公开(公告)号：TWI563603B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：TW103144713

申请日：2014-12-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 洪奕翔 ,  HUNG, I HSIANG ,  孫維德 ,  SUN, WEI DER ,  郝靜晨 ,  HAO, CHING CHEN

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/665

公开(公告)号：TW201539663A

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：TW103144713

申请日：2014-12-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 洪奕翔 ,  HUNG, I HSIANG ,  孫維德 ,  SUN, WEI DER ,  郝靜晨 ,  HAO, CHING CHEN

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/665

Abstract: 提供一種形成半導體裝置之機制的實施例。半導體裝置包含：位於半導體基底上的閘極堆疊。在一些實施例中，半導體裝置更包含：半導體元件，例如，電阻器，位於半導體基底上。半導體裝置包含：至少位於源極區、汲極區以及閘極堆疊其中之一上的金屬矽化物層。半導體裝置亦包含：位於半導體元件的一部分中的阻擋區。在一些實施例中，阻擋區包含：第一摻質及原子半徑小於第一摻質之第二摻質。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种形成半导体设备之机制的实施例。半导体设备包含：位于半导体基底上的闸极堆栈。在一些实施例中，半导体设备更包含：半导体组件，例如，电阻器，位于半导体基底上。半导体设备包含：至少位于源极区、汲极区以及闸极堆栈其中之一上的金属硅化物层。半导体设备亦包含：位于半导体组件的一部分中的阻挡区。在一些实施例中，阻挡区包含：第一掺质及原子半径小于第一掺质之第二掺质。