公开(公告)号：TW202008545A

公开(公告)日：2020-02-16

申请号：TW108120471

申请日：2019-06-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 盧貫中 ,  LU, KUAN-CHUNG ,  蘇安治 ,  SU, AN-JHIH ,  葉德強 ,  YEH, DER-CHYANG ,  黃立賢 ,  HUANG, LI-HSIEN ,  林岳霆 ,  LIN, YUEH-TING ,  葉名世 ,  YEH, MING-SHIH

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/52

Abstract: 提供一種半導體裝置及其製造方法。所述半導體裝置包括封裝結構、第一晶粒、第一圍阻結構、預填充層及多個導電端子。封裝結構包括附接區、位於附接區周圍的排除區。第一晶粒設置在附接區中的封裝結構上且電性地連接到封裝結構。第一圍阻結構設置在封裝結構的排除區內且環繞第一晶粒。預填充層設置在封裝結構與第一晶粒之間且設置在第一圍阻結構與第一晶粒之間，其中預填充層被限制在第一圍阻結構內。導電端子設置在封裝結構上，分佈在封裝結構的排除區周圍且電性地連接到封裝結構。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种半导体设备及其制造方法。所述半导体设备包括封装结构、第一晶粒、第一围阻结构、预填充层及多个导电端子。封装结构包括附接区、位于附接区周围的排除区。第一晶粒设置在附接区中的封装结构上且电性地连接到封装结构。第一围阻结构设置在封装结构的排除区内且环绕第一晶粒。预填充层设置在封装结构与第一晶粒之间且设置在第一围阻结构与第一晶粒之间，其中预填充层被限制在第一围阻结构内。导电端子设置在封装结构上，分布在封装结构的排除区周围且电性地连接到封装结构。

公开(公告)号：TW201826466A

公开(公告)日：2018-07-16

申请号：TW106111643

申请日：2017-04-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  蘇安治 ,  SU, AN-JHIH ,  葉德強 ,  YEH, DER-CHYANG ,  陳憲偉 ,  CHEN, HSIEN-WEI ,  黃立賢 ,  HUANG, LI-HSIEN ,  林岳霆 ,  LIN, YUEH-TING ,  陳威宇 ,  CHEN, WEI-YU

IPC: H01L23/373 ,  H01L25/065 ,  H01L25/10 ,  H01L21/56

Abstract: 一種半導體元件包括：具有功能電路的熱-電-機械（TEM）晶片；貼合至所述熱-電-機械晶片的第一側的第一晶粒；以及位於所述熱-電-機械晶片的所述第一側上且鄰近所述第一晶粒的第一通孔。所述第一通孔電性耦合至所述熱-電-機械晶片。所述半導體元件亦包括：環繞所述熱-電-機械晶片、所述第一晶粒及所述第一通孔的第一模製層，其中所述第一晶粒的上表面及所述第一通孔的上表面與所述第一模製層的上表面齊平。所述半導體元件更包括：位於所述第一模製層的所述上表面上的第一重佈線層，其電性耦合至所述第一通孔及所述第一晶粒。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件包括：具有功能电路的热-电-机械（TEM）芯片；贴合至所述热-电-机械芯片的第一侧的第一晶粒；以及位于所述热-电-机械芯片的所述第一侧上且邻近所述第一晶粒的第一通孔。所述第一通孔电性耦合至所述热-电-机械芯片。所述半导体组件亦包括：环绕所述热-电-机械芯片、所述第一晶粒及所述第一通孔的第一模制层，其中所述第一晶粒的上表面及所述第一通孔的上表面与所述第一模制层的上表面齐平。所述半导体组件更包括：位于所述第一模制层的所述上表面上的第一重布线层，其电性耦合至所述第一通孔及所述第一晶粒。