公开(公告)号：TWI341979B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：TW096115565

申请日：2007-05-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 傅宗民 ,  韓郁琪

IPC: G06F ,  H01L

CPC classification number: G06Q30/0283 ,  G06Q10/04

Abstract: 本發明提供一種方法以及系統，用於積體電路設計縮減的商業評估，用以預測可縮減良率。依據本發明之一實施例提供一個評估系統來判斷一積體電路晶片之一設計縮減的成本利益。藉由本發明，不同設計縮減技術間的成本利益分析將在製程的初期時得到，使得關於設計縮減使用的商業決策可儘早地決定。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种方法以及系统，用于集成电路设计缩减的商业评估，用以预测可缩减良率。依据本发明之一实施例提供一个评估系统来判断一集成电路芯片之一设计缩减的成本利益。借由本发明，不同设计缩减技术间的成本利益分析将在制程的初期时得到，使得关于设计缩减使用的商业决策可尽早地决定。

公开(公告)号：TWI315550B

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：TW095102190

申请日：2006-01-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 莊學理 ,  鄭光茗 ,  郭正誠 ,  楊穩儒 ,  林晃生 ,  韓郁琪

IPC: H01L ,  G03F

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  Y10S438/926

Abstract: 一種半導體元件的結構，包括：一基底；一隔離區，形成於基底；一主動區，形成於基底且鄰近隔離區，主動區具有一縱長；以及一輔助圖案，形成於隔離區上，輔助圖案具有一縱長，其中輔助區之縱長大於主動區之縱長，主動區是具有一對長邊及短邊之一矩形，矩形之長邊與主動區之間隔距離約小於1500nm，且與主動區之縱長大致平行。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件的结构，包括：一基底；一隔离区，形成于基底；一主动区，形成于基底且邻近隔离区，主动区具有一纵长；以及一辅助图案，形成于隔离区上，辅助图案具有一纵长，其中辅助区之纵长大于主动区之纵长，主动区是具有一对长边及短边之一矩形，矩形之长边与主动区之间隔距离约小于1500nm，且与主动区之纵长大致平行。