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1.发明专利光學近接修補模型之回歸系統及方法 REGRESSION SYSTEM AND METHODS FOR OPTICAL PROXIMITY CORRECTION MODELING 有权光学近接修补模型之回归系统及方法 REGRESSION SYSTEM AND METHODS FOR OPTICAL PROXIMITY CORRECTION MODELING
公开(公告)号：TWI326812B
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW095126991
申请日：2006-07-24
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
Abstract: 一種最佳化光學近接修補之模型化方法係包含接收一回歸方法之選擇，顯示回歸參數，接收所顯示之回歸參數的數值，接收一最佳化方法之選擇，顯示最佳化參數，接收所顯示之最佳化參數的數值，以及產生最佳化光學近接修補模型的輸出。
Abstract in simplified Chinese: 一种最优化光学近接修补之模型化方法系包含接收一回归方法之选择，显示回归参数，接收所显示之回归参数的数值，接收一最优化方法之选择，显示最优化参数，接收所显示之最优化参数的数值，以及产生最优化光学近接修补模型的输出。
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公开(公告)号：TWI524530B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW102144549
申请日：2013-12-05
Inventor： 莊學理 , CHUANG, HARRY HAK-LAY , 郭正誠 , KUO, CHENG CHENG , 劉繼文 , LIU, CHI WEN , 朱鳴 , ZHU, MING
CPC classification number: H01L29/66356 , H01L29/0657 , H01L29/7391
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公开(公告)号：TW201431081A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102144547
申请日：2013-12-05
Inventor： 莊學理 , CHUANG, HARRY HAK-LAY , 郭正誠 , KUO, CHENG CHENG , 劉繼文 , LIU, CHI WEN , 朱鳴 , ZHU, MING
IPC: H01L29/78 , H01L27/105
CPC classification number: H01L29/66666 , H01L29/0676 , H01L29/41775 , H01L29/66356 , H01L29/7391
Abstract: 本發明提供一種穿隧場效電晶體，包括：截頭圓錐形凸出結構，設於基底上並且凸出於基底的平面。汲極區，設於基底上，與截頭圓錐形凸出結構相鄰，並且延伸至截頭圓錐形凸出結構的底部成為隆起汲極區。閘極堆疊，設於基底上，此閘極堆疊具有平行於基底表面的平坦部份與包覆於截頭圓錐形凸出結構的中間部的閘極表面，此截頭圓錐形凸出結構的中間部包括與隆起汲極區重疊的部份。隔離介電層，設於閘極堆疊的平坦部份與汲極區之間。源極區，設於截頭圓錐形凸出結構的頂部，此截頭圓錐形凸出結構的頂部包括與閘極堆疊的閘極表面的頂部重疊的部份。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种穿隧场效应管，包括：截头圆锥形凸出结构，设于基底上并且凸出于基底的平面。汲极区，设于基底上，与截头圆锥形凸出结构相邻，并且延伸至截头圆锥形凸出结构的底部成为隆起汲极区。闸极堆栈，设于基底上，此闸极堆栈具有平行于基底表面的平坦部份与包覆于截头圆锥形凸出结构的中间部的闸极表面，此截头圆锥形凸出结构的中间部包括与隆起汲极区重叠的部份。隔离介电层，设于闸极堆栈的平坦部份与汲极区之间。源极区，设于截头圆锥形凸出结构的顶部，此截头圆锥形凸出结构的顶部包括与闸极堆栈的闸极表面的顶部重叠的部份。
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公开(公告)号：TWI393244B
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：TW098127817
申请日：2009-08-19
Inventor： 賴素貞 , LAI, SU CHEN , 吳明園 , WU, MING YUAN , 鄭光茗 , THEI, KONG BENG , 莊學理 , CHUANG, HARRY HAK-LAY , 葉炅翰 , YEH, CHIUNG HAN , 張宏迪 , CHANG, HONG DYI , 郭正誠 , KUO, CHENG CHENG , 吳建宏 , WU, CHIEN HUNG , 李宗吉 , LEE, TZUNG CHI
CPC classification number: H01L21/823437 , H01L21/31053 , H01L21/3212 , H01L21/823828 , H01L27/08
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公开(公告)号：TW451295B
公开(公告)日：2001-08-21
申请号：TW089109886
申请日：2000-05-23
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 本發明係揭露一種解決微影製程中曝光機之校準問題的方法，主要係在積體電路製作中，為使不同曝光機台之對準系統及透鏡使用效果能達到最好之一致性，遂使用不同機台在晶片上定義複數層對準標記加以整合校正。在習知以子曝光機台定義第二層對準標記於晶片上之前，係多加入一特製光罩進行曝光、顯影步驟，可去除母曝光機台定義之對準標記上方的光阻，接著進行第二層對準標記之定義，如此一來可消除因光阻的存在或光阻厚度改變造成的影響。最後量測對準標記的位置，算出疊對誤差，對曝光機之對準系統及透鏡裝置做適當且必要的調整。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种解决微影制程中曝光机之校准问题的方法，主要系在集成电路制作中，为使不同曝光机台之对准系统及透镜使用效果能达到最好之一致性，遂使用不同机台在芯片上定义复数层对准标记加以集成校正。在习知以子曝光机台定义第二层对准标记于芯片上之前，系多加入一特制光罩进行曝光、显影步骤，可去除母曝光机台定义之对准标记上方的光阻，接着进行第二层对准标记之定义，如此一来可消除因光阻的存在或光阻厚度改变造成的影响。最后量测对准标记的位置，算出叠对误差，对曝光机之对准系统及透镜设备做适当且必要的调整。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW434464B
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：TW089108058
申请日：2000-04-28
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: G03F
Abstract: 本發明係揭露一種抗反射光罩及其製造方法，所述抗反射光罩係用於半導體元件微影曝光製程前之對準步驟中,該抗反射光罩係於習知微影製程所使用之光罩上形成一抗反射層，該抗反射層係可消弭非垂直入射之對準光線所產生的界面反射光線，用以避免在進行對準步驟時，因為該反射光線與所述對準光線產生干涉現象而造成嚴重的對準誤差問題，尤其是在進入深次微米領域後，該誤差影響將更加顯著。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种抗反射光罩及其制造方法，所述抗反射光罩系用于半导体组件微影曝光制程前之对准步骤中,该抗反射光罩系于习知微影制程所使用之光罩上形成一抗反射层，该抗反射层系可消弭非垂直入射之对准光线所产生的界面反射光线，用以避免在进行对准步骤时，因为该反射光线与所述对准光线产生干涉现象而造成严重的对准误差问题，尤其是在进入深次微米领域后，该误差影响将更加显着。
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公开(公告)号：TWI530989B
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：TW104110640
申请日：2015-04-01
Inventor： 莊 學理 , CHUANG, HARRY-HAK-LAY , 郭正誠 , KUO, CHENG CHENG , 蔡境哲 , TSAI, CHING CHE , 楊寶如 , YOUNG, BAO RU
IPC: H01L21/027
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公开(公告)号：TWI525828B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW102144547
申请日：2013-12-05
Inventor： 莊學理 , CHUANG, HARRY HAK-LAY , 郭正誠 , KUO, CHENG CHENG , 劉繼文 , LIU, CHI WEN , 朱鳴 , ZHU, MING
IPC: H01L29/78 , H01L27/105
CPC classification number: H01L29/66666 , H01L29/0676 , H01L29/41775 , H01L29/66356 , H01L29/7391
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公开(公告)号：TW201539543A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104110640
申请日：2015-04-01
Inventor： 莊 學理 , CHUANG, HARRY-HAK-LAY , 郭正誠 , KUO, CHENG CHENG , 蔡境哲 , TSAI, CHING CHE , 楊寶如 , YOUNG, BAO RU
IPC: H01L21/027
Abstract: 本揭露提供一種製造半導體裝置之方法。接受用於半導體裝置的第一佈局設計。第一佈局設計包括複數閘極線以及與閘極線重疊的主動區。主動區包括至少一具尖角的角落，其設置於相鄰於至少一閘極線的位置。經由光學鄰近效應修正(optical proximity correction，OPC)製程修正半導體裝置的第一佈局設計，藉以產生第二佈局設計，其包括修正的主動區其具有向外突出的修正角落。其後，根據第二佈局設計製造半導體裝置。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种制造半导体设备之方法。接受用于半导体设备的第一布局设计。第一布局设计包括复数闸极线以及与闸极线重叠的主动区。主动区包括至少一具尖角的角落，其设置于相邻于至少一闸极线的位置。经由光学邻近效应修正(optical proximity correction，OPC)制程修正半导体设备的第一布局设计，借以产生第二布局设计，其包括修正的主动区其具有向外突出的修正角落。其后，根据第二布局设计制造半导体设备。
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公开(公告)号：TW201814393A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW106128077
申请日：2017-08-18
Inventor： 吳昀霖 , WU, YUN LIN , 許志瑋 , HSU, CHIH WEI , 郭正誠 , KUO, CHENG CHENG , 林華泰 , LIN, HUA TAI , 江嘉評 , CHIANG, CHIA PING , 陳桂順 , CHEN, KUEI SHUN , 龍元祥 , LUNG, YUAN HSIANG , 蔡晏佐 , TSAI, YAN TSO
CPC classification number: G06F17/5072 , G06F17/504 , G06F17/5081 , G06F2217/12 , H01L21/0274 , H01L21/30604 , H01L21/3086 , H01L21/823431 , H01L21/823475 , H01L23/5226 , H01L23/528
Abstract: 一種製造積體電路的方法，包括接收具有在兩個第二區域之間的第一區域的積體電路佈局，佈局包括具有第一部件的第一層與在第一區域中具有第二、第三部件的第二、第三層，第二、第三部件共同形成第一部件的切割圖案；以及透過光罩設計工具修改第二、第三部件，產生已修改第二、第三部件，其共同形成用於第一部件的已修改切割圖案，第二、第三部件的修改滿足至少一個條件：相鄰之已修改第二(第三)部件之間的總間距大於相鄰之第二(第三)部件之間的總間距，以及已修改第二(第三)部件的總長度小於第二(第三)部件的總長度。
Abstract in simplified Chinese: 一种制造集成电路的方法，包括接收具有在两个第二区域之间的第一区域的集成电路布局，布局包括具有第一部件的第一层与在第一区域中具有第二、第三部件的第二、第三层，第二、第三部件共同形成第一部件的切割图案；以及透过光罩设计工具修改第二、第三部件，产生已修改第二、第三部件，其共同形成用于第一部件的已修改切割图案，第二、第三部件的修改满足至少一个条件：相邻之已修改第二(第三)部件之间的总间距大于相邻之第二(第三)部件之间的总间距，以及已修改第二(第三)部件的总长度小于第二(第三)部件的总长度。
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