公开(公告)号：TW201034087A

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：TW098136007

申请日：2009-10-23

申请人： 半導體組件工業公司

发明人： 羅格 古伊塔 賈伍美 ,  莫恩斯 彼德 ,  塔克 馬尼斯

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/41766 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/7809

摘要： 一種電子裝置可以包括具有主表面的第一層、鄰近主表面的井區以及與主表面和井區都隔開的內埋摻雜區。電子裝置還可以包括朝內埋摻雜區延伸的溝槽，其中，溝槽具有側壁和沿著溝槽的側壁的側壁摻雜區，其中，側壁摻雜區延伸的深度比井區深。第一層和內埋區具有第一導電類型，而井區具有與第一導電類型相反的第二導電類型。電子裝置可以包括溝槽內的傳導結構，其中，傳導結構電連接至內埋摻雜區，並與側壁摻雜區電絕緣。還描述了一種用於形成該電子裝置的方法。

简体摘要： 一种电子设备可以包括具有主表面的第一层、邻近主表面的井区以及与主表面和井区都隔开的内埋掺杂区。电子设备还可以包括朝内埋掺杂区延伸的沟槽，其中，沟槽具有侧壁和沿着沟槽的侧壁的侧壁掺杂区，其中，侧壁掺杂区延伸的深度比井区深。第一层和内埋区具有第一导电类型，而井区具有与第一导电类型相反的第二导电类型。电子设备可以包括沟槽内的传导结构，其中，传导结构电连接至内埋掺杂区，并与侧壁掺杂区电绝缘。还描述了一种用于形成该电子设备的方法。

公开(公告)号：TWI479575B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：TW098136007

申请日：2009-10-23

申请人： 半導體組件工業公司 ,  SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C.

发明人： 羅格 古伊塔 賈伍美 ,  ROIG-GUITART, JAUME ,  莫恩斯 彼德 ,  MOENS, PETER ,  塔克 馬尼斯 ,  TACK, MARNIX

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/41766 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/7809