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公开(公告)号:TWI563603B
公开(公告)日:2016-12-21
申请号:TW103144713
申请日:2014-12-22
Inventor: 洪奕翔 , HUNG, I HSIANG , 孫維德 , SUN, WEI DER , 郝靜晨 , HAO, CHING CHEN
IPC: H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/08
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L21/26506 , H01L21/28052 , H01L21/28518 , H01L21/823418 , H01L21/823443 , H01L28/20 , H01L29/0847 , H01L29/665
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公开(公告)号:TW201539663A
公开(公告)日:2015-10-16
申请号:TW103144713
申请日:2014-12-22
Inventor: 洪奕翔 , HUNG, I HSIANG , 孫維德 , SUN, WEI DER , 郝靜晨 , HAO, CHING CHEN
IPC: H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/08
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L21/26506 , H01L21/28052 , H01L21/28518 , H01L21/823418 , H01L21/823443 , H01L28/20 , H01L29/0847 , H01L29/665
Abstract: 提供一種形成半導體裝置之機制的實施例。半導體裝置包含:位於半導體基底上的閘極堆疊。在一些實施例中,半導體裝置更包含:半導體元件,例如,電阻器,位於半導體基底上。半導體裝置包含:至少位於源極區、汲極區以及閘極堆疊其中之一上的金屬矽化物層。半導體裝置亦包含:位於半導體元件的一部分中的阻擋區。在一些實施例中,阻擋區包含:第一摻質及原子半徑小於第一摻質之第二摻質。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种形成半导体设备之机制的实施例。半导体设备包含:位于半导体基底上的闸极堆栈。在一些实施例中,半导体设备更包含:半导体组件,例如,电阻器,位于半导体基底上。半导体设备包含:至少位于源极区、汲极区以及闸极堆栈其中之一上的金属硅化物层。半导体设备亦包含:位于半导体组件的一部分中的阻挡区。在一些实施例中,阻挡区包含:第一掺质及原子半径小于第一掺质之第二掺质。
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3.P型半導體元件、P型金氧半導場效電晶體及雙閘極氧化物層之方法 METHOD FOR FABRICATING PMOS TO REDUCE NATIVE BIAS TEMPERATURE INSTABILITY 失效
Simplified title: P型半导体组件、P型金氧半导场效应管及双闸极氧化物层之方法 METHOD FOR FABRICATING PMOS TO REDUCE NATIVE BIAS TEMPERATURE INSTABILITY公开(公告)号:TWI315910B
公开(公告)日:2009-10-11
申请号:TW092117372
申请日:2003-06-26
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 一種半導體裝置的形成方法,特別適用於製造P型半導體元件。首先將一具有N型井區之半導體基底進行氯處理與氧化製程,以形成含氯之閘極氧化物層。接著於閘極氧化物層表面覆蓋一閘極材料。其次,定義該閘極材料與該閘極氧化物層形成一閘極結構。最後,於該閘極結構兩側之半導底基底上進行摻雜,以形成源極/汲極區。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备的形成方法,特别适用于制造P型半导体组件。首先将一具有N型井区之半导体基底进行氯处理与氧化制程,以形成含氯之闸极氧化物层。接着于闸极氧化物层表面覆盖一闸极材料。其次,定义该闸极材料与该闸极氧化物层形成一闸极结构。最后,于该闸极结构两侧之半导底基底上进行掺杂,以形成源极/汲极区。
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