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公开(公告)号:TW201347105A
公开(公告)日:2013-11-16
申请号:TW102111828
申请日:2013-04-02
Inventor: 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING KAI , 謬佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 呂俊麟 , LU, CHUN LIN
IPC: H01L23/12 , H01L23/485
CPC classification number: H01L23/485 , G06F17/5068 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H05K1/0271 , H05K1/115 , H05K2201/068 , H05K2201/09781 , H05K2201/10378
Abstract: 本發明實施例之結構包含具有複數個焊球的基底,半導體晶片以及電性連接基底與半導體晶片的中介層,中介層包括第一側及與第一側相反的第二側,至少一第一禁止區穿過中介層延伸至這些焊球的每一個焊球上方,至少一主動貫穿導通孔從中介層的第一側延伸至中介層的第二側,其中至少一主動貫穿導通孔在至少一第一禁止區之外形成,且在至少一第一禁止區內無主動貫穿導通孔形成,以及至少一偽貫穿導通孔從中介層的第一側延伸至中介層的第二側,其中至少一偽貫穿導通孔在至少一第一禁止區內形成。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例之结构包含具有复数个焊球的基底,半导体芯片以及电性连接基底与半导体芯片的中介层,中介层包括第一侧及与第一侧相反的第二侧,至少一第一禁止区穿过中介层延伸至这些焊球的每一个焊球上方,至少一主动贯穿导通孔从中介层的第一侧延伸至中介层的第二侧,其中至少一主动贯穿导通孔在至少一第一禁止区之外形成,且在至少一第一禁止区内无主动贯穿导通孔形成,以及至少一伪贯穿导通孔从中介层的第一侧延伸至中介层的第二侧,其中至少一伪贯穿导通孔在至少一第一禁止区内形成。
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公开(公告)号:TWI515839B
公开(公告)日:2016-01-01
申请号:TW102111828
申请日:2013-04-02
Inventor: 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING KAI , 謬佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 呂俊麟 , LU, CHUN LIN
IPC: H01L23/12 , H01L23/485
CPC classification number: H01L23/485 , G06F17/5068 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H05K1/0271 , H05K1/115 , H05K2201/068 , H05K2201/09781 , H05K2201/10378
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