公开(公告)号：TW201743450A

公开(公告)日：2017-12-16

申请号：TW105118481

申请日：2016-06-14

申请人： 江文章

发明人： 江文章

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L21/8252 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/324 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/085 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

摘要： 本發明係關於一種Ga-face III族/氮化物磊晶結構及其主動元件與其製作方法。在此Ga face之AlGaN/GaN磊晶結構包含有一基底；一位於基底上之i-GaN(C-doped)層；一位於i-GaN(C-doped)層上之i-Al(y)GaN緩衝層；一位於i-Al(y)GaN緩衝層上之i-GaN Channel層；以及一位於i-GaN Channel層上之i-Al(x) GaN層，其中該X=0.1-0.3，該y=0.05-0.75。在元件設計上藉由P-GaN倒置梯型閘極或陽極結構使Ga-face III族/氮化物磊晶結構內之2DEG在P-GaN倒置梯型結構下方處能呈現空乏狀態，以製作出P型氮化鎵閘極加強型AlGaN/GaN高速電子遷移率電晶體、P型氮化鎵陽極AlGaN/GaN蕭特基位障二極體或混合型元件。

简体摘要： 本发明系关于一种Ga-face III族/氮化物磊晶结构及其主动组件与其制作方法。在此Ga face之AlGaN/GaN磊晶结构包含有一基底；一位于基底上之i-GaN(C-doped)层；一位于i-GaN(C-doped)层上之i-Al(y)GaN缓冲层；一位于i-Al(y)GaN缓冲层上之i-GaN Channel层；以及一位于i-GaN Channel层上之i-Al(x) GaN层，其中该X=0.1-0.3，该y=0.05-0.75。在组件设计上借由P-GaN倒置梯型闸极或阳极结构使Ga-face III族/氮化物磊晶结构内之2DEG在P-GaN倒置梯型结构下方处能呈现空乏状态，以制作出P型氮化镓闸极加强型AlGaN/GaN高速电子迁移率晶体管、P型氮化镓阳极AlGaN/GaN萧特基位障二极管或混合型组件。

公开(公告)号：TWI572034B

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：TW104109854

申请日：2015-03-26

申请人： 江文章

发明人： 江文章

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/8236 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3185 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

公开(公告)号：TW201635524A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW104109854

申请日：2015-03-26

申请人： 江文章

发明人： 江文章

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/8236 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3185 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

摘要： 本發明係揭露一種III族/氮化物之半導體元件，其包含：基板；一緩衝層，設置於基板上；一半導體堆疊結構，半導體堆疊結構設置於緩衝層上，半導體堆疊結構之上具有閘極、源極與汲極，且閘極與半導體堆疊結構間具有閘極絕緣層，形成一高速電子遷移電晶體；以及一鈍化膜，覆蓋高速電子遷移電晶體，鈍化膜具有複數開口，該鈍化膜之材料係氮氧化矽。

简体摘要： 本发明系揭露一种III族/氮化物之半导体组件，其包含：基板；一缓冲层，设置于基板上；一半导体堆栈结构，半导体堆栈结构设置于缓冲层上，半导体堆栈结构之上具有闸极、源极与汲极，且闸极与半导体堆栈结构间具有闸极绝缘层，形成一高速电子迁移晶体管；以及一钝化膜，覆盖高速电子迁移晶体管，钝化膜具有复数开口，该钝化膜之材料系氮氧化硅。

公开(公告)号：TW201316997A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：TW100138736

申请日：2011-10-25

申请人： 江文章

发明人： 江文章 ,  郭悅雄 ,  林雲蓮 ,  鍾成沛

IPC分类号： A61K36/00 ,  A61P35/00

摘要： 本發明係提供一種於一個體中治療胃潰瘍及/或胃癌之方法，其包含施予該個體有效量之去殼薏苡子之醇萃取物。較佳地，去殼薏苡子之醇萃取物之乙酸乙酯分液具有較佳之治療胃潰瘍及/或胃癌之效果。

简体摘要： 本发明系提供一种于一个体中治疗胃溃疡及/或胃癌之方法，其包含施予该个体有效量之去壳薏苡子之醇萃取物。较佳地，去壳薏苡子之醇萃取物之乙酸乙酯分液具有较佳之治疗胃溃疡及/或胃癌之效果。

公开(公告)号：TW202887S

公开(公告)日：1993-03-21

申请号：TW081308747

申请日：1992-11-18

申请人： 江文章

设计人： 江文章

摘要： 本創作係有關於一種氣派型沙發之嶄新外形設計。
敬請參閱第１～７圖所示，本創作之沙發椅背之頭靠及兩邊設計新穎特殊，且以人工力學之原理而設計，讓消費者坐的更舒適；再加上手靠及坐墊兩邊優美特異____造形設計，再配上整體之優美流線型條紋之設計，整體造型完全呈現高貴氣派、王者風範之風格，深具美感，諧調之配置，比起 鈞局所核准之申請案號第80300939號（請參閱附件１）及申請案號第80300940號（請參閱附件２），更具高貴典雅，相信更能剌激消費者之購買慾。
按「凡對於物品之形狀、花紋、色彩首先創作，適於美感之新式樣者得依法申請專利」專利法第一百十一條著有明文，爰依法申請新式樣專利，敬請 鈞局 貴審查委員准予本案新式樣專利，以鼓勵創作人再創作，至為感禱。

简体摘要： 本创作系有关于一种气派型沙发之崭新外形设计。 敬请参阅第１～７图所示，本创作之沙发椅背之头靠及两边设计新颖特殊，且以人工力学之原理而设计，让消费者坐的更舒适；再加上手靠及坐垫两边优美特异____造形设计，再配上整体之优美流线型条纹之设计，整体造型完全呈现高贵气派、王者风范之风格，深具美感，谐调之配置，比起 钧局所核准之申请案号第80300939号（请参阅附件１）及申请案号第80300940号（请参阅附件２），更具高贵典雅，相信更能剌激消费者之购买欲。 按“凡对于物品之形状、花纹、色彩首先创作，适于美感之新式样者得依法申请专利”专利法第一百十一条着有明文，爰依法申请新式样专利，敬请 钧局 贵审查委员准予本案新式样专利，以鼓励创作人再创作，至为感祷。