公开(公告)号：TW202008545A

公开(公告)日：2020-02-16

申请号：TW108120471

申请日：2019-06-13

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 盧貫中 ,  LU, KUAN-CHUNG ,  蘇安治 ,  SU, AN-JHIH ,  葉德強 ,  YEH, DER-CHYANG ,  黃立賢 ,  HUANG, LI-HSIEN ,  林岳霆 ,  LIN, YUEH-TING ,  葉名世 ,  YEH, MING-SHIH

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/52

摘要： 提供一種半導體裝置及其製造方法。所述半導體裝置包括封裝結構、第一晶粒、第一圍阻結構、預填充層及多個導電端子。封裝結構包括附接區、位於附接區周圍的排除區。第一晶粒設置在附接區中的封裝結構上且電性地連接到封裝結構。第一圍阻結構設置在封裝結構的排除區內且環繞第一晶粒。預填充層設置在封裝結構與第一晶粒之間且設置在第一圍阻結構與第一晶粒之間，其中預填充層被限制在第一圍阻結構內。導電端子設置在封裝結構上，分佈在封裝結構的排除區周圍且電性地連接到封裝結構。

简体摘要： 提供一种半导体设备及其制造方法。所述半导体设备包括封装结构、第一晶粒、第一围阻结构、预填充层及多个导电端子。封装结构包括附接区、位于附接区周围的排除区。第一晶粒设置在附接区中的封装结构上且电性地连接到封装结构。第一围阻结构设置在封装结构的排除区内且环绕第一晶粒。预填充层设置在封装结构与第一晶粒之间且设置在第一围阻结构与第一晶粒之间，其中预填充层被限制在第一围阻结构内。导电端子设置在封装结构上，分布在封装结构的排除区周围且电性地连接到封装结构。

公开(公告)号：TW201812888A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW105138765

申请日：2016-11-25

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 吳集錫 ,  WU, CHI-HSI ,  葉德強 ,  YEH, DER-CHYANG ,  陳憲偉 ,  CHEN, HSIEN-WEI ,  黃立賢 ,  HUANG, LI-HSIEN ,  盧貫中 ,  LU, KUAN-CHUNG

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/32 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1058

摘要： 一種製作半導體元件的方法。提供包括排列成陣列的多個積體電路的晶圓，所述晶圓包括半導體基底及覆蓋所述半導體基底的內連線結構，所述內連線結構包括交替堆疊的多個圖案化導電層及多個內介電層，所述圖案化導電層中的最頂部圖案化導電層被所述內介電層中的最頂部內介電層覆蓋，且所述最頂部圖案化導電層被所述最頂部內介電層的多個開口暴露出。在被所述開口暴露出的所述最頂部圖案化導電層上形成多個導電柱。執行晶圓探測製程以檢驗所述導電柱。在所述晶圓上形成保護層，以覆蓋所述導電柱。執行晶圓切割製程以形成所述半導體元件。

简体摘要： 一种制作半导体组件的方法。提供包括排列成数组的多个集成电路的晶圆，所述晶圆包括半导体基底及覆盖所述半导体基底的内连接结构，所述内连接结构包括交替堆栈的多个图案化导电层及多个内介电层，所述图案化导电层中的最顶部图案化导电层被所述内介电层中的最顶部内介电层覆盖，且所述最顶部图案化导电层被所述最顶部内介电层的多个开口暴露出。在被所述开口暴露出的所述最顶部图案化导电层上形成多个导电柱。运行晶圆探测制程以检验所述导电柱。在所述晶圆上形成保护层，以覆盖所述导电柱。运行晶圆切割制程以形成所述半导体组件。

公开(公告)号：TW201804530A

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW105133166

申请日：2016-10-14

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 黃立賢 ,  HUANG, LI-HSIEN ,  蘇安治 ,  SU, AN-JHIH ,  陳憲偉 ,  CHEN, HSIEN-WEI ,  曾華偉 ,  TSENG, HUA-WEI ,  王若梅 ,  WANG, JO-MEI ,  楊天中 ,  YANG, TIEN-CHUNG ,  盧貫中 ,  LU, KUAN-CHUNG

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L23/60

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5382 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/3025

摘要： 提供一種封裝結構及其製造方法。封裝結構包括第一晶粒、第二晶粒、封裝膠體、第一佈線層、第一貫穿介層孔、第二貫穿介層孔、電磁干擾遮罩層及導電部件。第一晶粒包覆在封裝膠體內。第二晶粒配置在封裝膠體上。第一佈線層位在封裝膠體和導電部件之間並電性連接第一晶粒及第二晶粒。封裝膠體位於第二晶粒和第一佈線層之間。第一貫穿介層孔及第二貫穿介層孔包覆在封裝膠體內並電性連接第一佈線層。第二貫穿介層孔位於第一晶粒和第一貫穿介層孔之間。電磁干擾遮罩層配置在第二晶粒上並與第一貫穿介層孔接觸。導電部件連接第一佈線層。

简体摘要： 提供一种封装结构及其制造方法。封装结构包括第一晶粒、第二晶粒、封装胶体、第一布线层、第一贯穿介层孔、第二贯穿介层孔、电磁干扰遮罩层及导电部件。第一晶粒包覆在封装胶体内。第二晶粒配置在封装胶体上。第一布线层位在封装胶体和导电部件之间并电性连接第一晶粒及第二晶粒。封装胶体位于第二晶粒和第一布线层之间。第一贯穿介层孔及第二贯穿介层孔包覆在封装胶体内并电性连接第一布线层。第二贯穿介层孔位于第一晶粒和第一贯穿介层孔之间。电磁干扰遮罩层配置在第二晶粒上并与第一贯穿介层孔接触。导电部件连接第一布线层。