公开(公告)号：TW201431089A

公开(公告)日：2014-08-01

申请号：TW102147521

申请日：2013-12-20

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  高橋正弘 ,  TAKAHASHI, MASAHIRO ,  廣橋拓也 ,  HIROHASHI, TAKUYA ,  津吹将志 ,  TSUBUKO, MASASHI ,  太田将志 ,  OOTA, MASASHI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： 本發明的目的是提供一種使用氧化物半導體的高可靠性半導體裝置。一種半導體裝置，包括：氧化物半導體層；與氧化物半導體層接觸的絕緣層；與氧化物半導體層重疊的閘極電極層；以及與氧化物半導體層電連接的源極電極層及汲極電極層，其中，該氧化物半導體層包括：含有其尺寸為10nm以下的結晶的第一區域；以及隔著該第一區域與該絕緣層重疊且含有其c軸配向為平行於該氧化物半導體層表面的法線向量的結晶部的第二區域。

简体摘要： 本发明的目的是提供一种使用氧化物半导体的高可靠性半导体设备。一种半导体设备，包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的绝缘层；与氧化物半导体层重叠的闸极电极层；以及与氧化物半导体层电连接的源极电极层及汲极电极层，其中，该氧化物半导体层包括：含有其尺寸为10nm以下的结晶的第一区域；以及隔着该第一区域与该绝缘层重叠且含有其c轴配向为平行于该氧化物半导体层表面的法线矢量的结晶部的第二区域。

公开(公告)号：TWI613818B

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW102147521

申请日：2013-12-20

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  高橋正弘 ,  TAKAHASHI, MASAHIRO ,  廣橋拓也 ,  HIROHASHI, TAKUYA ,  津吹将志 ,  TSUBUKO, MASASHI ,  太田将志 ,  OOTA, MASASHI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

公开(公告)号：TWI696294B

公开(公告)日：2020-06-11

申请号：TW108110325

申请日：2013-12-20

申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  高橋正弘 ,  TAKAHASHI, MASAHIRO ,  廣橋拓也 ,  HIROHASHI, TAKUYA ,  津吹将志 ,  TSUBUKO, MASASHI ,  太田将志 ,  OOTA, MASASHI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/205

公开(公告)号：TWI689101B

公开(公告)日：2020-03-21

申请号：TW106135626

申请日：2013-12-20

申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  高橋正弘 ,  TAKAHASHI, MASAHIRO ,  廣橋拓也 ,  HIROHASHI, TAKUYA ,  津吹将志 ,  TSUBUKO, MASASHI ,  太田将志 ,  OOTA, MASASHI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/205

公开(公告)号：TW201826542A

公开(公告)日：2018-07-16

申请号：TW106135626

申请日：2013-12-20

申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  高橋正弘 ,  TAKAHASHI, MASAHIRO ,  廣橋拓也 ,  HIROHASHI, TAKUYA ,  津吹将志 ,  TSUBUKO, MASASHI ,  太田将志 ,  OOTA, MASASHI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/205

摘要： 本發明的目的是提供一種使用氧化物半導體的高可靠性半導體裝置。一種半導體裝置，包括：氧化物半導體層；與氧化物半導體層接觸的絕緣層；與氧化物半導體層重疊的閘極電極層；以及與氧化物半導體層電連接的源極電極層及汲極電極層，其中，該氧化物半導體層包括：含有其尺寸為10nm以下的結晶的第一區域；以及隔著該第一區域與該絕緣層重疊且含有其c軸配向為平行於該氧化物半導體層表面的法線向量的結晶部的第二區域。

简体摘要： 本发明的目的是提供一种使用氧化物半导体的高可靠性半导体设备。一种半导体设备，包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的绝缘层；与氧化物半导体层重叠的闸极电极层；以及与氧化物半导体层电连接的源极电极层及汲极电极层，其中，该氧化物半导体层包括：含有其尺寸为10nm以下的结晶的第一区域；以及隔着该第一区域与该绝缘层重叠且含有其c轴配向为平行于该氧化物半导体层表面的法线矢量的结晶部的第二区域。