公开(公告)号：TWI563603B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：TW103144713

申请日：2014-12-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 洪奕翔 ,  HUNG, I HSIANG ,  孫維德 ,  SUN, WEI DER ,  郝靜晨 ,  HAO, CHING CHEN

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/665

公开(公告)号：TW201539663A

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：TW103144713

申请日：2014-12-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 洪奕翔 ,  HUNG, I HSIANG ,  孫維德 ,  SUN, WEI DER ,  郝靜晨 ,  HAO, CHING CHEN

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/665

Abstract: 提供一種形成半導體裝置之機制的實施例。半導體裝置包含：位於半導體基底上的閘極堆疊。在一些實施例中，半導體裝置更包含：半導體元件，例如，電阻器，位於半導體基底上。半導體裝置包含：至少位於源極區、汲極區以及閘極堆疊其中之一上的金屬矽化物層。半導體裝置亦包含：位於半導體元件的一部分中的阻擋區。在一些實施例中，阻擋區包含：第一摻質及原子半徑小於第一摻質之第二摻質。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种形成半导体设备之机制的实施例。半导体设备包含：位于半导体基底上的闸极堆栈。在一些实施例中，半导体设备更包含：半导体组件，例如，电阻器，位于半导体基底上。半导体设备包含：至少位于源极区、汲极区以及闸极堆栈其中之一上的金属硅化物层。半导体设备亦包含：位于半导体组件的一部分中的阻挡区。在一些实施例中，阻挡区包含：第一掺质及原子半径小于第一掺质之第二掺质。

公开(公告)号：TWI315910B

公开(公告)日：2009-10-11

申请号：TW092117372

申请日：2003-06-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 郝靜晨 ,  陳朝祺 ,  沈志恆 ,  謝奇勳

IPC: H01L

Abstract: 一種半導體裝置的形成方法，特別適用於製造P型半導體元件。首先將一具有N型井區之半導體基底進行氯處理與氧化製程，以形成含氯之閘極氧化物層。接著於閘極氧化物層表面覆蓋一閘極材料。其次，定義該閘極材料與該閘極氧化物層形成一閘極結構。最後，於該閘極結構兩側之半導底基底上進行摻雜，以形成源極/汲極區。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备的形成方法，特别适用于制造P型半导体组件。首先将一具有N型井区之半导体基底进行氯处理与氧化制程，以形成含氯之闸极氧化物层。接着于闸极氧化物层表面覆盖一闸极材料。其次，定义该闸极材料与该闸极氧化物层形成一闸极结构。最后，于该闸极结构两侧之半导底基底上进行掺杂，以形成源极/汲极区。