公开(公告)号：TW201727863A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105132028

申请日：2016-10-04

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 于殿聖 ,  YU, DIAN SHEG ,  崔壬汾 ,  TSUI, REN FEN ,  廖忠志 ,  LIAW, JHON JHY

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/11206

摘要： 本揭露提供半導體裝置內使用熔絲(fuse)的結構及其製造方法。熔絲可形成於第三金屬層內，且與位在下方的半導體基底上的主動元件垂直地排列。此外，第三金屬層內的熔絲係形成較下方的第二金屬層厚。

简体摘要： 本揭露提供半导体设备内使用熔丝(fuse)的结构及其制造方法。熔丝可形成于第三金属层内，且与位在下方的半导体基底上的主动组件垂直地排列。此外，第三金属层内的熔丝系形成较下方的第二金属层厚。

公开(公告)号：TWI685023B

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：TW106125606

申请日：2017-07-28

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 于殿聖 ,  YU, DIAN SHEG ,  廖忠志 ,  LIAW, JHON JHY ,  崔壬汾 ,  TSUI, REN FEN

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/28

公开(公告)号：TWI601264B

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105132028

申请日：2016-10-04

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 于殿聖 ,  YU, DIAN SHEG ,  崔壬汾 ,  TSUI, REN FEN ,  廖忠志 ,  LIAW, JHON JHY

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/11206