装之整体高度。

公开(公告)号：TW201133653A

公开(公告)日：2011-10-01

申请号：TW099131204

申请日：2010-09-15

申请人： 住友電木股份有限公司

发明人： 佐藤敏寬 ,  川田政和 ,  米山正洋 ,  高橋豐誠 ,  出島裕久 ,  白石史廣

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L24/13 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/2495 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

摘要： 半導體晶圓接合體之製造方法係具有：準備具備薄片狀的支持基材、及設置在該支持基材上之具有感光性的間隔物形成層之間隔物形成用薄膜的步驟；使前述間隔物形成層貼著於半導體晶圓的一面側上的步驟；藉由曝光、顯像前述間隔物形成層並進行圖案化，以形成間隔物的同時，去除前述支持基材的步驟；及，以透明基板包含於內側的方式，使透明基板接合於前述間隔物與前述支持基材接觸之部分的步驟。因此，可製造半導體晶圓與透明基板均一且確實地透過間隔物而接合之半導體晶圓接合體。

简体摘要： 半导体晶圆接合体之制造方法系具有：准备具备薄片状的支持基材、及设置在该支持基材上之具有感光性的间隔物形成层之间隔物形成用薄膜的步骤；使前述间隔物形成层贴着于半导体晶圆的一面侧上的步骤；借由曝光、显像前述间隔物形成层并进行图案化，以形成间隔物的同时，去除前述支持基材的步骤；及，以透明基板包含于内侧的方式，使透明基板接合于前述间隔物与前述支持基材接触之部分的步骤。因此，可制造半导体晶圆与透明基板均一且确实地透过间隔物而接合之半导体晶圆接合体。