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公开(公告)号：TW201303877A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101112258
申请日：2012-04-06
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 小林英智 , KOBAYASHI, HIDETOMO , 遠藤正己 , ENDO, MASAMI , 鹽野入豐 , SHIONOIRI, YUTAKA , 傳保洋樹 , DEMBO, HIROKI , 西島辰司 , NISHIJIMA, TATSUJI , 大島和晃 , OHSHIMA, KAZUAKI , 米田誠一 , YONEDA, SEIICHI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC: G11C16/20
CPC classification number: H03K19/17796 , G11C16/0433 , H01L27/11803 , H01L27/1203
Abstract: 本發明提供一種低電力可程式化LSI，其可執行動態組態。該可程式化LSI包括複數邏輯元件。該複數邏輯元件各包括組態記憶體。每一該複數邏輯元件根據儲存於該組態記憶體中之該組態資料而執行不同算術處理，並改變該邏輯元件之間之電連接。該組態記憶體包括一組揮發性儲存電路及非揮發性儲存電路。該非揮發性儲存電路包括電晶體，其通道係形成於氧化物半導體層中，以及電容器，其一對電極之一電連接至當該電晶體關閉時設定處於浮動狀態之節點。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种低电力可进程化LSI，其可运行动态组态。该可进程化LSI包括复数逻辑组件。该复数逻辑组件各包括组态内存。每一该复数逻辑组件根据存储于该组态内存中之该组态数据而运行不同算术处理，并改变该逻辑组件之间之电连接。该组态内存包括一组挥发性存储电路及非挥发性存储电路。该非挥发性存储电路包括晶体管，其信道系形成于氧化物半导体层中，以及电容器，其一对电极之一电连接至当该晶体管关闭时设置处于浮动状态之节点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI430180B
公开(公告)日：2014-03-11
申请号：TW096123573
申请日：2007-06-28
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 黑川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI , 池田隆之 , IKEDA, TAKAYUKI , 遠藤正己 , ENDO, MASAMI , 傳保洋樹 , DEMBO, HIROKI , 河江大輔 , KAWAE, DAISUKE , 井上卓之 , INOUE, TAKAYUKI
CPC classification number: G06K19/07749
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公开(公告)号：TWI562289B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW101118193
申请日：2012-05-22
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 米田誠一 , YONEDA, SEIICHI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 鹽野入豐 , SHIONOIRI, YUTAKA , 遠藤正己 , ENDO, MASAMI , 傳保洋樹 , DEMBO, HIROKI , 西島辰司 , NISHIJIMA, TATSUJI , 小林英智 , KOBAYASHI, HIDETOMO , 大島和晃 , OHSHIMA, KAZUAKI
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H03K19/173 , G06F1/3243 , G06F3/0679 , H03K19/17772 , Y02D10/152
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公开(公告)号：TWI400800B
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW095144851
申请日：2006-12-01
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 傳保洋樹 , DEMBO, HIROKI , 熱海知昭 , ATSUMI, TOMOAKI
CPC classification number: G06K7/0008 , G06K7/10029 , G06K19/0723 , H01L27/092 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/13
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公开(公告)号：TWI562155B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW101112258
申请日：2012-04-06
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 小林英智 , KOBAYASHI, HIDETOMO , 遠藤正己 , ENDO, MASAMI , 鹽野入豐 , SHIONOIRI, YUTAKA , 傳保洋樹 , DEMBO, HIROKI , 西島辰司 , NISHIJIMA, TATSUJI , 大島和晃 , OHSHIMA, KAZUAKI , 米田誠一 , YONEDA, SEIICHI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC: G11C16/20
CPC classification number: H03K19/17796 , G11C16/0433 , H01L27/11803 , H01L27/1203
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公开(公告)号：TW201312705A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101118193
申请日：2012-05-22
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 米田誠一 , YONEDA, SEIICHI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 鹽野入豐 , SHIONOIRI, YUTAKA , 遠藤正己 , ENDO, MASAMI , 傳保洋樹 , DEMBO, HIROKI , 西島辰司 , NISHIJIMA, TATSUJI , 小林英智 , KOBAYASHI, HIDETOMO , 大島和晃 , OHSHIMA, KAZUAKI
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H03K19/173 , G06F1/3243 , G06F3/0679 , H03K19/17772 , Y02D10/152
Abstract: 一目標在於提出一種配置以即使於停止電源電壓期間仍保持邏輯電路之連接狀態的可程式化邏輯元件。可程式化邏輯元件包括算術電路，其各者的邏輯狀態可被改變、一改變算術電路之邏輯狀態的組態改變電路、一控制供應電源電壓至算術電路的電源控制電路、一狀態記憶體電路，其儲存關於邏輯狀態的資料與關於算術電路之電源電壓之狀態的資料、以及一算術狀態控制電路，其依照儲存在狀態記憶體電路中的資料來控制組態改變電路與電源控制電路。在組態改變電路與每個算術電路之間設置一在氧化物半導體層中形成通道形成區的電晶體。
Abstract in simplified Chinese: 一目标在于提出一种配置以即使于停止电源电压期间仍保持逻辑电路之连接状态的可进程化逻辑组件。可进程化逻辑组件包括算术电路，其各者的逻辑状态可被改变、一改变算术电路之逻辑状态的组态改变电路、一控制供应电源电压至算术电路的电源控制电路、一状态内存电路，其存储关于逻辑状态的数据与关于算术电路之电源电压之状态的数据、以及一算术状态控制电路，其依照存储在状态内存电路中的数据来控制组态改变电路与电源控制电路。在组态改变电路与每个算术电路之间设置一在氧化物半导体层中形成信道形成区的晶体管。
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