積體電路、用於形成積體電路的系統及方法
    4.
    发明专利
    積體電路、用於形成積體電路的系統及方法 审中-公开
    集成电路、用于形成集成电路的系统及方法

    公开(公告)号:TW201820538A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:TW106136039

    申请日:2017-10-20

    Abstract: 一種積體電路結構包括軌道集合、導電結構第一集合、及導電結構第二集合、以及通孔第一集合。軌道集合在第一方向上延伸且位於第一水平高度。軌道集合的每一軌道在第二方向上彼此分隔開。導電結構第一集合在第二方向上延伸,與軌道集合交疊且位於第二水平高度。通孔第一集合位於軌道集合與導電結構第一集合之間。通孔第一集合的每一通孔位於導電結構第一集合的每一導電結構與軌道集合的每一軌道交疊之處。通孔第一集合將導電結構第一集合耦合至軌道集合。導電結構第二集合位於軌道集合之間。

    Abstract in simplified Chinese: 一种集成电路结构包括轨道集合、导电结构第一集合、及导电结构第二集合、以及通孔第一集合。轨道集合在第一方向上延伸且位于第一水平高度。轨道集合的每一轨道在第二方向上彼此分隔开。导电结构第一集合在第二方向上延伸,与轨道集合交叠且位于第二水平高度。通孔第一集合位于轨道集合与导电结构第一集合之间。通孔第一集合的每一通孔位于导电结构第一集合的每一导电结构与轨道集合的每一轨道交叠之处。通孔第一集合将导电结构第一集合耦合至轨道集合。导电结构第二集合位于轨道集合之间。

    半導體裝置
    8.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号:TW201834179A

    公开(公告)日:2018-09-16

    申请号:TW106119592

    申请日:2017-06-13

    Abstract: 一種半導體裝置包括:位於彼此頂上的第一金屬化層、第二金屬化層、及第三金屬化層,設置於基底上方,其中所述第一金屬化層、所述第二金屬化層、及所述第三金屬化層中的每一者包括形成於相應介電層中的相應金屬化結構,其中所述第二金屬化層設置於所述第一金屬化層與所述第三金屬化層之間;以及通孔塔結構,從所述第一金屬化層延伸至所述第三金屬化層,以電耦合所述第一金屬化層與所述第三金屬化層各自的所述相應金屬化結構的至少一部分。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包括:位于彼此顶上的第一金属化层、第二金属化层、及第三金属化层,设置于基底上方,其中所述第一金属化层、所述第二金属化层、及所述第三金属化层中的每一者包括形成于相应介电层中的相应金属化结构,其中所述第二金属化层设置于所述第一金属化层与所述第三金属化层之间;以及通孔塔结构,从所述第一金属化层延伸至所述第三金属化层,以电耦合所述第一金属化层与所述第三金属化层各自的所述相应金属化结构的至少一部分。

    積體電路結構及其形成方法
    9.
    发明专利
    積體電路結構及其形成方法 审中-公开
    集成电路结构及其形成方法

    公开(公告)号:TW201820541A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:TW106141047

    申请日:2017-11-24

    Abstract: 一種積體電路(IC)結構包括:電源軌條,在電源軌條方向上定向;以及多個第一金屬段,位於電源軌條上方,在與電源軌條方向垂直的第一金屬層級方向上定向。位於電源軌條與第一金屬段之間的第一通孔位於第一金屬段與電源軌條交疊的位置處。第二金屬段位於第一金屬段上方,與電源軌條交疊,且在電源軌條方向上定向。第二通孔位於第一金屬段與第二金屬段之間第一通孔上方,且電源條帶位於第二金屬段上方。電源條帶電性連接至電源軌條,多個第一金屬段中的每一第一金屬段具有最小寬度,且電源條帶具有大於最小寬度的寬度。

    Abstract in simplified Chinese: 一种集成电路(IC)结构包括:电源轨条,在电源轨条方向上定向;以及多个第一金属段,位于电源轨条上方,在与电源轨条方向垂直的第一金属层级方向上定向。位于电源轨条与第一金属段之间的第一通孔位于第一金属段与电源轨条交叠的位置处。第二金属段位于第一金属段上方,与电源轨条交叠,且在电源轨条方向上定向。第二通孔位于第一金属段与第二金属段之间第一通孔上方,且电源条带位于第二金属段上方。电源条带电性连接至电源轨条,多个第一金属段中的每一第一金属段具有最小宽度,且电源条带具有大于最小宽度的宽度。

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