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公开(公告)号：TW201830652A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106113511
申请日：2017-04-21
Inventor： 陳致霖 , CHEN, CHIH LIN , 蔡仲豪 , TSAI, CHUNG HAO , 謝政憲 , HSIEH, JENG SHIEN , 王垂堂 , WANG, CHUEI TANG , 余振華 , YU, CHEN HUA , 張智援 , CHANG, CHIH YUAN
IPC: H01L23/64
Abstract: 一種封裝結構包含一第一重分佈層、一模料、一半導體元件和一電感器。模料位於第一重分佈層上。半導體元件封在模料中。電感器穿透通過模料且電性連接半導體元件。
Abstract in simplified Chinese: 一种封装结构包含一第一重分布层、一模料、一半导体组件和一电感器。模料位于第一重分布层上。半导体组件封在模料中。电感器穿透通过模料且电性连接半导体组件。
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公开(公告)号：TW201834169A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106136007
申请日：2017-10-20
Inventor： 徐英智 , HSU, YING-CHIH , 羅斯 艾倫 , ROTH, ALAN , 王垂堂 , WANG, CHUEI-TANG , 張智援 , CHANG, CHIH-YUAN , 蘇寧 艾力克 , SOENEN, ERIC , 陳致霖 , CHEN, CHIH-LIN
IPC: H01L23/367 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 一種封裝結構包括第一封裝層、第二封裝層、以及位於所述第一封裝層與所述第二封裝層之間的晶片層。所述第一封裝層包括與第一導熱結構電性隔離的電訊號結構。所述晶片層包括電性連接至所述電訊號結構的積體電路（IC）晶片、模製材料、以及位於所述模製材料中的導通孔。所述第一導熱結構、所述導通孔、及所述第二導熱結構被配置成自所述積體電路晶片至所述第二封裝層的與所述晶片層相對的表面的低熱阻路徑。
Abstract in simplified Chinese: 一种封装结构包括第一封装层、第二封装层、以及位于所述第一封装层与所述第二封装层之间的芯片层。所述第一封装层包括与第一导热结构电性隔离的电信号结构。所述芯片层包括电性连接至所述电信号结构的集成电路（IC）芯片、模制材料、以及位于所述模制材料中的导通孔。所述第一导热结构、所述导通孔、及所述第二导热结构被配置成自所述集成电路芯片至所述第二封装层的与所述芯片层相对的表面的低热阻路径。
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公开(公告)号：TWI679743B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW107129274
申请日：2018-08-22
Inventor： 陳致霖 , CHEN, CHIH-LIN , 劉欽洲 , LIU, CHIN-CHOU , 張豐願 , CHANG, FONG-YUAN , 李惠宇 , LEE, HUI-YU , 黃博祥 , HUANG, PO-HSIANG
IPC: H01L23/525 , H01L27/01
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公开(公告)号：TWI681517B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW106136007
申请日：2017-10-20
Inventor： 徐英智 , HSU, YING-CHIH , 羅斯 艾倫 , ROTH, ALAN , 王垂堂 , WANG, CHUEI-TANG , 張智援 , CHANG, CHIH-YUAN , 蘇寧 艾力克 , SOENEN, ERIC , 陳致霖 , CHEN, CHIH-LIN
IPC: H01L23/367 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L21/48
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