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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI668836B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW107100309
申请日：2018-01-04
Inventor： 薩姆拉 尼克 , SAMRA, NICK , 羅斯 艾倫 , ROTH, ALAN , 蘇寧 艾力克 , SOENEN, ERIC , 魯蘇 斯帝芬 , RUSU, STEFAN , 拉努奇 保羅 , RANUCCI, PAUL
IPC: H01L25/065 , H01L21/64
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公开(公告)号：TW201834169A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106136007
申请日：2017-10-20
Inventor： 徐英智 , HSU, YING-CHIH , 羅斯 艾倫 , ROTH, ALAN , 王垂堂 , WANG, CHUEI-TANG , 張智援 , CHANG, CHIH-YUAN , 蘇寧 艾力克 , SOENEN, ERIC , 陳致霖 , CHEN, CHIH-LIN
IPC: H01L23/367 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 一種封裝結構包括第一封裝層、第二封裝層、以及位於所述第一封裝層與所述第二封裝層之間的晶片層。所述第一封裝層包括與第一導熱結構電性隔離的電訊號結構。所述晶片層包括電性連接至所述電訊號結構的積體電路（IC）晶片、模製材料、以及位於所述模製材料中的導通孔。所述第一導熱結構、所述導通孔、及所述第二導熱結構被配置成自所述積體電路晶片至所述第二封裝層的與所述晶片層相對的表面的低熱阻路徑。
Abstract in simplified Chinese: 一种封装结构包括第一封装层、第二封装层、以及位于所述第一封装层与所述第二封装层之间的芯片层。所述第一封装层包括与第一导热结构电性隔离的电信号结构。所述芯片层包括电性连接至所述电信号结构的集成电路（IC）芯片、模制材料、以及位于所述模制材料中的导通孔。所述第一导热结构、所述导通孔、及所述第二导热结构被配置成自所述集成电路芯片至所述第二封装层的与所述芯片层相对的表面的低热阻路径。
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公开(公告)号：TW201822471A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106121754
申请日：2017-06-29
Inventor： 金紐亞 馬丁 , KINYUA, MARTIN , 蘇寧 艾力克 , SOENEN, ERIC , 甘達拉 馬吉爾 , GANDARA, MIGUEL
IPC: H03M1/12
Abstract: 一種類比-數位轉換器（ADC）電路包括：第一類比-數位ADC級，包括第一逐次逼近寄存器（SAR）電路，其將當前類比輸入信號轉換成與當前數位輸出信號的最高有效位元部分對應的第一數位信號、並產生與當前類比輸入信號與第一數位信號之間的電壓值差對應的殘餘電壓；第二類比-數位ADC級，耦合至第一類比-數位ADC級並包括放大器電路，其放大殘餘電壓；以及第三類比-數位ADC級，耦合至第二類比-數位ADC級並包括第二SAR電路，當第一SAR電路接收到下一類比輸入信號時，將放大的殘餘電壓轉換成與當前數位輸出信號的最低有效位元部分對應的第二數位信號。
Abstract in simplified Chinese: 一种模拟-数码转换器（ADC）电路包括：第一模拟-数码ADC级，包括第一逐次逼近寄存器（SAR）电路，其将当前模拟输入信号转换成与当前数码输出信号的最高有效比特部分对应的第一数码信号、并产生与当前模拟输入信号与第一数码信号之间的电压值差对应的残余电压；第二模拟-数码ADC级，耦合至第一模拟-数码ADC级并包括放大器电路，其放大残余电压；以及第三模拟-数码ADC级，耦合至第二模拟-数码ADC级并包括第二SAR电路，当第一SAR电路接收到下一模拟输入信号时，将放大的残余电压转换成与当前数码输出信号的最低有效比特部分对应的第二数码信号。
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公开(公告)号：TWI681517B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW106136007
申请日：2017-10-20
Inventor： 徐英智 , HSU, YING-CHIH , 羅斯 艾倫 , ROTH, ALAN , 王垂堂 , WANG, CHUEI-TANG , 張智援 , CHANG, CHIH-YUAN , 蘇寧 艾力克 , SOENEN, ERIC , 陳致霖 , CHEN, CHIH-LIN
IPC: H01L23/367 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L21/48
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公开(公告)号：TW201837928A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107105280
申请日：2018-02-13
Inventor： 羅斯 艾倫 , ROTH, ALAN , 蘇寧 艾力克 , SOENEN, ERIC , 拉努奇 保羅 , RANUCCI, PAUL
Abstract: 本發明實施例公開包含一種或多種磁性薄膜（MTF）材料的各種磁性薄膜電感器結構。在運作期間，電場穿過一個或多個導電線圈，此繼而產生磁場，進而在這些磁性薄膜電感器結構內儲存能量。在這些磁性薄膜電感器結構內的磁性薄膜（MTF）材料有效地吸引此磁場的磁通量線。結果，相較於不具有所述一種或多種磁性薄膜材料的其他電感器結構產生的磁場所導致的磁洩漏，由這些磁性薄膜電感器結構產生的磁場所導致的任何朝向周圍電裝置、機械裝置及/或電機械裝置的磁洩漏減少。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例公开包含一种或多种磁性薄膜（MTF）材料的各种磁性薄膜电感器结构。在运作期间，电场穿过一个或多个导电线圈，此继而产生磁场，进而在这些磁性薄膜电感器结构内存储能量。在这些磁性薄膜电感器结构内的磁性薄膜（MTF）材料有效地吸引此磁场的磁通量线。结果，相较于不具有所述一种或多种磁性薄膜材料的其他电感器结构产生的磁场所导致的磁泄漏，由这些磁性薄膜电感器结构产生的磁场所导致的任何朝向周围电设备、机械设备及/或电机械设备的磁泄漏减少。
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