P型半導體元件、P型金氧半導場效電晶體及雙閘極氧化物層之方法 METHOD FOR FABRICATING PMOS TO REDUCE NATIVE BIAS TEMPERATURE INSTABILITY
    3.
    发明专利
    P型半導體元件、P型金氧半導場效電晶體及雙閘極氧化物層之方法 METHOD FOR FABRICATING PMOS TO REDUCE NATIVE BIAS TEMPERATURE INSTABILITY 失效
    P型半导体组件、P型金氧半导场效应管及双闸极氧化物层之方法 METHOD FOR FABRICATING PMOS TO REDUCE NATIVE BIAS TEMPERATURE INSTABILITY

    公开(公告)号:TWI315910B

    公开(公告)日:2009-10-11

    申请号:TW092117372

    申请日:2003-06-26

    IPC: H01L

    Abstract: 一種半導體裝置的形成方法,特別適用於製造P型半導體元件。首先將一具有N型井區之半導體基底進行氯處理與氧化製程,以形成含氯之閘極氧化物層。接著於閘極氧化物層表面覆蓋一閘極材料。其次,定義該閘極材料與該閘極氧化物層形成一閘極結構。最後,於該閘極結構兩側之半導底基底上進行摻雜,以形成源極/汲極區。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备的形成方法,特别适用于制造P型半导体组件。首先将一具有N型井区之半导体基底进行氯处理与氧化制程,以形成含氯之闸极氧化物层。接着于闸极氧化物层表面覆盖一闸极材料。其次,定义该闸极材料与该闸极氧化物层形成一闸极结构。最后,于该闸极结构两侧之半导底基底上进行掺杂,以形成源极/汲极区。

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