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公开(公告)号：TW202015047A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108124708
申请日：2019-07-12
Inventor： 賴建安 , LAI, CHIEN-AN , 鄒宗成 , CHOU, CHUNG-CHENG , 池育德 , CHIH, YU-DER
IPC: G11C8/16
Abstract: 本發明實施例描述一種記憶體裝置，包含電阻式記憶胞陣列，所述電阻式記憶胞陣列具有連接至電阻式記憶胞陣列的多個字元線。電壓補償控制器配置成判定待施加於多個字元線中的選定字元線的字元線電壓。字元線驅動器配置成將所判定的字元線電壓施加於選定字元線。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例描述一种内存设备，包含电阻式记忆胞数组，所述电阻式记忆胞数组具有连接至电阻式记忆胞数组的多个字符线。电压补偿控制器配置成判定待施加于多个字符线中的选定字符线的字符线电压。字符线驱动器配置成将所判定的字符线电压施加于选定字符线。
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公开(公告)号：TWI640017B
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106136004
申请日：2017-10-20
Inventor： 陳宇翔 , CHEN, YU-HSIANG , 周紹禹 , CHOU, SHAO-YU , 池育德 , CHIH, YU-DER
IPC: G11C8/08
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3.发明专利多次可程式記憶體架構、互補金屬氧化物半導體多次可程式記憶體架構、以及操作多次可程式記憶體架構之方法 审中-公开多次可进程内存架构、互补金属氧化物半导体多次可进程内存架构、以及操作多次可进程内存架构之方法
公开(公告)号：TW201543487A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW103146205
申请日：2014-12-30
Inventor： 陳旭順 , CHEN, HSU SHUN , 郭政雄 , KUO, CHENG HSIUNG , 李谷桓 , LI, GU HUAN , 陳中傑 , CHEN, CHUNG CHIEH , 池育德 , CHIH, YUE DER
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/1673 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C16/30
Abstract: 本發明揭露一種多次可程式記憶體(multiple-time programmable,MTP)架構。該多次可程式記憶體架構被提供以操作使用在具有1.5伏特至5.5伏特供應電壓之一供應電源。當供應電壓大於一第一電壓時，一第一電路被配置以在一第二電晶體之一汲極引發一第二常數電壓，以及在一第三電路中之一端點引發該第二常數電壓。在一些實施例中，該第三電路提供一第三電壓至一第三電晶體之一閘極。當該供應電壓低於該第一電壓，一第五電路被配置以在該第三電路中之一端點引發一第四常數電壓。該第四常數電壓等於該第二常數電壓。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种多次可进程内存(multiple-time programmable,MTP)架构。该多次可进程内存架构被提供以操作使用在具有1.5伏特至5.5伏特供应电压之一供应电源。当供应电压大于一第一电压时，一第一电路被配置以在一第二晶体管之一汲极引发一第二常数电压，以及在一第三电路中之一端点引发该第二常数电压。在一些实施例中，该第三电路提供一第三电压至一第三晶体管之一闸极。当该供应电压低于该第一电压，一第五电路被配置以在该第三电路中之一端点引发一第四常数电压。该第四常数电压等于该第二常数电压。
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公开(公告)号：TWI455143B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW099138455
申请日：2010-11-09
Inventor： 楊天駿 , YANG, TIEN-CHUN , 池育德 , CHIH, YUE DER , 劉上玄 , LIU, SHANG HSUAN
CPC classification number: G11C29/04 , G11C16/0408 , G11C16/0483 , G11C29/808
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公开(公告)号：TW583683B
公开(公告)日：2004-04-11
申请号：TW092101858
申请日：2003-01-28
IPC: G11C
Abstract: 本發明的電路中奇參考記憶胞與奇數列正規記憶胞源極線、啟始電壓互相牽引(tracking)，偶參考記憶胞與偶數列正規記憶胞之源極線、及啟始電壓亦互相牽引，且在位元線程式化電壓固定的特性下提供奇數列正規記憶胞及偶數列正規記憶胞任一選定列最恰當的字線電壓，因此可以使得被選定列之相鄰列(neighboring row)透穿干擾的問題降至最低，但程式化效率則更佳，更特別的是，參考記憶胞不需要浮置閘極接觸，因此在元件尺寸縮小趨勢下，更突顯其優點。五、(一)、本案代表圖為：第__三______圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：10 奇數列正規記憶胞 20 偶數列正規記憶胞15 奇參考記憶胞 25 偶參考記憶胞11、12、31、32開關 50 電流源60 較器 61 參考電壓端Abstract in simplified Chinese: 本发明的电路中奇参考记忆胞与奇数列正规记忆胞源极线、启始电压互相牵引(tracking)，偶参考记忆胞与偶数列正规记忆胞之源极线、及启始电压亦互相牵引，且在比特线进程化电压固定的特性下提供奇数列正规记忆胞及偶数列正规记忆胞任一选定列最恰当的字线电压，因此可以使得被选定列之相邻列(neighboring row)透穿干扰的问题降至最低，但进程化效率则更佳，更特别的是，参考记忆胞不需要浮置闸极接触，因此在组件尺寸缩小趋势下，更突显其优点。五、(一)、本案代表图为：第__三______图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明：10 奇数列正规记忆胞 20 偶数列正规记忆胞15 奇参考记忆胞 25 偶参考记忆胞11、12、31、32开关 50 电流源60 较器 61 参考电压端
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公开(公告)号：TWI666651B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW107134139
申请日：2017-10-20
Inventor： 陳宇翔 , CHEN,YU-HSIANG , 周紹禹 , CHOU,SHAO-YU , 池育德 , CHIH,YU-DER
IPC: G11C8/08
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公开(公告)号：TWI645408B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW105134700
申请日：2014-12-30
Inventor： 陳旭順 , CHEN, HSU SHUN , 郭政雄 , KUO, CHENG HSIUNG , 李谷桓 , LI, GU HUAN , 陳中傑 , CHEN, CHUNG CHIEH , 池育德 , CHIH, YUE DER
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公开(公告)号：TWI623939B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW105121252
申请日：2016-07-05
Inventor： 李嘉富 , LEE, CHIA FU , 池育德 , CHIH, YU DER , 林弘璋 , LIN, HON JARN , 史毅駿 , SHIH, YI CHUN
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公开(公告)号：TW201735361A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105126194
申请日：2016-08-17
Inventor： 戴爾茲 卡羅斯H , DIAZ, CARLOS H. , 柯林基 尚 皮耶 , COLINGE, JEAN-PIERRE , 張 琮永 , CHANG, JONATHAN TSUNG-YUNG , 池育德 , CHIH, YUE DER
IPC: H01L29/68
CPC classification number: H01L29/7827 , B82Y10/00 , H01L27/0705 , H01L27/1023 , H01L27/1027 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/0847 , H01L29/1037 , H01L29/401 , H01L29/42356 , H01L29/42376 , H01L29/42392 , H01L29/66121 , H01L29/66439 , H01L29/66666 , H01L29/775 , H01L29/87
Abstract: 提供了一種半導體元件結構。半導體元件結構包括具有一頂面之一基板。半導體元件結構包括位於該基板上之一第一柱狀結構。該第一柱狀結構包括依序堆疊在一起之一第一重度N摻雜層、一第一P摻雜層、一N摻雜層及一第一重度P摻雜層。該第一柱狀結構沿一第一方向延伸遠離該基板。
Abstract in simplified Chinese: 提供了一种半导体组件结构。半导体组件结构包括具有一顶面之一基板。半导体组件结构包括位于该基板上之一第一柱状结构。该第一柱状结构包括依序堆栈在一起之一第一重度N掺杂层、一第一P掺杂层、一N掺杂层及一第一重度P掺杂层。该第一柱状结构沿一第一方向延伸远离该基板。
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公开(公告)号：TWI566247B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW103146205
申请日：2014-12-30
Inventor： 陳旭順 , CHEN, HSU SHUN , 郭政雄 , KUO, CHENG HSIUNG , 李谷桓 , LI, GU HUAN , 陳中傑 , CHEN, CHUNG CHIEH , 池育德 , CHIH, YUE DER
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/1673 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C16/30
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