公开(公告)号：TW201813098A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106113267

申请日：2017-04-20

Applicant: 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

Inventor： 安德森 布蘭特A ,  ANDERSON, BRENT A. ,  諾瓦克 愛德華J ,  NOWAK, EDWARD J.

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78642 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 一種半導體裝置，包括以局部可變的鰭片間距佈置的多個垂直傳輸鰭式場效應電晶體。在該裝置的第一區域內，多個第一鰭片以第一間距(d1)佈置，且在該裝置的第二區域內，多個第二鰭片以小於該第一間距的第二間距(d2)佈置。該多個第二鰭片共用合併的源、汲及閘區，而該多個第一鰭片的源、汲及閘區未合併。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，包括以局部可变的鳍片间距布置的多个垂直传输鳍式场效应晶体管。在该设备的第一区域内，多个第一鳍片以第一间距(d1)布置，且在该设备的第二区域内，多个第二鳍片以小于该第一间距的第二间距(d2)布置。该多个第二鳍片共享合并的源、汲及闸区，而该多个第一鳍片的源、汲及闸区未合并。

公开(公告)号：TW201806149A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106106977

申请日：2017-03-03

Applicant: 三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： 凱特爾 喬治 A. ,  KITTL, JORGE A. ,  洪俊九 ,  HONG, JOON GOO ,  羅德爾 馬克 S. ,  RODDER, MARK S. ,  帕勒 達爾門達 雷迪 ,  PALLE, DHARMENDAR REDDY

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/84 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/786

Abstract: 本發明揭露一種半導體裝置及一種用以形成所述半導體裝置的方法。半導體裝置的n通道組件包含第一水平奈米片（hNS）堆疊，且p通道組件包含第二hNS堆疊。第一hNS堆疊包含具有多個第一閘極層及至少一個第一通道層的第一閘極結構。第一內部間隙壁安置於至少一個第一閘極層與第一源極/汲極結構之間，其中第一內部間隙壁具有第一長度。第二hNS堆疊包含具有多個第二閘極層及至少一個第二通道層的第二閘極結構。第二內部間隙壁安置於至少一個第二閘極層與第二源極/汲極結構之間，其中第二內部間隙壁具有大於第一長度的第二長度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种半导体设备及一种用以形成所述半导体设备的方法。半导体设备的n信道组件包含第一水平奈米片（hNS）堆栈，且p信道组件包含第二hNS堆栈。第一hNS堆栈包含具有多个第一闸极层及至少一个第一信道层的第一闸极结构。第一内部间隙壁安置于至少一个第一闸极层与第一源极/汲极结构之间，其中第一内部间隙壁具有第一长度。第二hNS堆栈包含具有多个第二闸极层及至少一个第二信道层的第二闸极结构。第二内部间隙壁安置于至少一个第二闸极层与第二源极/汲极结构之间，其中第二内部间隙壁具有大于第一长度的第二长度。

公开(公告)号：TW201801329A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW106112819

申请日：2017-04-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李東穎 ,  LEE, TUNG YING ,  葉致鍇 ,  YEH, CHIH CHIEH ,  葉震亞 ,  YEH, JENG YA DAVID ,  邱遠鴻 ,  CHIU, YUAN HUNG ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN ,  楊育佳 ,  YEO, YEE-CHIA

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66545

Abstract: 在本文中揭露一種半導體元件與一種形成半導體元件之方法。使用犧牲膜來圖案化半導體結構的接觸，例如連接到電晶體的源極/汲極區域的接觸。接觸可包含沿著平行閘極電極的一軸的一漸縮輪廓，使得接觸的最外寬度隨著接觸從第一源極/汲極區域延伸出去而減少。

Abstract in simplified Chinese: 在本文中揭露一种半导体组件与一种形成半导体组件之方法。使用牺牲膜来图案化半导体结构的接触，例如连接到晶体管的源极/汲极区域的接触。接触可包含沿着平行闸极电极的一轴的一渐缩轮廓，使得接触的最外宽度随着接触从第一源极/汲极区域延伸出去而减少。

公开(公告)号：TW201801254A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW106123825

申请日：2014-11-26

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 馬吉 普瑞斯韓特 ,  MAJHI, PRASHANT ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S.

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78684

Abstract: 一種設備包含：互補金屬氧化物半導體(CMOS)反相器，包含有n-通道金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)；及p-通道MOSFET，其中在該n-通道MOSFET的通道材料與在該p-通道MOSFET中的通道材料受到雙軸拉伸應變。一種方法，包含：形成n-通道金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)；形成p-通道MOSFET；及連接該n-通道MOSFET及該p-通道MOSFET的閘極電極與汲極區，其中在該n-通道MOSFET中之通道材料與在該p-通道MOSFET中之通道材料受到雙軸拉伸應變。

Abstract in simplified Chinese: 一种设备包含：互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器，包含有n-信道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)；及p-信道MOSFET，其中在该n-信道MOSFET的信道材料与在该p-信道MOSFET中的信道材料受到双轴拉伸应变。一种方法，包含：形成n-信道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)；形成p-信道MOSFET；及连接该n-信道MOSFET及该p-信道MOSFET的闸极电极与汲极区，其中在该n-信道MOSFET中之信道材料与在该p-信道MOSFET中之信道材料受到双轴拉伸应变。

公开(公告)号：TW201801190A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW106105617

申请日：2017-02-20

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 葛雷斯 葛蘭 ,  GLASS, GLENN ,  莫哈帕拉 錢德拉 ,  MOHAPATRA, CHANDRA ,  莫希 安拿 ,  MURTHY, ANAND ,  強普納森 卡希克 ,  JAMBUNATHAN, KARTHIK

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/775 ,  H01L29/808

Abstract: 本文內所述之特定實施例提供用於包括奈米線通道之電子裝置。奈米線通道包括奈米線且奈米線間隔大約15埃以下。奈米線通道包括10條以上的奈米線並可從MXene材料產生。

Abstract in simplified Chinese: 本文内所述之特定实施例提供用于包括奈米线信道之电子设备。奈米线信道包括奈米线且奈米线间隔大约15埃以下。奈米线信道包括10条以上的奈米线并可从MXene材料产生。

公开(公告)号：TW201740565A

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：TW106102587

申请日：2017-01-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 柯林基 尚 皮耶 ,  COLINGE, JEAN-PIERRE

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/42392 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696

Abstract: 根據一些實施例，本發明提供一種半導體結構及其形成方法。半導體結構包括：基底及形成於基底上方之奈米線結構。此外，奈米線結構包括第一部分、第二部分及第三部分。半導體結構更包括閘極結構，形成於該奈米線結構的第三部分周圍，以及源極區，形成於奈米線結構的第一部分之中。此外，奈米線結構中的空乏區具有一長度，其大於閘極結構的長度，且空乏區未接觸源極區。

Abstract in simplified Chinese: 根据一些实施例，本发明提供一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：基底及形成于基底上方之奈米线结构。此外，奈米线结构包括第一部分、第二部分及第三部分。半导体结构更包括闸极结构，形成于该奈米线结构的第三部分周围，以及源极区，形成于奈米线结构的第一部分之中。此外，奈米线结构中的空乏区具有一长度，其大于闸极结构的长度，且空乏区未接触源极区。

公开(公告)号：TW201739051A

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW105123750

申请日：2016-07-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張家源 ,  CHANG, CHIA YUAN ,  于雄飛 ,  YU, XIONG-FEI ,  張惠政 ,  CHANG, HUI CHENG

IPC: H01L29/768 ,  H01L29/41 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/0924 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7848

Abstract: 一種半導體元件包含n型通道、p型通道、第一閘極介電層、第二閘極介電層、第一金屬閘電極及第二金屬閘電極。n型通道及p型通道係由不同材料形成。第一閘極介電層位於n型通道之至少相對側壁上。第二閘極介電層位於p型通道之至少相對側壁上。第一金屬閘電極位於第一閘極介電層上。第二金屬閘電極位於第二閘極介電層上。第一金屬閘電極及第二金屬閘電極由實質上相同之材料形成。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件包含n型信道、p型信道、第一闸极介电层、第二闸极介电层、第一金属闸电极及第二金属闸电极。n型信道及p型信道系由不同材料形成。第一闸极介电层位于n型信道之至少相对侧壁上。第二闸极介电层位于p型信道之至少相对侧壁上。第一金属闸电极位于第一闸极介电层上。第二金属闸电极位于第二闸极介电层上。第一金属闸电极及第二金属闸电极由实质上相同之材料形成。

公开(公告)号：TWI603476B

公开(公告)日：2017-10-21

申请号：TW105124465

申请日：2012-12-17

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  肯拿 哈洛德 ,  KENNEL, HAROLD HAL W. ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  卡瓦李耶羅 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7848 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  Y10S977/762

公开(公告)号：TW201735268A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105138459

申请日：2016-11-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUO CHENG ,  蔡慶威 ,  TSAI, CHING WEI ,  卡羅司 迪亞茲 ,  DIAZ, CARLOS H. ,  王志豪 ,  WANG, CHIH HAO ,  連萬益 ,  LIEN, WAI YI ,  梁英強 ,  LEUNG, YING-KEUNG

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/823821 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/42392

Abstract: 本揭露描述了一種半導體裝置的製造方法，包括從基板形成延伸的第一鰭狀結構。第一鰭狀結構具有源極/汲極區域和溝道區域，並且第一鰭狀結構由磊晶層的第一堆疊形成，其中，磊晶層包括具有由具有第二組成的第二磊晶層插入的第一組成的第一磊晶層。此方法還包括從第一鰭狀結構的源極/汲極區域去除第二磊晶層以形成第一間隙，用介電層覆蓋第一磊晶層的一部分，並且用介電材料填充第一間隙並且生長另一磊晶材料在每個所述第一磊晶層的至少兩個表面上，以形成第一源極/汲極結構，同時所述介電材料填充所述第一間隙。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露描述了一种半导体设备的制造方法，包括从基板形成延伸的第一鳍状结构。第一鳍状结构具有源极/汲极区域和沟道区域，并且第一鳍状结构由磊晶层的第一堆栈形成，其中，磊晶层包括具有由具有第二组成的第二磊晶层插入的第一组成的第一磊晶层。此方法还包括从第一鳍状结构的源极/汲极区域去除第二磊晶层以形成第一间隙，用介电层覆盖第一磊晶层的一部分，并且用介电材料填充第一间隙并且生长另一磊晶材料在每个所述第一磊晶层的至少两个表面上，以形成第一源极/汲极结构，同时所述介电材料填充所述第一间隙。

公开(公告)号：TW201735256A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW106100112

申请日：2017-01-04

Applicant: 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 孫 冰西 ,  WOOD, BINGXI SUN ,  沃德 麥克G ,  WARD, MICHAEL G. ,  孫世宇 ,  SUN, SHIYU ,  恰德席克 麥克 ,  CHUDZIK, MICHAEL ,  金男成 ,  KIM, NAM SUNG ,  仲 華 ,  CHUNG, HUA ,  黃奕樵 ,  HUANG, YI-CHIAU ,  殷 正操 ,  YING, CHENTSAU ,  張 穎 ,  ZHANG, YING ,  倪 其農 ,  NI, CHI-NUNG ,  董琳 ,  DONG, LIN ,  楊東青 ,  YANG, DONGQING

IPC: H01L21/768 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/0673 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/764 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795

Abstract: 本揭示案提供用於形成用於半導體晶片的環繞式水平閘極(hGAA)結構中具有期望的材料的奈米線結構的奈米線間隔物的方法。在一個實例中，形成針對在基板上奈米線結構的奈米線間隔物的方法包含：在基板上實行橫向蝕刻製程，該基板上設置有多材料層，其中該多材料層包含重複成對的第一層及第二層，該第一層及該第二層各自具有分別在該多材料層中曝露的第一側壁及第二側壁，其中橫向蝕刻製程主要蝕刻該第二層穿過該第二層而在該第二層中形成凹部；以介電質材料填充該凹部；以及從該凹部移除過度填充的介電質層。

Abstract in simplified Chinese: 本揭示案提供用于形成用于半导体芯片的环绕式水平闸极(hGAA)结构中具有期望的材料的奈米线结构的奈米线间隔物的方法。在一个实例中，形成针对在基板上奈米线结构的奈米线间隔物的方法包含：在基板上实行横向蚀刻制程，该基板上设置有多材料层，其中该多材料层包含重复成对的第一层及第二层，该第一层及该第二层各自具有分别在该多材料层中曝露的第一侧壁及第二侧壁，其中横向蚀刻制程主要蚀刻该第二层穿过该第二层而在该第二层中形成凹部；以介电质材料填充该凹部；以及从该凹部移除过度填充的介电质层。