利索-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

15 records (took 0.023 seconds)

    半導體裝置
    2.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201312730A

    公开(公告)日：2013-03-16

    申请号：TW101117384

    申请日：2012-05-16

    Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 大島和晃 ,  OHSHIMA, KAZUAKI

    IPC: H01L27/04

    CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/092 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1203 ,  H03K19/0013 ,  H03K19/1776 ,  H03K19/17772

    Abstract: 本發明提出一種具有新穎結構的半導體裝置。半導體裝置包括一第一p型電晶體、一第二n型電晶體、一第三電晶體、及一第四電晶體。第三電晶體之源極和汲極之其一者係連接供應第一電位之佈線，且另一者係連接第一電晶體之源極和汲極之其一者。第二電晶體之源極和汲極之其一者係連接第一電晶體之源極和汲極之另一者，且另一者係連接第四電晶體之源極和汲極之其一者。第四電晶體之源極和汲極之另一者係連接一供應低於第一電位之第二電位的佈線。在第三電晶體和第四電晶體之通道形成區中係使用一氧化物半導體材料。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提出一种具有新颖结构的半导体设备。半导体设备包括一第一p型晶体管、一第二n型晶体管、一第三晶体管、及一第四晶体管。第三晶体管之源极和汲极之其一者系连接供应第一电位之布线，且另一者系连接第一晶体管之源极和汲极之其一者。第二晶体管之源极和汲极之其一者系连接第一晶体管之源极和汲极之另一者，且另一者系连接第四晶体管之源极和汲极之其一者。第四晶体管之源极和汲极之另一者系连接一供应低于第一电位之第二电位的布线。在第三晶体管和第四晶体管之信道形成区中系使用一氧化物半导体材料。

    半導體裝置
    3.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201308338A

    公开(公告)日：2013-02-16

    申请号：TW101116522

    申请日：2012-05-09

    Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 大島和晃 ,  OHSHIMA, KAZUAKI ,  小林英智 ,  KOBAYASHI, HIDETOMO

    IPC: G11C16/06

    CPC classification number: G11C11/005 ,  G11C11/404 ,  G11C14/0009 ,  G11C19/287 ,  H01L27/1225

    Abstract: 本發明提供能在所欲之時序存取及重寫入資料的半導體裝置。半導體裝置包含暫存器電路、位元線、及資料線。暫存器電路包含正反器電路、選擇電路、及透過該選擇電路而電性連接至該正反器電路的非揮發性記憶體電路。資料線係電性連接至該正反器電路。位元線係透過該選擇電路而電性連接至該非揮發性記憶體電路。該選擇電路選擇性地儲存根據該資料線的電位或該位元線的電位之資料於該非揮發性記憶體電路中。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供能在所欲之时序存取及重写入数据的半导体设备。半导体设备包含寄存器电路、比特线、及数据线。寄存器电路包含正反器电路、选择电路、及透过该选择电路而电性连接至该正反器电路的非挥发性内存电路。数据线系电性连接至该正反器电路。比特线系透过该选择电路而电性连接至该非挥发性内存电路。该选择电路选择性地存储根据该数据线的电位或该比特线的电位之数据于该非挥发性内存电路中。

    半導體電路及其驅動方法，儲存裝置，暫存器電路，顯示裝置，及電子裝置
    7.
    发明专利
    半導體電路及其驅動方法，儲存裝置，暫存器電路，顯示裝置，及電子裝置 审中-公开
    半导体电路及其驱动方法，存储设备，寄存器电路，显示设备，及电子设备

    公开(公告)号：TW201727765A

    公开(公告)日：2017-08-01

    申请号：TW106105950

    申请日：2011-12-20

    Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 遠藤正己 ,  ENDO, MASAMI ,  大島和晃 ,  OHSHIMA, KAZUAKI

    IPC: H01L21/336 ,  H01L27/085 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L27/1225 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/043 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2320/0214 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/40 ,  H01L29/7869

    Abstract: 本發明揭露一種能夠在最佳位準控制與固持電晶體之臨界電壓的半導體電路及其驅動方法。亦可提供一種儲存裝置、一種顯示裝置或者一種包括半導體電路的電子裝置。該半導體電路包含一二極體以及被提供在一節點的一第一電容器，欲被控制的電晶體係經由其背部閘極而被連接到該節點。本結構允許希望電壓之施加到背部閘極，以致於該電晶體的臨界電壓能夠被控制在最佳位準，且可維持一長時間。與二極體平行連接的第二電容器可被隨意地提供，以致於該節點的電壓能夠被暫時改變。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种能够在最佳位准控制与固持晶体管之临界电压的半导体电路及其驱动方法。亦可提供一种存储设备、一种显示设备或者一种包括半导体电路的电子设备。该半导体电路包含一二极管以及被提供在一节点的一第一电容器，欲被控制的晶体管系经由其背部闸极而被连接到该节点。本结构允许希望电压之施加到背部闸极，以致于该晶体管的临界电压能够被控制在最佳位准，且可维持一长时间。与二极管平行连接的第二电容器可被随意地提供，以致于该节点的电压能够被暂时改变。

    半導體電路及其驅動方法，儲存裝置，暫存器電路，顯示裝置，及電子裝置
    8.
    发明专利
    半導體電路及其驅動方法，儲存裝置，暫存器電路，顯示裝置，及電子裝置 审中-公开
    半导体电路及其驱动方法，存储设备，寄存器电路，显示设备，及电子设备

    公开(公告)号：TW201640587A

    公开(公告)日：2016-11-16

    申请号：TW105110326

    申请日：2011-12-20

    Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 遠藤正己 ,  ENDO, MASAMI ,  大島和晃 ,  OHSHIMA, KAZUAKI

    IPC: H01L21/336 ,  H01L27/085 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L27/1225 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/043 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2320/0214 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/40 ,  H01L29/7869

    Abstract: 本發明揭露一種能夠在最佳位準控制與固持電晶體之臨界電壓的半導體電路及其驅動方法。亦可提供一種儲存裝置、一種顯示裝置或者一種包括半導體電路的電子裝置。該半導體電路包含一二極體以及被提供在一節點的一第一電容器，欲被控制的電晶體係經由其背部閘極而被連接到該節點。本結構允許希望電壓之施加到背部閘極，以致於該電晶體的臨界電壓能夠被控制在最佳位準，且可維持一長時間。與二極體平行連接的第二電容器可被隨意地提供，以致於該節點的電壓能夠被暫時改變。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种能够在最佳位准控制与固持晶体管之临界电压的半导体电路及其驱动方法。亦可提供一种存储设备、一种显示设备或者一种包括半导体电路的电子设备。该半导体电路包含一二极管以及被提供在一节点的一第一电容器，欲被控制的晶体管系经由其背部闸极而被连接到该节点。本结构允许希望电压之施加到背部闸极，以致于该晶体管的临界电压能够被控制在最佳位准，且可维持一长时间。与二极管平行连接的第二电容器可被随意地提供，以致于该节点的电压能够被暂时改变。

Patent Agency Ranking