公开(公告)号：TW201347105A

公开(公告)日：2013-11-16

申请号：TW102111828

申请日：2013-04-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 梁世緯 ,  LIANG, SHIH WEI ,  吳凱強 ,  WU, KAI CHIANG ,  劉明凱 ,  LIU, MING KAI ,  謬佳君 ,  MIAO, CHIA CHUN ,  呂俊麟 ,  LU, CHUN LIN

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L23/485 ,  G06F17/5068 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/0271 ,  H05K1/115 ,  H05K2201/068 ,  H05K2201/09781 ,  H05K2201/10378

Abstract: 本發明實施例之結構包含具有複數個焊球的基底，半導體晶片以及電性連接基底與半導體晶片的中介層，中介層包括第一側及與第一側相反的第二側，至少一第一禁止區穿過中介層延伸至這些焊球的每一個焊球上方，至少一主動貫穿導通孔從中介層的第一側延伸至中介層的第二側，其中至少一主動貫穿導通孔在至少一第一禁止區之外形成，且在至少一第一禁止區內無主動貫穿導通孔形成，以及至少一偽貫穿導通孔從中介層的第一側延伸至中介層的第二側，其中至少一偽貫穿導通孔在至少一第一禁止區內形成。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例之结构包含具有复数个焊球的基底，半导体芯片以及电性连接基底与半导体芯片的中介层，中介层包括第一侧及与第一侧相反的第二侧，至少一第一禁止区穿过中介层延伸至这些焊球的每一个焊球上方，至少一主动贯穿导通孔从中介层的第一侧延伸至中介层的第二侧，其中至少一主动贯穿导通孔在至少一第一禁止区之外形成，且在至少一第一禁止区内无主动贯穿导通孔形成，以及至少一伪贯穿导通孔从中介层的第一侧延伸至中介层的第二侧，其中至少一伪贯穿导通孔在至少一第一禁止区内形成。

公开(公告)号：TWI515839B

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW102111828

申请日：2013-04-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 梁世緯 ,  LIANG, SHIH WEI ,  吳凱強 ,  WU, KAI CHIANG ,  劉明凱 ,  LIU, MING KAI ,  謬佳君 ,  MIAO, CHIA CHUN ,  呂俊麟 ,  LU, CHUN LIN

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L23/485 ,  G06F17/5068 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/0271 ,  H05K1/115 ,  H05K2201/068 ,  H05K2201/09781 ,  H05K2201/10378