公开(公告)号：TWI614809B

公开(公告)日：2018-02-11

申请号：TW103122526

申请日：2014-06-30

申请人： 烏翠泰克股份有限公司 ,  ULTRATECH, INC.

发明人： 郝里拉克 安德列M ,  HAWRYLUK, ANDREW M. ,  桑達蘭 葛尼斯 ,  SUNDARAM, GANESH ,  巴堤亞 李維克 ,  BHATIA, RITWIK

IPC分类号： H01L21/324

CPC分类号： H01L21/0262 ,  B23K26/034 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/122 ,  B23K26/1224 ,  B23K2203/56 ,  C23C16/22 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/268 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/2003

公开(公告)号：TWI587368B

公开(公告)日：2017-06-11

申请号：TW104142086

申请日：2011-08-18

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC分类号： H01L21/203 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02694 ,  H01L29/26 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI440082B

公开(公告)日：2014-06-01

申请号：TW101100190

申请日：2012-01-03

申请人： 國立交通大學 ,  NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY

发明人： 劉柏村 ,  LIU, PO TSUN ,  黃震鑠 ,  HUANG, CHEN SHUO

IPC分类号： H01L21/306 ,  C11D7/04

CPC分类号： H01L21/02694 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488

公开(公告)号：TW201243954A

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：TW101105891

申请日：2012-02-22

申请人： 大日本網屏製造股份有限公司

发明人： 布施和彥 ,  加藤慎一 ,  橫內健一

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/2253 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68742

摘要： 本發明提供一種可抑制雜質之擴散並防止製程損傷之產生之熱處理方法及熱處理裝置。藉由進行花費1毫秒以上20毫秒以下之時間使閃光燈之發光輸出達到最大値之第1照射,而使半導體晶圓之表面溫度於1毫秒以上20毫秒以下自預加熱溫度T1升溫至目標溫度T2。藉此達成雜質之活化。繼而,藉由進行花費3毫秒以上50毫秒以下之時間使閃光燈之發光輸出自最大値逐漸降低之第2照射,而使半導體晶圓W之表面溫度於自目標溫度T2�25℃以內之範圍內維持3毫秒以上50毫秒以下。藉此,可抑制雜質之擴散並防止製程損傷之產生。

简体摘要： 本发明提供一种可抑制杂质之扩散并防止制程损伤之产生之热处理方法及热处理设备。借由进行花费1毫秒以上20毫秒以下之时间使闪光灯之发光输出达到最大値之第1照射,而使半导体晶圆之表面温度于1毫秒以上20毫秒以下自预加热温度T1升温至目标温度T2。借此达成杂质之活化。继而,借由进行花费3毫秒以上50毫秒以下之时间使闪光灯之发光输出自最大値逐渐降低之第2照射,而使半导体晶圆W之表面温度于自目标温度T2�25℃以内之范围内维持3毫秒以上50毫秒以下。借此,可抑制杂质之扩散并防止制程损伤之产生。

公开(公告)号：TWI357097B

公开(公告)日：2012-01-21

申请号：TW094122582

申请日：2005-07-04

申请人： 萬國商業機器公司

发明人： 史帝文W 貝德爾 ,  陳華傑 ,  凱斯E 福葛爾 ,  丹佛卓K 珊達那 ,  葛哈瓦G 夏希地

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/2658

摘要： 本發明揭示一種用於製造具有降低之平面瑕疵密度的大體上鬆弛之矽化鍺合金層的方法。本發明之方法包含：在一含矽基板之表面上形成一應變含鍺層；在含鍺層/含矽基板界面處或其下方植入離子；及將其加熱以形成具有降低之平面瑕疵密度的大體上鬆弛之矽化鍺合金層。本發明亦提供具有矽化鍺層之大體上鬆弛的絕緣物上矽化鍺基板材料以及含有相同材料的異質結構，其中該矽化鍺層具有降低之平面瑕疵密度。

简体摘要： 本发明揭示一种用于制造具有降低之平面瑕疵密度的大体上松弛之硅化锗合金层的方法。本发明之方法包含：在一含硅基板之表面上形成一应变含锗层；在含锗层/含硅基板界面处或其下方植入离子；及将其加热以形成具有降低之平面瑕疵密度的大体上松弛之硅化锗合金层。本发明亦提供具有硅化锗层之大体上松弛的绝缘物上硅化锗基板材料以及含有相同材料的异质结构，其中该硅化锗层具有降低之平面瑕疵密度。

公开(公告)号：TWI304622B

公开(公告)日：2008-12-21

申请号：TW093126077

申请日：2004-08-30

申请人： 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

发明人： 貝卓史蒂芬W. BEDELL, STEPHEN W. ,  陳華傑 CHEN, HUAJIE ,  福吉爾基斯E. FOGEL, KEITH E. ,  沙達那戴芬卓K. SADANA, DEVENDRA K.

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/7624 ,  C30B29/52 ,  C30B31/02 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694 ,  Y10T428/24917

摘要： 高品質,亞穩的(metastable)矽鍺合金被形成在具有一約500埃()或更小的SOI層之SOI基板上,與形成在較厚基板上之相同的矽鍺層相較下,該等矽鍺層可保持大致完全地拉緊,之後依序地在高溫下被退火及/或氧化。本發明因此提供一種方法,其藉由將亞穩的、拉緊的(strained)矽鍺層長在薄的、乾淨的及高品質的SOI基板上來「破壞(frustrating)」該等亞穩的、拉緊的矽鍺層。

简体摘要： 高品质,亚稳的(metastable)硅锗合金被形成在具有一约500埃()或更小的SOI层之SOI基板上,与形成在较厚基板上之相同的硅锗层相较下,该等硅锗层可保持大致完全地拉紧,之后依序地在高温下被退火及/或氧化。本发明因此提供一种方法,其借由将亚稳的、拉紧的(strained)硅锗层长在薄的、干净的及高品质的SOI基板上来“破坏(frustrating)”该等亚稳的、拉紧的硅锗层。

公开(公告)号：TW200618077A

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：TW094122582

申请日：2005-07-04

申请人： 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

发明人： 史帝文W 貝德爾 BEDELL, STEPHEN W. ,  陳華傑 CHEN, HUAJIE ,  凱斯E 福葛爾 FOGEL, KEITH E. ,  丹佛卓K 珊達那 SADANA, DEVENDRA K. ,  葛哈瓦G 夏希地 SHAHIDI, GHAVAM G.

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/2658

摘要： 本發明揭示一種用於製造具有降低之平面瑕疵密度的大體上鬆弛之矽化鍺合金層的方法。本發明之方法包含：在一含矽基板之表面上形成一應變含鍺層；在含鍺層／含矽基板界面處或其下方植入離子；及將其加熱以形成具有降低之平面瑕疵密度的大體上鬆弛之矽化鍺合金層。本發明亦提供具有矽化鍺層之大體上鬆弛的絕緣物上矽化鍺基板材料以及含有相同材料的異質結構，其中該矽化鍺層具有降低之平面瑕疵密度。

简体摘要： 本发明揭示一种用于制造具有降低之平面瑕疵密度的大体上松弛之硅化锗合金层的方法。本发明之方法包含：在一含硅基板之表面上形成一应变含锗层；在含锗层／含硅基板界面处或其下方植入离子；及将其加热以形成具有降低之平面瑕疵密度的大体上松弛之硅化锗合金层。本发明亦提供具有硅化锗层之大体上松弛的绝缘物上硅化锗基板材料以及含有相同材料的异质结构，其中该硅化锗层具有降低之平面瑕疵密度。

公开(公告)号：TW200512841A

公开(公告)日：2005-04-01

申请号：TW093126077

申请日：2004-08-30

申请人： 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

发明人： 貝卓史蒂芬W. BEDELL, STEPHEN W. ,  陳華傑 CHEN, HUAJIE ,  福吉爾基斯E FOGEL, KEITH E. ,  沙達那戴芬卓K SADANA, DEVENDRA K.

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/7624 ,  C30B29/52 ,  C30B31/02 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694 ,  Y10T428/24917

摘要： 高品質，亞穩的(metastable)矽鍺合金被形成在具有一約500埃()或更小的SOI層之SOI基板上，與形成在較厚基板上之相同的矽鍺層相較下，該等矽鍺層可保持大致完全地拉緊，之後依序地在高溫下被退火及／或氧化。本發明因此提供一種方法，其藉由將亞穩的、拉緊的(strained)矽鍺層長在薄的、乾淨的及高品質的SOI基板上來「破壞(frustrating)」該等亞穩的、拉緊的矽鍺層。

简体摘要： 高品质，亚稳的(metastable)硅锗合金被形成在具有一约500埃()或更小的SOI层之SOI基板上，与形成在较厚基板上之相同的硅锗层相较下，该等硅锗层可保持大致完全地拉紧，之后依序地在高温下被退火及／或氧化。本发明因此提供一种方法，其借由将亚稳的、拉紧的(strained)硅锗层长在薄的、干净的及高品质的SOI基板上来“破坏(frustrating)”该等亚稳的、拉紧的硅锗层。

公开(公告)号：TW200425281A

公开(公告)日：2004-11-16

申请号：TW092133334

申请日：2003-11-27

申请人： 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

发明人： 凱 莫雪 可翰 COHEN, GUY MOSHE ,  西克 希德卡 克里斯頓森 CHRISTIANSEN, SILKE HILDEGARD

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/76243 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/7624

摘要： 本發明揭示一種製造一絕緣體上應變的Si層的方法、該絕緣體上應變的Si層之一結構及包括此類層之電子系統。該方法包括以下步驟：在一絕緣體上之Si層的頂部上磊晶形成一SiGe應力鬆弛層；藉由離子植入，將該結晶Si層與該結晶SiGe應力鬆弛層的該下部分轉換為一非晶性材料狀態；及從該SiGe層的該結晶頂部分重新結晶該非晶性材料。該SiGe種晶層的較大晶格常數迫使該Si層中產生一拉伸應變。

简体摘要： 本发明揭示一种制造一绝缘体上应变的Si层的方法、该绝缘体上应变的Si层之一结构及包括此类层之电子系统。该方法包括以下步骤：在一绝缘体上之Si层的顶部上磊晶形成一SiGe应力松弛层；借由离子植入，将该结晶Si层与该结晶SiGe应力松弛层的该下部分转换为一非晶性材料状态；及从该SiGe层的该结晶顶部分重新结晶该非晶性材料。该SiGe种晶层的较大晶格常数迫使该Si层中产生一拉伸应变。

公开(公告)号：TW201809379A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106118107

申请日：2017-06-01

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. ,  國立臺灣大學 ,  NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY

发明人： 楊博宇 ,  YANG, BO YU ,  洪銘輝 ,  HONG, MING HWEI ,  郭瑞年 ,  KWO, JUEI NAI ,  林延勳 ,  LIN, YEN HSUN ,  林耕雍 ,  LIN, KENG YUNG ,  萬獻文 ,  WAN, HSIEN WEN ,  鄭兆凱 ,  CHENG, CHAO KAI ,  盧冠傑 ,  LU, KUAN CHIEH

IPC分类号： C30B25/22 ,  C30B33/02 ,  C30B29/28 ,  H01L31/0256

CPC分类号： H01L21/02609 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  Y02E10/549

摘要： 一種形成具有鈣鈦礦單晶結構的材料的方法，包括：交替地生長一第一層和一第二層在一基板上，其中，上述第一層與上述第二層的組成不同，且上述第一層及上述第二層為複數個；以及將上述第一層和上述第二層退火，形成一具有鈣鈦礦單晶結構的材料。

简体摘要： 一种形成具有钙钛矿单晶结构的材料的方法，包括：交替地生长一第一层和一第二层在一基板上，其中，上述第一层与上述第二层的组成不同，且上述第一层及上述第二层为复数个；以及将上述第一层和上述第二层退火，形成一具有钙钛矿单晶结构的材料。