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    非揮發性半導體記憶裝置
    3.
    发明专利
    非揮發性半導體記憶裝置 审中-公开
    非挥发性半导体记忆设备

    公开(公告)号：TW201603246A

    公开(公告)日：2016-01-16

    申请号：TW104112652

    申请日：2015-04-20

    申请人： 芙洛提亞股份有限公司 ,  FLOADIA CORPORATION

    发明人： 品川裕 ,  SHINAGAWA, YUTAKA ,  葛西秀男 ,  KASAI, HIDEO ,  川島泰彥 ,  KAWASHIMA, YASUHIKO ,  櫻井良多郎 ,  SAKURAI, RYOTARO ,  谷口泰弘 ,  TANIGUCHI, YASUHIRO

    IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

    CPC分类号： G11C14/0063 ,  G11C16/0441 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11558 ,  H01L29/42328

    摘要： 本發明之目的在於提供一種亦可混載於電路構造微細化之接合耐壓較低之電路元件之非揮發性半導體記憶裝置。 於記憶單元1a中，第1深井DW1及第2深井DW2未相互限制，對於第1深井DW1及第2深井DW2，可將第1井W1之電容電晶體3a、3b、或第2井W2之寫入電晶體4a、4b之動作所需之電壓分別個別地施加於第1深井DW1及第2深井DW2。藉此，於記憶單元1a中，因可使第1深井DW1與第1井W1之電壓差、或第2深井DW2與第2井W2之電壓差小於產生穿隧效應之電壓差(18[V])，故依此可減小第1深井DW1及第1井W1間之接合電壓、或第2深井DW2及第2井W2間之接合電壓，如此亦可混載於電路構造微細化之接合耐壓較低之電路元件。

    简体摘要： 本发明之目的在于提供一种亦可混载于电路构造微细化之接合耐压较低之电路组件之非挥发性半导体记忆设备。 于记忆单元1a中，第1深井DW1及第2深井DW2未相互限制，对于第1深井DW1及第2深井DW2，可将第1井W1之电容晶体管3a、3b、或第2井W2之写入晶体管4a、4b之动作所需之电压分别个别地施加于第1深井DW1及第2深井DW2。借此，于记忆单元1a中，因可使第1深井DW1与第1井W1之电压差、或第2深井DW2与第2井W2之电压差小于产生穿隧效应之电压差(18[V])，故依此可减小第1深井DW1及第1井W1间之接合电压、或第2深井DW2及第2井W2间之接合电压，如此亦可混载于电路构造微细化之接合耐压较低之电路组件。

    半導體裝置
    5.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201526249A

    公开(公告)日：2015-07-01

    申请号：TW103142908

    申请日：2014-12-09

    申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

    发明人： 山越英明 ,  YAMAKOSHI, HIDEAKI ,  岡田大介 ,  OKADA, DAISUKE

    IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L29/788 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/02 ,  G11C16/04

    CPC分类号： H01L27/11524 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/0441 ,  G11C16/10 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11531 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42328

    摘要： 本發明之目的係提高半導體裝置之性能。 本發明之半導體裝置包含快閃記憶體之記憶體胞MC1；該記憶體胞MC1具有：資料寫入及抹除用電容元件CWE，其係將浮動閘極電極FG之一部分設為閘極電極；及資料讀出用MISFETQR，其係將該浮動閘極電極FG之另一部分設為閘極電極。資料寫入及抹除用電容元件CWE之p型半導體區域11及n型半導體區域12之導電型，係彼此相反之導電型。此外，資料寫入及抹除用電容元件CWE之浮動閘極電極FG之閘極長度方向之長度LNwe，小於資料讀出用MISFETQR之浮動閘極電極FG之閘極長度方向之長度LNr。

    简体摘要： 本发明之目的系提高半导体设备之性能。 本发明之半导体设备包含闪存之内存胞MC1；该内存胞MC1具有：数据写入及抹除用电容组件CWE，其系将浮动闸极电极FG之一部分设为闸极电极；及数据读出用MISFETQR，其系将该浮动闸极电极FG之另一部分设为闸极电极。数据写入及抹除用电容组件CWE之p型半导体区域11及n型半导体区域12之导电型，系彼此相反之导电型。此外，数据写入及抹除用电容组件CWE之浮动闸极电极FG之闸极长度方向之长度LNwe，小于数据读出用MISFETQR之浮动闸极电极FG之闸极长度方向之长度LNr。

    使用非揮發性記憶單元的方法 METHOD OF USING A NONVOLATILE MEMORY CELL
    6.
    发明专利
    使用非揮發性記憶單元的方法 METHOD OF USING A NONVOLATILE MEMORY CELL 审中-公开
    使用非挥发性记忆单元的方法 METHOD OF USING A NONVOLATILE MEMORY CELL

    公开(公告)号：TW201212032A

    公开(公告)日：2012-03-16

    申请号：TW100114974

    申请日：2011-04-28

    申请人： 半導體組件工業公司

    发明人： 姚 泰瑞 卡非 賀夫 ,  史考特 葛瑞格 詹姆士

    IPC分类号： G11C ,  H01L

    CPC分类号： G11C16/0441

    摘要： 電子裝置可包括非揮發性記憶單元。在特定的實施方式中，在抹除脈衝期間，所有未選中的線是在大體上相同的電壓，而且列或部分列，例如字，在抹除脈衝期間被抹除。在另一個實施方式中，選中的控制閘極和抹除線在編程脈衝期間是在大體上相同的電壓。在另外的實施方式中，電荷載流子在編程脈衝期間穿過元件的電介質層，而且電荷載流子在抹除脈衝期間穿過不同元件的不同電介質層。

    简体摘要： 电子设备可包括非挥发性记忆单元。在特定的实施方式中，在抹除脉冲期间，所有未选中的线是在大体上相同的电压，而且列或部分列，例如字，在抹除脉冲期间被抹除。在另一个实施方式中，选中的控制闸极和抹除线在编程脉冲期间是在大体上相同的电压。在另外的实施方式中，电荷载流子在编程脉冲期间穿过组件的电介质层，而且电荷载流子在抹除脉冲期间穿过不同组件的不同电介质层。

    半導體裝置
    7.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201133803A

    公开(公告)日：2011-10-01

    申请号：TW100108415

    申请日：2011-03-11

    申请人： 瑞薩電子股份有限公司

    发明人： 山越英明 ,  岡保志 ,  岡田大介

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： G11C16/0441 ,  G11C5/06 ,  G11C16/0433 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521

    摘要： 本發明公開了一種半導體裝置。在半導體基板之主面上將由具有浮置閘電極FG之存儲電晶體和與前述存儲電晶體串聯之控制電晶體構成之複數個記憶胞呈陣列狀排列在X方向和Y方向上。將按X方向排列之記憶胞中之存儲電晶體之汲極區域彼此連接之位元佈線M1B設在形成於半導體基板上之多層佈線構造中最下層之佈線層上,以使前述位元佈線M1B覆蓋整個浮置閘電極FG。由此,可提高具有非揮發性記憶體之半導體裝置之性能,或提高半導體裝置之可靠性。或者,在提高半導體裝置性能之同時,又可提高半導體裝置之可靠性。

    简体摘要： 本发明公开了一种半导体设备。在半导体基板之主面上将由具有浮置闸电极FG之存储晶体管和与前述存储晶体管串联之控制晶体管构成之复数个记忆胞呈数组状排列在X方向和Y方向上。将按X方向排列之记忆胞中之存储晶体管之汲极区域彼此连接之比特布线M1B设在形成于半导体基板上之多层布线构造中最下层之布线层上,以使前述比特布线M1B覆盖整个浮置闸电极FG。由此,可提高具有非挥发性内存之半导体设备之性能,或提高半导体设备之可靠性。或者,在提高半导体设备性能之同时,又可提高半导体设备之可靠性。

    包括非揮發性記憶體單元之電路及電子裝置，以及形成電子裝置之方法 CIRCUIT FOR AND AN ELECTRONIC DEVICE INCLUDING A NONVOLATILE MEMORY CELL AND A PROCESS OF FORMING THE ELECTRONIC DEVICE
    8.
    发明专利
    包括非揮發性記憶體單元之電路及電子裝置，以及形成電子裝置之方法 CIRCUIT FOR AND AN ELECTRONIC DEVICE INCLUDING A NONVOLATILE MEMORY CELL AND A PROCESS OF FORMING THE ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
    包括非挥发性内存单元之电路及电子设备，以及形成电子设备之方法 CIRCUIT FOR AND AN ELECTRONIC DEVICE INCLUDING A NONVOLATILE MEMORY CELL AND A PROCESS OF FORMING THE ELECTRONIC DEVICE

    公开(公告)号：TW200949835A

    公开(公告)日：2009-12-01

    申请号：TW098109788

    申请日：2009-03-25

    申请人： 飛思卡爾半導體公司

    发明人： 陳偉自 ,  帕里斯 派翠斯M

    IPC分类号： G11C

    CPC分类号： G11C16/0441 ,  G11C16/10 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521

    摘要： 本發明揭示一種用於非揮發性記憶體單元(10、20、30、40、50、60、70、80、90、100)之電路，其能包括一電荷變換端子(102、202、302、402、502、602、702、802、902、1002)以及一輸出端子(108、208、308、408、508、608、708、808、908、1008)。該電路亦能包括具有電性浮動的一閘極電極以及包括一載流電極的一作用區之一第一電晶體(11、21、31、41、51、61、71、81、91、1021)，其中該載流電極係耦合至該輸出端子。該電路能進一步包括具有一第一電極及第二電極之一第二電晶體(12、22、32、42、52、62、72、82、92、1002)，其中該第一電極係耦合至該第一電晶體之該閘極電極，而且該第二電極係耦合至該電荷變換端子。當改變該記憶體單元的狀態時，該第二電晶體能係作用中而且在該第一電晶極的該閘極電極與該第一電晶體的該作用區之間不傳輸明顯數量的電荷載子。其他具體實施例能包括該電子裝置本身以及形成該電子裝置之方法。

    简体摘要： 本发明揭示一种用于非挥发性内存单元(10、20、30、40、50、60、70、80、90、100)之电路，其能包括一电荷变换端子(102、202、302、402、502、602、702、802、902、1002)以及一输出端子(108、208、308、408、508、608、708、808、908、1008)。该电路亦能包括具有电性浮动的一闸极电极以及包括一载流电极的一作用区之一第一晶体管(11、21、31、41、51、61、71、81、91、1021)，其中该载流电极系耦合至该输出端子。该电路能进一步包括具有一第一电极及第二电极之一第二晶体管(12、22、32、42、52、62、72、82、92、1002)，其中该第一电极系耦合至该第一晶体管之该闸极电极，而且该第二电极系耦合至该电荷变换端子。当改变该内存单元的状态时，该第二晶体管能系作用中而且在该第一电晶极的该闸极电极与该第一晶体管的该作用区之间不传输明显数量的电荷载子。其他具体实施例能包括该电子设备本身以及形成该电子设备之方法。

    單層複晶矽非揮發性記憶體 SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY
    9.
    发明专利
    單層複晶矽非揮發性記憶體 SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY 有权
    单层复晶硅非挥发性内存 SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY

    公开(公告)号：TWI293506B

    公开(公告)日：2008-02-11

    申请号：TW094108028

    申请日：2005-03-16

    申请人： 力旺電子股份有限公司 EMEMORY TECHNOLOGY INC.

    发明人： 陳信銘 CHEN, HSIN MING ,  王世辰 WANG, SHIH CHEN ,  蔡宏平 TSAI, HONG PING

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： G11C16/0441 ,  H01L27/115

    摘要： 本發明提供一種新型非揮發性記憶體單元，包含有一第一選擇電晶體，包括選擇閘極、汲極、源極，以及介於汲極與源極之間的第一通道區域，其中一源極線電連接該第一選擇電晶體的該源極；一第一浮置閘極電晶體，包括汲極、與前述的第一選擇電晶體的汲極耦合連結的源極、介於該第一浮置閘極電晶體的汲極與源極之間的第二通道區域，以及設於該第二通道區域上的浮置閘極；一第二選擇電晶體，包括前述的選擇閘極、汲極、源極，以及介於該第二選擇電晶體的汲極與源極之間的第三通道區域，其中該第二選擇電晶體的源極同樣電連接至前述的源極線；以及一第二浮置閘極電晶體，包括汲極、與前述的第二選擇電晶體的汲極耦合連結的源極、介於該第二浮置閘極電晶體的汲極與源極之間的第四通道區域，以及前述的浮置閘極，設於該第四通道區域上。

    简体摘要： 本发明提供一种新型非挥发性内存单元，包含有一第一选择晶体管，包括选择闸极、汲极、源极，以及介于汲极与源极之间的第一信道区域，其中一源极线电连接该第一选择晶体管的该源极；一第一浮置闸极晶体管，包括汲极、与前述的第一选择晶体管的汲极耦合链接的源极、介于该第一浮置闸极晶体管的汲极与源极之间的第二信道区域，以及设于该第二信道区域上的浮置闸极；一第二选择晶体管，包括前述的选择闸极、汲极、源极，以及介于该第二选择晶体管的汲极与源极之间的第三信道区域，其中该第二选择晶体管的源极同样电连接至前述的源极线；以及一第二浮置闸极晶体管，包括汲极、与前述的第二选择晶体管的汲极耦合链接的源极、介于该第二浮置闸极晶体管的汲极与源极之间的第四信道区域，以及前述的浮置闸极，设于该第四信道区域上。