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公开(公告)号：TWI692109B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW107128489
申请日：2011-12-01
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 大原宏樹 , OHARA, HIROKI , 本田達也 , HONDA, TATSUYA , 小俁貴嗣 , OMATA, TAKATSUGU , 野中裕介 , NONAKA, YUSUKE , 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 宮永昭治 , MIYANAGA, AKIHARU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
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公开(公告)号：TW201842676A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107128489
申请日：2011-12-01
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 大原宏樹 , OHARA, HIROKI , 本田達也 , HONDA, TATSUYA , 小俁貴嗣 , OMATA, TAKATSUGU , 野中裕介 , NONAKA, YUSUKE , 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 宮永昭治 , MIYANAGA, AKIHARU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本文提出具有較穩定的導電性之氧化物半導體膜。此外，藉由使用該氧化物半導體膜來提供具有穩定電氣特性及高可靠性之半導體裝置。氧化物半導體膜包括結晶區域，且結晶區域包括其中a-b面與膜之一表面實質上平行且c軸與膜的該表面實質上垂直的晶體；氧化物半導體膜具有穩定導電性且相關於可見光、紫外線光、及之類的照射更電穩定。藉由使用這種氧化物半導體膜作為電晶體，可提供具有穩定電氣特性之高度可靠的半導體裝置。
简体摘要： 本文提出具有较稳定的导电性之氧化物半导体膜。此外，借由使用该氧化物半导体膜来提供具有稳定电气特性及高可靠性之半导体设备。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括其中a-b面与膜之一表面实质上平行且c轴与膜的该表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定导电性且相关于可见光、紫外线光、及之类的照射更电稳定。借由使用这种氧化物半导体膜作为晶体管，可提供具有稳定电气特性之高度可靠的半导体设备。
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公开(公告)号：TW201921753A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW108100088
申请日：2012-02-14
发明人： 下垣智子 , SHITAGAKI, SATOKO , 瀨尾哲史 , SEO, SATOSHI , 大澤信晴 , OHSAWA, NOBUHARU , 井上英子 , INOUE, HIDEKO , 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 鈴木邦彥 , SUZUKI, KUNIHIKO
摘要： 本發明提供一種具有高外部量子效率的發光元件或一種壽命長的發光元件。該發光元件包括介於一對電極間的發光層，該發光層包括客體材料及主體材料，其中該主體材料的發射光譜與該客體材料的吸收光譜重疊，且藉由轉化該主體材料的激發能量為該客體材料的激發能量以發射磷光。藉由利用該主體材料的發射光譜與該客體材料的吸收光譜的重疊，能量順利地自該主體材料轉移至該客體材料，致使該發光元件的能量轉移效率高。因而，可得具有高外部量子效率的發光元件。
简体摘要： 本发明提供一种具有高外部量子效率的发光组件或一种寿命长的发光组件。该发光组件包括介于一对电极间的发光层，该发光层包括客体材料及主体材料，其中该主体材料的发射光谱与该客体材料的吸收光谱重叠，且借由转化该主体材料的激发能量为该客体材料的激发能量以发射磷光。借由利用该主体材料的发射光谱与该客体材料的吸收光谱的重叠，能量顺利地自该主体材料转移至该客体材料，致使该发光组件的能量转移效率高。因而，可得具有高外部量子效率的发光组件。
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公开(公告)号：TWI649794B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW106129020
申请日：2013-10-30
发明人： 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 津吹将志 , TSUBUKU, MASASHI , 石原典 , ISHIHARA, NORITAKA , 太田将志 , OOTA, MASASHI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336
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公开(公告)号：TWI640475B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW105110306
申请日：2012-04-09
发明人： 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： C01G15/00 , C01G9/02 , H01L21/316 , H01L29/786
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公开(公告)号：TWI696294B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW108110325
申请日：2013-12-20
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 津吹将志 , TSUBUKO, MASASHI , 太田将志 , OOTA, MASASHI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/205
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公开(公告)号：TWI689101B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW106135626
申请日：2013-12-20
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 津吹将志 , TSUBUKO, MASASHI , 太田将志 , OOTA, MASASHI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/205
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公开(公告)号：TW201826542A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106135626
申请日：2013-12-20
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 津吹将志 , TSUBUKO, MASASHI , 太田将志 , OOTA, MASASHI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/205
摘要： 本發明的目的是提供一種使用氧化物半導體的高可靠性半導體裝置。一種半導體裝置，包括：氧化物半導體層；與氧化物半導體層接觸的絕緣層；與氧化物半導體層重疊的閘極電極層；以及與氧化物半導體層電連接的源極電極層及汲極電極層，其中，該氧化物半導體層包括：含有其尺寸為10nm以下的結晶的第一區域；以及隔著該第一區域與該絕緣層重疊且含有其c軸配向為平行於該氧化物半導體層表面的法線向量的結晶部的第二區域。
简体摘要： 本发明的目的是提供一种使用氧化物半导体的高可靠性半导体设备。一种半导体设备，包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的绝缘层；与氧化物半导体层重叠的闸极电极层；以及与氧化物半导体层电连接的源极电极层及汲极电极层，其中，该氧化物半导体层包括：含有其尺寸为10nm以下的结晶的第一区域；以及隔着该第一区域与该绝缘层重叠且含有其c轴配向为平行于该氧化物半导体层表面的法线矢量的结晶部的第二区域。
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公开(公告)号：TW201812874A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106129020
申请日：2013-10-30
发明人： 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 津吹将志 , TSUBUKU, MASASHI , 石原典 , ISHIHARA, NORITAKA , 太田将志 , OOTA, MASASHI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1225 , C23C14/086 , G01N23/207 , G02F1/1368 , H01L21/0237 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L22/12 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提供包含晶體部件及具有高度穩定物理性質的金屬氧化物膜。晶體部件的尺寸係小於或等於10奈米(nm)，其允許當測量區域係大於或等於5奈米(nm)且小於或等於10奈米(nm)時，在金屬氧化物膜之橫剖面的奈米射束電子繞射圖案中之周圍配置光點的觀察。
简体摘要： 提供包含晶体部件及具有高度稳定物理性质的金属氧化物膜。晶体部件的尺寸系小于或等于10奈米(nm)，其允许当测量区域系大于或等于5奈米(nm)且小于或等于10奈米(nm)时，在金属氧化物膜之横剖面的奈米射束电子绕射图案中之周围配置光点的观察。
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公开(公告)号：TWI691108B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW108100088
申请日：2012-02-14
发明人： 下垣智子 , SHITAGAKI, SATOKO , 瀨尾哲史 , SEO, SATOSHI , 大澤信晴 , OHSAWA, NOBUHARU , 井上英子 , INOUE, HIDEKO , 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 鈴木邦彥 , SUZUKI, KUNIHIKO
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