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公开(公告)号：TW201727863A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105132028
申请日：2016-10-04
发明人： 于殿聖 , YU, DIAN SHEG , 崔壬汾 , TSUI, REN FEN , 廖忠志 , LIAW, JHON JHY
IPC分类号： H01L23/62
CPC分类号： H01L23/5256 , H01L21/8234 , H01L27/0207 , H01L27/0617 , H01L27/11206
摘要： 本揭露提供半導體裝置內使用熔絲(fuse)的結構及其製造方法。熔絲可形成於第三金屬層內，且與位在下方的半導體基底上的主動元件垂直地排列。此外，第三金屬層內的熔絲係形成較下方的第二金屬層厚。
简体摘要： 本揭露提供半导体设备内使用熔丝(fuse)的结构及其制造方法。熔丝可形成于第三金属层内，且与位在下方的半导体基底上的主动组件垂直地排列。此外，第三金属层内的熔丝系形成较下方的第二金属层厚。
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公开(公告)号：TW201731031A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105130126
申请日：2016-09-19
发明人： 陳 芳 , CHEN, FANG , 廖忠志 , LIAW, JHON JHY , 傅士奇 , FU, SHIH CHI , 梁銘彰 , LIANG, MIN CHANG , 崔壬汾 , TSUI, REN FEN , 陳炎輝 , CHEN, YEN HUEI
IPC分类号： H01L21/8244 , H01L21/28 , H01L27/11
CPC分类号： H01L27/1104 , G11C11/418 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/1116
摘要： 本發明提供一種記憶體裝置，包括一靜態隨機存取記憶體(SRAM)陣列以及鄰接SRAM陣列之一SRAM邊緣單元區域。SRAM陣列以及SRAM邊緣單元區域之組合係包括具有一均勻節距之第一閘極電極。一字元線驅動器係鄰接於SRAM邊緣單元區域。字元線驅動器包括第二閘極電極，以及第一閘極電極之縱向方向係與對應之第二閘極電極之縱向方向對齊。
简体摘要： 本发明提供一种内存设备，包括一静态随机存取内存(SRAM)数组以及邻接SRAM数组之一SRAM边缘单元区域。SRAM数组以及SRAM边缘单元区域之组合系包括具有一均匀节距之第一闸极电极。一字符线驱动器系邻接于SRAM边缘单元区域。字符线驱动器包括第二闸极电极，以及第一闸极电极之纵向方向系与对应之第二闸极电极之纵向方向对齐。
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公开(公告)号：TWI685023B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW106125606
申请日：2017-07-28
发明人： 于殿聖 , YU, DIAN SHEG , 廖忠志 , LIAW, JHON JHY , 崔壬汾 , TSUI, REN FEN
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/28
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公开(公告)号：TWI634622B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW105130126
申请日：2016-09-19
发明人： 陳 芳 , CHEN, FANG , 廖忠志 , LIAW, JHON JHY , 傅士奇 , FU, SHIH CHI , 梁銘彰 , LIANG, MIN CHANG , 崔壬汾 , TSUI, REN FEN , 陳炎輝 , CHEN, YEN HUEI
IPC分类号： H01L21/8244 , H01L21/28 , H01L27/11
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公开(公告)号：TWI601264B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105132028
申请日：2016-10-04
发明人： 于殿聖 , YU, DIAN SHEG , 崔壬汾 , TSUI, REN FEN , 廖忠志 , LIAW, JHON JHY
IPC分类号： H01L23/62
CPC分类号： H01L23/5256 , H01L21/8234 , H01L27/0207 , H01L27/0617 , H01L27/11206
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