公开(公告)号：TWI575718B

公开(公告)日：2017-03-21

申请号：TW104120718

申请日：2015-06-26

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 雪克 瑪力卡勒強斯瓦密 ,  MALLIKARJUNASWAMY, SHEKAR

IPC分类号： H01L27/118 ,  H01L21/70 ,  H01L21/74

CPC分类号： H01L27/085 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7823 ,  H01L29/808

公开(公告)号：TW201601291A

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW104120718

申请日：2015-06-26

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 雪克 瑪力卡勒強斯瓦密 ,  MALLIKARJUNASWAMY, SHEKAR

IPC分类号： H01L27/118 ,  H01L21/70 ,  H01L21/74

CPC分类号： H01L27/085 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7823 ,  H01L29/808

摘要： 本發明係揭露一種功率積體電路，其包括接面場效電晶體（JFET）組件，形成在第一部分半導體層中，利用第一本體區製成閘極區，橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）電晶體，形成在第二部分半導體層中，通道形成在第二本體區中。功率積體電路包括第一深擴散區，形成在第一本體區下方，並且與第一本體區電接觸，第一深擴散區與第一本體區共同建立JFET組件的夾斷電壓；以及第二深擴散區，形成在第二本體區下方，並且與第二本體區電接觸，第二深擴散區構成LDMOS電晶體中的降低表面電場（RESURF）結構。

简体摘要： 本发明系揭露一种功率集成电路，其包括接面场效应管（JFET）组件，形成在第一部分半导体层中，利用第一本体区制成闸极区，横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，形成在第二部分半导体层中，信道形成在第二本体区中。功率集成电路包括第一深扩散区，形成在第一本体区下方，并且与第一本体区电接触，第一深扩散区与第一本体区共同创建JFET组件的夹断电压；以及第二深扩散区，形成在第二本体区下方，并且与第二本体区电接触，第二深扩散区构成LDMOS晶体管中的降低表面电场（RESURF）结构。

公开(公告)号：TW201531027A

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW103139446

申请日：2014-11-13

申请人： 西凱渥資訊處理科技公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： 伯林 谷拉伍美 亞立山卓 ,  BLIN, GUILLAUME ALEXANDRE

IPC分类号： H03K17/16 ,  H01L21/70 ,  H01L27/08

CPC分类号： H03K17/687 ,  H01L21/8234 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/19105 ,  H03K17/102 ,  H03K17/162 ,  H04B1/48

摘要： 本發明揭示用於改進一堆疊電晶體中之品質因子的電路及方法。一切換器件可包括以一堆疊組態實施的複數個場效電晶體(FET)。該切換器件可進一步包括具有一分配網路的一偏壓電路，該分配網路將一偏壓輸入節點耦接至每一FET的閘極。該分配網路可包括複數個第一節點，其中每一第一節點經由一或多個各別電阻性路徑連接至閘極中的一或多者。該分配網路可進一步包括一或多個第二節點，其中每一第二節點經由一或多個各別電阻性路徑連接至該等第一節點中的一或多者。該等電阻性路徑中之至少一些可具有經選擇以在該等FET處於一關斷狀態時減小射頻(RF)信號之損耗的電阻值。

简体摘要： 本发明揭示用于改进一堆栈晶体管中之品质因子的电路及方法。一切换器件可包括以一堆栈组态实施的复数个场效应管(FET)。该切换器件可进一步包括具有一分配网络的一偏压电路，该分配网络将一偏压输入节点耦接至每一FET的闸极。该分配网络可包括复数个第一节点，其中每一第一节点经由一或多个各别电阻性路径连接至闸极中的一或多者。该分配网络可进一步包括一或多个第二节点，其中每一第二节点经由一或多个各别电阻性路径连接至该等第一节点中的一或多者。该等电阻性路径中之至少一些可具有经选择以在该等FET处于一关断状态时减小射频(RF)信号之损耗的电阻值。

公开(公告)号：TW201431045A

公开(公告)日：2014-08-01

申请号：TW102143346

申请日：2013-11-27

申请人： 英力股份有限公司 ,  ENPIRION, INC.

发明人： 洛特非 亞西瑞夫W ,  LOTFI, ASHRAF W. ,  丹姆斯琪 傑佛瑞 ,  DEMSKI, JEFFREY ,  菲根森 安那托利 ,  FEYGENSON, ANATOLY ,  洛派塔 道格拉斯 狄恩 ,  LOPATA, DOUGLAS DEAN ,  諾頓 傑 ,  NORTON, JAY ,  衛爾德 約翰D ,  WELD, JOHN D.

IPC分类号： H01L27/085 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/0207 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/36 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49589 ,  H01L23/522 ,  H01L23/642 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明揭示一種半導體裝置及其形成方法，在一實施例中，該半導體裝置包括一基板1105及複數個源極「s」及汲極「d」區域，其等以交替圖案形成於該基板1105上。該半導體裝置亦包括複數個閘極1150，其等形成於該基板1105上方介於該複數個源極及汲極區域之數者之間，且平行於該複數個源極及汲極區域之數者。該半導體裝置亦包括第一複數個交替源極及汲極金屬帶1111、1121，其等形成於該基板1105上方之一第一金屬層中且平行於該複數個源極及汲極區域之各自數者，並與該複數個源極及汲極區域之各自數者形成一電接觸。

简体摘要： 本发明揭示一种半导体设备及其形成方法，在一实施例中，该半导体设备包括一基板1105及复数个源极“s”及汲极“d”区域，其等以交替图案形成于该基板1105上。该半导体设备亦包括复数个闸极1150，其等形成于该基板1105上方介于该复数个源极及汲极区域之数者之间，且平行于该复数个源极及汲极区域之数者。该半导体设备亦包括第一复数个交替源极及汲极金属带1111、1121，其等形成于该基板1105上方之一第一金属层中且平行于该复数个源极及汲极区域之各自数者，并与该复数个源极及汲极区域之各自数者形成一电接触。

公开(公告)号：TW201431011A

公开(公告)日：2014-08-01

申请号：TW102143347

申请日：2013-11-27

申请人： 英力股份有限公司 ,  ENPIRION, INC.

发明人： 洛特非 亞西瑞夫W ,  LOTFI, ASHRAF W. ,  丹姆斯琪 傑佛瑞 ,  DEMSKI, JEFFREY ,  菲根森 安那托利 ,  FEYGENSON, ANATOLY ,  洛派塔 道格拉斯 狄恩 ,  LOPATA, DOUGLAS DEAN ,  諾頓 傑 ,  NORTON, JAY ,  衛爾德 約翰D ,  WELD, JOHN D.

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L27/0207 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/36 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49589 ,  H01L23/522 ,  H01L23/642 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明揭示一種設備及其形成方法，在一實施例中，該設備包含一印刷電路板(430)及耦合至該印刷電路板(430)之一半導體裝置(405)。該設備亦包含一去耦裝置(440)，其耦合至該印刷電路板(430)且定位於該半導體裝置(405)下方。

简体摘要： 本发明揭示一种设备及其形成方法，在一实施例中，该设备包含一印刷电路板(430)及耦合至该印刷电路板(430)之一半导体设备(405)。该设备亦包含一去耦设备(440)，其耦合至该印刷电路板(430)且定位于该半导体设备(405)下方。

公开(公告)号：TW406354B

公开(公告)日：2000-09-21

申请号：TW088106994

申请日：1999-04-29

申请人： 日本電氣股份有限公司

发明人： 小林研

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L27/10888 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/10852

摘要： 本發明提出一種半導體裝置及其製造方法，即使高度積體化，亦能夠防止渠溝隔離絕緣膜之隔離特性的劣化、防止摻雜劑擴散層之接觸電阻或接點漏電的增加、且不會使製程更為複雜。包含下列步驟:形成第一至第三防護膜以覆蓋矽基材的主要表面上之渠溝隔離絕緣膜及MOS電晶體;於防護膜上形成一具有蝕刻選擇性之層間絕緣膜;及以高於防護膜之蝕刻速率對層間絕緣膜進行蝕刻以開通一接觸孔。在蝕刻過程中，被防護膜所覆蓋之渠溝隔離絕緣膜並未受到蝕刻，因而隔離特性不會劣化。防護膜能夠防止渠溝隔離絕緣膜表面的蝕刻，並防止摻雜劑擴散層之接觸電阻的增加以及接點漏電，同時，即使用來開通接觸孔之遮罩的開口窗大於摻雜劑擴散層的表面區域，藉由自我定位，可以開通一微小開口尺寸的接觸孔。

简体摘要： 本发明提出一种半导体设备及其制造方法，即使高度积体化，亦能够防止渠沟隔离绝缘膜之隔离特性的劣化、防止掺杂剂扩散层之接触电阻或接点漏电的增加、且不会使制程更为复杂。包含下列步骤:形成第一至第三防护膜以覆盖硅基材的主要表面上之渠沟隔离绝缘膜及MOS晶体管;于防护膜上形成一具有蚀刻选择性之层间绝缘膜;及以高于防护膜之蚀刻速率对层间绝缘膜进行蚀刻以开通一接触孔。在蚀刻过程中，被防护膜所覆盖之渠沟隔离绝缘膜并未受到蚀刻，因而隔离特性不会劣化。防护膜能够防止渠沟隔离绝缘膜表面的蚀刻，并防止掺杂剂扩散层之接触电阻的增加以及接点漏电，同时，即使用来开通接触孔之遮罩的开口窗大于掺杂剂扩散层的表面区域，借由自我定位，可以开通一微小开口尺寸的接触孔。

公开(公告)号：TW379439B

公开(公告)日：2000-01-11

申请号：TW087105304

申请日：1998-04-08

申请人： 麥克那英特曼特有限公司

发明人： 漢斯–彼德.費里瑞奇

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/8234

摘要： 揭示一種於ＭＯＳ製程中在矽基板上之電容器結構的形成方法，藉由沉積一絕緣層而後一第二多晶矽層於第一多晶矽層之上用以形成電容器結構，成形該第二多晶矽層及該絕緣層以形成該電容器結構的第一電容器極板和電介質，然後成形該第一多晶矽層及該閘極氧化物層以形成該電容器結構的第二電容器極板和ＭＯＳ電晶體的閘極區域，以及其後生成ＭＯＳ電晶體來簡化該方法。

简体摘要： 揭示一种于ＭＯＳ制程中在硅基板上之电容器结构的形成方法，借由沉积一绝缘层而后一第二多晶硅层于第一多晶硅层之上用以形成电容器结构，成形该第二多晶硅层及该绝缘层以形成该电容器结构的第一电容器极板和电介质，然后成形该第一多晶硅层及该闸极氧化物层以形成该电容器结构的第二电容器极板和ＭＯＳ晶体管的闸极区域，以及其后生成ＭＯＳ晶体管来简化该方法。

公开(公告)号：TW201810674A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106116339

申请日：2017-05-17

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  成承訓 ,  SUNG, SEUNG HOON ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  阿格拉瓦 艾希許 ,  AGRAWAL, ASHISH

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L29/40 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

摘要： 子鰭部層被沉積於基板上，鰭部層被沉積於子鰭部層上，子鰭部層具有相對於鰭部層的導電帶能量偏移，以防止子鰭部層中的漏洩。在一個實施例中，子鰭部層包括第IV族半導體材料層，該子鰭部層具有大於鰭部層之帶隙的帶隙。

简体摘要： 子鳍部层被沉积于基板上，鳍部层被沉积于子鳍部层上，子鳍部层具有相对于鳍部层的导电带能量偏移，以防止子鳍部层中的漏泄。在一个实施例中，子鳍部层包括第IV族半导体材料层，该子鳍部层具有大于鳍部层之带隙的带隙。

公开(公告)号：TWI601264B

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105132028

申请日：2016-10-04

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 于殿聖 ,  YU, DIAN SHEG ,  崔壬汾 ,  TSUI, REN FEN ,  廖忠志 ,  LIAW, JHON JHY

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/11206

公开(公告)号：TWI585946B

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW102143346

申请日：2013-11-27

申请人： 英力股份有限公司 ,  ENPIRION, INC.

发明人： 洛特非 亞西瑞夫W ,  LOTFI, ASHRAF W. ,  丹姆斯琪 傑佛瑞 ,  DEMSKI, JEFFREY ,  菲根森 安那托利 ,  FEYGENSON, ANATOLY ,  洛派塔 道格拉斯 狄恩 ,  LOPATA, DOUGLAS DEAN ,  諾頓 傑 ,  NORTON, JAY ,  衛爾德 約翰D ,  WELD, JOHN D.

IPC分类号： H01L27/085 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/0207 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/36 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49589 ,  H01L23/522 ,  H01L23/642 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00