一種利用底膠材料封裝之半導體封裝元件及其封裝方法
    3.
    发明专利
    一種利用底膠材料封裝之半導體封裝元件及其封裝方法 审中-公开
    一种利用底胶材料封装之半导体封装组件及其封装方法

    公开(公告)号:TW201207961A

    公开(公告)日:2012-02-16

    申请号:TW099125850

    申请日:2010-08-04

    IPC: H01L

    Abstract: 一種半導體元件的封裝方法,其包括:提供一載板,具有一上表面及一下表面,於上表面上配置有第一線路配置,且具有至少一穿孔設置於載板之中間部份且貫穿載板;提供一晶片,具有一主動面及一背面,於主動面之周邊配置複數個焊墊且於這些焊墊上配置有複數個連接元件;貼附晶片至載板之上表面上,係將晶片以覆晶方式將其主動面朝下且設置在載板之上表面,且晶片之複數個連接元件與配置於載板之上表面之第一線路配置電性連接,且這些連接元件不覆蓋於穿孔;形成一底膠材料以形成在晶片之複數個連接元件與載板之上表面之間,且底膠材料填滿穿孔;及執行一抽吸程序以移除在晶片之複數個連接元件與載板之上表面之間之空氣,使得底膠材料可以完全填充於晶片之複數個連接元件與載板之上表面之間。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件的封装方法,其包括:提供一载板,具有一上表面及一下表面,于上表面上配置有第一线路配置,且具有至少一穿孔设置于载板之中间部份且贯穿载板;提供一芯片,具有一主动面及一背面,于主动面之周边配置复数个焊垫且于这些焊垫上配置有复数个连接组件;贴附芯片至载板之上表面上,系将芯片以覆晶方式将其主动面朝下且设置在载板之上表面,且芯片之复数个连接组件与配置于载板之上表面之第一线路配置电性连接,且这些连接组件不覆盖于穿孔;形成一底胶材料以形成在芯片之复数个连接组件与载板之上表面之间,且底胶材料填满穿孔;及运行一抽吸进程以移除在芯片之复数个连接组件与载板之上表面之间之空气,使得底胶材料可以完全填充于芯片之复数个连接组件与载板之上表面之间。

    半導體封裝結構及形成的方法
    4.
    发明专利
    半導體封裝結構及形成的方法 审中-公开
    半导体封装结构及形成的方法

    公开(公告)号:TW201205745A

    公开(公告)日:2012-02-01

    申请号:TW099124265

    申请日:2010-07-23

    IPC: H01L

    Abstract: 一種半導體封裝結構,其包含具有一上表面及一下表面之一基板,其中在基板之上表面具有複數個第一連接端點及在下表面具有複數個第二連接端點;一晶片,具有一主動面及一背面,且以主動面朝上置放在基板之上表面,且具有複數個焊墊設置在晶片之主動面;複數條導線,用以電性連接晶片之主動面上之複數個焊墊及基板之上表面之複數個第一連接端點;第一封裝層,用以包覆部份導線、晶片及基板之部份上表面;第二封裝層,用以包覆第一封裝層、複數條導線及形成在基板之部份上表面之上,其中第二封裝層之楊氏係數大於第一封裝層之楊氏係數;及複數個電性連接元件,設置在基板之下表面且與複數個第二連接端點電性連接。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体封装结构,其包含具有一上表面及一下表面之一基板,其中在基板之上表面具有复数个第一连接端点及在下表面具有复数个第二连接端点;一芯片,具有一主动面及一背面,且以主动面朝上置放在基板之上表面,且具有复数个焊垫设置在芯片之主动面;复数条导线,用以电性连接芯片之主动面上之复数个焊垫及基板之上表面之复数个第一连接端点;第一封装层,用以包覆部份导线、芯片及基板之部份上表面;第二封装层,用以包覆第一封装层、复数条导线及形成在基板之部份上表面之上,其中第二封装层之杨氏系数大于第一封装层之杨氏系数;及复数个电性连接组件,设置在基板之下表面且与复数个第二连接端点电性连接。

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