Cu-Ga合金圓筒型濺鍍靶及Cu-Ga合金圓筒型鑄塊
    3.
    发明专利
    Cu-Ga合金圓筒型濺鍍靶及Cu-Ga合金圓筒型鑄塊 审中-公开
    Cu-Ga合金圆筒型溅镀靶及Cu-Ga合金圆筒型铸块

    公开(公告)号:TW201615871A

    公开(公告)日:2016-05-01

    申请号:TW104123554

    申请日:2015-07-21

    CPC classification number: B22D11/00 C22C9/00 C23C14/34

    Abstract: 本發明係一種Cu-Ga合金圓筒型濺鍍靶及Cu-Ga合金圓筒型鑄塊,其中,係構成沿著軸線(O)而延伸存在之圓筒狀的Cu-Ga合金圓筒型濺鍍靶,在18原子%以上35原子%以下的範圍內而含有Ga,而殘留部則由Cu及不可避不純物所成,在對於軸線(O)而言正交之剖面之同一圓周上之Ga濃度的測定值的差則作為1.0原子%以內之同時,算出在剖面之Ga濃度的平均值,而在前述軸線方向之複數之前述剖面,各加以算出之Ga濃度的平均值的差則作為1.5原子%以下之範圍內者。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种Cu-Ga合金圆筒型溅镀靶及Cu-Ga合金圆筒型铸块,其中,系构成沿着轴线(O)而延伸存在之圆筒状的Cu-Ga合金圆筒型溅镀靶,在18原子%以上35原子%以下的范围内而含有Ga,而残留部则由Cu及不可避不纯物所成,在对于轴线(O)而言正交之剖面之同一圆周上之Ga浓度的测定值的差则作为1.0原子%以内之同时,算出在剖面之Ga浓度的平均值,而在前述轴线方向之复数之前述剖面,各加以算出之Ga浓度的平均值的差则作为1.5原子%以下之范围内者。

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