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公开(公告)号：TW201503306A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103103108
申请日：2014-01-28
Inventor： 劉明凱 , LIU, MING KAI , 呂俊麟 , LU, CHUN LIN , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 楊青峰 , YANG, CHING FENG , 王彥評 , WANG, YEN PING , 繆佳君 , MIAO, CHIA CHUN
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L2224/02375 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05551 , H01L2224/06152 , H01L2224/06179 , H01L2224/13005 , H01L2224/13028 , H01L2224/13116 , H01L2224/1403 , H01L2224/14152 , H01L2224/14179 , H01L2224/14515 , H01L2224/1601 , H01L2224/16058 , H01L2224/16105 , H01L2224/16106 , H01L2224/1703 , H01L2224/17051 , H01L2224/17104 , H01L2224/17515 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2924/0105 , H01L2924/01322 , H01L2924/00014 , H01L2924/206 , H01L2924/207 , H01L2924/00
Abstract: 一種表面固著半導體元件，包括一半導體裝置、一電路板、複數個第一焊錫凸塊及複數個第二焊錫凸塊。半導體裝置具有複數個晶粒墊。電路板具有複數個接觸墊。複數個第一焊錫凸塊係結合半導體裝置及電路板。每一第一焊錫凸塊係連接至少兩晶粒墊於對應之一接觸墊。每一第二焊錫凸塊係連接一晶粒墊於對應之一接觸墊。
Abstract in simplified Chinese: 一种表面固着半导体组件，包括一半导体设备、一电路板、复数个第一焊锡凸块及复数个第二焊锡凸块。半导体设备具有复数个晶粒垫。电路板具有复数个接触垫。复数个第一焊锡凸块系结合半导体设备及电路板。每一第一焊锡凸块系连接至少两晶粒垫于对应之一接触垫。每一第二焊锡凸块系连接一晶粒垫于对应之一接触垫。
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公开(公告)号：TWI515839B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW102111828
申请日：2013-04-02
Inventor： 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING KAI , 謬佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 呂俊麟 , LU, CHUN LIN
IPC: H01L23/12 , H01L23/485
CPC classification number: H01L23/485 , G06F17/5068 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H05K1/0271 , H05K1/115 , H05K2201/068 , H05K2201/09781 , H05K2201/10378
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公开(公告)号：TWI548055B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW102113900
申请日：2013-04-19
Inventor： 劉明凱 , LIU, MING KAI , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG
IPC: H01L23/528 , H01L23/538
CPC classification number: H01L24/17 , H01L21/50 , H01L23/488 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/52 , H01L24/13 , H01L24/15 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/13101 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/1703 , H01L2224/17519 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81986 , H01L2225/0651 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/00011 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/81805
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公开(公告)号：TW201822317A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106101817
申请日：2017-01-19
Inventor： 張守仁 , CHANG, SHOU-ZEN , 蔡仲豪 , TSAI, CHUNG-HAO , 王垂堂 , WANG, CHUEI-TANG , 吳凱強 , WU, KAI-CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING-KAI
Abstract: 一種整合扇出型封裝，其包括一絕緣包封體、一射頻積體電路、一天線、一接地導體以及一重配置線路結構。射頻積體電路包括多個導電端子。射頻積體電路、天線及接地導體嵌於絕緣包封體中，且接地導體位於射頻積體電路與天線之間。重配置線路結構配置於絕緣封包體上，且重配置線路結構與導電端子、天線以及接地導體電性連接。
Abstract in simplified Chinese: 一种集成扇出型封装，其包括一绝缘包封体、一射频集成电路、一天线、一接地导体以及一重配置线路结构。射频集成电路包括多个导电端子。射频集成电路、天线及接地导体嵌于绝缘包封体中，且接地导体位于射频集成电路与天线之间。重配置线路结构配置于绝缘封包体上，且重配置线路结构与导电端子、天线以及接地导体电性连接。
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公开(公告)号：TW201347132A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102113900
申请日：2013-04-19
Inventor： 劉明凱 , LIU, MING KAI , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG
IPC: H01L23/528 , H01L23/538
CPC classification number: H01L24/17 , H01L21/50 , H01L23/488 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/52 , H01L24/13 , H01L24/15 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/13101 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/1703 , H01L2224/17519 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81986 , H01L2225/0651 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/00011 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/81805
Abstract: 本發明一實施例提供一種堆疊封裝元件，包括：一第一封裝體，包括一第一晶片、一第一基板、以及一第一連接件，其中第一晶片配置於第一基板的一第一表面上，第一連接件連接第一基板的一第二表面；以及一第二封裝體，包括一第二晶片、一第二基板、一第二連接件、以及一閒置連接件，其中第二晶片配置於第二基板的一表面上，第二連接件與閒置連接件配置於第二基板的表面上，其中，第一連接件連接至第二連接件，閒置連接件不連接第一封裝體的任一連接件。
Abstract in simplified Chinese: 本发明一实施例提供一种堆栈封装组件，包括：一第一封装体，包括一第一芯片、一第一基板、以及一第一连接件，其中第一芯片配置于第一基板的一第一表面上，第一连接件连接第一基板的一第二表面；以及一第二封装体，包括一第二芯片、一第二基板、一第二连接件、以及一闲置连接件，其中第二芯片配置于第二基板的一表面上，第二连接件与闲置连接件配置于第二基板的表面上，其中，第一连接件连接至第二连接件，闲置连接件不连接第一封装体的任一连接件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201347105A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102111828
申请日：2013-04-02
Inventor： 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING KAI , 謬佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 呂俊麟 , LU, CHUN LIN
IPC: H01L23/12 , H01L23/485
CPC classification number: H01L23/485 , G06F17/5068 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H05K1/0271 , H05K1/115 , H05K2201/068 , H05K2201/09781 , H05K2201/10378
Abstract: 本發明實施例之結構包含具有複數個焊球的基底，半導體晶片以及電性連接基底與半導體晶片的中介層，中介層包括第一側及與第一側相反的第二側，至少一第一禁止區穿過中介層延伸至這些焊球的每一個焊球上方，至少一主動貫穿導通孔從中介層的第一側延伸至中介層的第二側，其中至少一主動貫穿導通孔在至少一第一禁止區之外形成，且在至少一第一禁止區內無主動貫穿導通孔形成，以及至少一偽貫穿導通孔從中介層的第一側延伸至中介層的第二側，其中至少一偽貫穿導通孔在至少一第一禁止區內形成。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例之结构包含具有复数个焊球的基底，半导体芯片以及电性连接基底与半导体芯片的中介层，中介层包括第一侧及与第一侧相反的第二侧，至少一第一禁止区穿过中介层延伸至这些焊球的每一个焊球上方，至少一主动贯穿导通孔从中介层的第一侧延伸至中介层的第二侧，其中至少一主动贯穿导通孔在至少一第一禁止区之外形成，且在至少一第一禁止区内无主动贯穿导通孔形成，以及至少一伪贯穿导通孔从中介层的第一侧延伸至中介层的第二侧，其中至少一伪贯穿导通孔在至少一第一禁止区内形成。
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公开(公告)号：TWI529889B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW103114632
申请日：2014-04-23
Inventor： 呂俊麟 , LU, CHUN LIN , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING KAI , 王彥評 , WANG, YEN PING , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 楊青峰 , YANG, CHING FENG , 繆佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05552 , H01L2224/05555 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/06051 , H01L2224/1134 , H01L2224/13012 , H01L2224/13026 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/13551 , H01L2224/13562 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13611 , H01L2224/13616 , H01L2224/14051 , H01L2224/16058 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81416 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/3512
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公开(公告)号：TW201601273A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW103128558
申请日：2014-08-20
Inventor： 劉明凱 , LIU, MING KAI , 史朝文 , SHIH, CHAO WEN , 江永平 , CHIANG, YUNG PING
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/544 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/564 , H01L23/585 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2224/03002 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/10126 , H01L2224/11002 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1191 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16105 , H01L2224/16145 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/014
Abstract: 一種半導體裝置，其包括：基底，其包括在基底上設置的襯墊和對準特徵件；鈍化層，其設置在基底和襯墊的周邊上；鈍化後互聯(PPI)，其包括在襯墊上設置的通過部分和容納導電凸塊的延伸部分，以將襯墊與導電凸塊電連接；聚合物，其覆蓋PPI；以及模制材料，其在聚合物上並圍繞導電凸塊設置；其中，模制材料包括與對準特徵件正交對準並鄰近半導體裝置邊緣的第一部分以及半導體裝置邊緣遠端的第二部分，第一部分的厚度實質上小於第二部分的厚度，從而對準特徵件通過模制材料在預定輻射下是可見的。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，其包括：基底，其包括在基底上设置的衬垫和对准特征件；钝化层，其设置在基底和衬垫的周边上；钝化后互联(PPI)，其包括在衬垫上设置的通过部分和容纳导电凸块的延伸部分，以将衬垫与导电凸块电连接；聚合物，其覆盖PPI；以及模制材料，其在聚合物上并围绕导电凸块设置；其中，模制材料包括与对准特征件正交对准并邻近半导体设备边缘的第一部分以及半导体设备边缘远程的第二部分，第一部分的厚度实质上小于第二部分的厚度，从而对准特征件通过模制材料在预定辐射下是可见的。
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公开(公告)号：TW201519390A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103116031
申请日：2014-05-06
Inventor： 史朝文 , SHIH, CHAO WEN , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 楊青峰 , YANG, CHING FENG , 劉明凱 , LIU, MING KAI , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 王彥評 , WANG, YEN PING
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/291 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02175 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05684 , H01L2224/10145 , H01L2224/1134 , H01L2224/11849 , H01L2224/13007 , H01L2224/13023 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/81191 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029
Abstract: 本揭露提供一種半導體封裝，其包含一基板，一保護層，具有一頂表面之一後鈍化互連(post-passivation interconnect,PPI)；及一導電結構。該PPI之該頂表面包含接收該導電結構之一第一區域及一環繞該第一區域之一第二區域。該第二區域包含金屬衍生物，其由該第一區域之材料所轉變。本揭露提供一種製造一半導體封裝之方法，其包含形成覆蓋一PPI之一頂表面之一部分之一第一助焊層；轉變未被該第一助焊層所覆蓋之該PPI之該頂表面之一部分成一金屬衍生物層；移除該第一助焊層；在該PPI之該第一區域上形成一第二助焊層；在該助焊層上置放一焊接球；及在該焊接球與該PPI之間形成電連接。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种半导体封装，其包含一基板，一保护层，具有一顶表面之一后钝化互连(post-passivation interconnect,PPI)；及一导电结构。该PPI之该顶表面包含接收该导电结构之一第一区域及一环绕该第一区域之一第二区域。该第二区域包含金属衍生物，其由该第一区域之材料所转变。本揭露提供一种制造一半导体封装之方法，其包含形成覆盖一PPI之一顶表面之一部分之一第一助焊层；转变未被该第一助焊层所覆盖之该PPI之该顶表面之一部分成一金属衍生物层；移除该第一助焊层；在该PPI之该第一区域上形成一第二助焊层；在该助焊层上置放一焊接球；及在该焊接球与该PPI之间形成电连接。
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公开(公告)号：TW201729361A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105133466
申请日：2016-10-17
Inventor： 王垂堂 , WANG, CHUEI-TANG , 陳頡彥 , CHEN, CHIEH-YEN , 湯子君 , TANG, TZU-CHUN , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 楊青峰 , YANG, CHING-FENG , 劉明凱 , LIU, MING-KAI , 王彥評 , WANG, YEN-PING , 吳凱強 , WU, KAI-CHIANG , 張守仁 , CHANG, SHOU ZEN , 林韋廷 , LIN, WEI-TING , 呂俊麟 , LU, CHUN-LIN
CPC classification number: H01L23/552 , H01L21/78 , H01L23/3178 , H01L23/528 , H01L23/585 , H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/17 , H01L25/0652 , H01L25/50 , H01L2224/02371 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/08137 , H01L2224/08148 , H01L2224/08238 , H01L2224/16148 , H01L2924/1434
Abstract: 一種半導體裝置包含一半導體晶粒。一介電質材料環繞該半導體晶粒以形成一整合式半導體封裝。存在耦合至該整合式半導體封裝且組態為該半導體封裝之一接地端子之一接點。該半導體裝置進一步具有實質上封圍該整合式半導體封裝之一EMI (電磁干擾)屏蔽物，其中該EMI屏蔽物透過放置於該整合式半導體封裝中之一路徑與該接點耦合。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包含一半导体晶粒。一介电质材料环绕该半导体晶粒以形成一集成式半导体封装。存在耦合至该集成式半导体封装且组态为该半导体封装之一接地端子之一接点。该半导体设备进一步具有实质上封围该集成式半导体封装之一EMI (电磁干扰)屏蔽物，其中该EMI屏蔽物透过放置于该集成式半导体封装中之一路径与该接点耦合。
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