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公开(公告)号：TW201503306A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103103108
申请日：2014-01-28
发明人： 劉明凱 , LIU, MING KAI , 呂俊麟 , LU, CHUN LIN , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 楊青峰 , YANG, CHING FENG , 王彥評 , WANG, YEN PING , 繆佳君 , MIAO, CHIA CHUN
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/81 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L2224/02375 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05551 , H01L2224/06152 , H01L2224/06179 , H01L2224/13005 , H01L2224/13028 , H01L2224/13116 , H01L2224/1403 , H01L2224/14152 , H01L2224/14179 , H01L2224/14515 , H01L2224/1601 , H01L2224/16058 , H01L2224/16105 , H01L2224/16106 , H01L2224/1703 , H01L2224/17051 , H01L2224/17104 , H01L2224/17515 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2924/0105 , H01L2924/01322 , H01L2924/00014 , H01L2924/206 , H01L2924/207 , H01L2924/00
摘要： 一種表面固著半導體元件，包括一半導體裝置、一電路板、複數個第一焊錫凸塊及複數個第二焊錫凸塊。半導體裝置具有複數個晶粒墊。電路板具有複數個接觸墊。複數個第一焊錫凸塊係結合半導體裝置及電路板。每一第一焊錫凸塊係連接至少兩晶粒墊於對應之一接觸墊。每一第二焊錫凸塊係連接一晶粒墊於對應之一接觸墊。
简体摘要： 一种表面固着半导体组件，包括一半导体设备、一电路板、复数个第一焊锡凸块及复数个第二焊锡凸块。半导体设备具有复数个晶粒垫。电路板具有复数个接触垫。复数个第一焊锡凸块系结合半导体设备及电路板。每一第一焊锡凸块系连接至少两晶粒垫于对应之一接触垫。每一第二焊锡凸块系连接一晶粒垫于对应之一接触垫。
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公开(公告)号：TWI515839B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW102111828
申请日：2013-04-02
发明人： 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING KAI , 謬佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 呂俊麟 , LU, CHUN LIN
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/485
CPC分类号： H01L23/485 , G06F17/5068 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H05K1/0271 , H05K1/115 , H05K2201/068 , H05K2201/09781 , H05K2201/10378
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公开(公告)号：TW201347105A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102111828
申请日：2013-04-02
发明人： 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING KAI , 謬佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 呂俊麟 , LU, CHUN LIN
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/485
CPC分类号： H01L23/485 , G06F17/5068 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H05K1/0271 , H05K1/115 , H05K2201/068 , H05K2201/09781 , H05K2201/10378
摘要： 本發明實施例之結構包含具有複數個焊球的基底，半導體晶片以及電性連接基底與半導體晶片的中介層，中介層包括第一側及與第一側相反的第二側，至少一第一禁止區穿過中介層延伸至這些焊球的每一個焊球上方，至少一主動貫穿導通孔從中介層的第一側延伸至中介層的第二側，其中至少一主動貫穿導通孔在至少一第一禁止區之外形成，且在至少一第一禁止區內無主動貫穿導通孔形成，以及至少一偽貫穿導通孔從中介層的第一側延伸至中介層的第二側，其中至少一偽貫穿導通孔在至少一第一禁止區內形成。
简体摘要： 本发明实施例之结构包含具有复数个焊球的基底，半导体芯片以及电性连接基底与半导体芯片的中介层，中介层包括第一侧及与第一侧相反的第二侧，至少一第一禁止区穿过中介层延伸至这些焊球的每一个焊球上方，至少一主动贯穿导通孔从中介层的第一侧延伸至中介层的第二侧，其中至少一主动贯穿导通孔在至少一第一禁止区之外形成，且在至少一第一禁止区内无主动贯穿导通孔形成，以及至少一伪贯穿导通孔从中介层的第一侧延伸至中介层的第二侧，其中至少一伪贯穿导通孔在至少一第一禁止区内形成。
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公开(公告)号：TWI529889B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW103114632
申请日：2014-04-23
发明人： 呂俊麟 , LU, CHUN LIN , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING KAI , 王彥評 , WANG, YEN PING , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 楊青峰 , YANG, CHING FENG , 繆佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05552 , H01L2224/05555 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/06051 , H01L2224/1134 , H01L2224/13012 , H01L2224/13026 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/13551 , H01L2224/13562 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13611 , H01L2224/13616 , H01L2224/14051 , H01L2224/16058 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81416 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/3512
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公开(公告)号：TWI549173B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW103145995
申请日：2014-12-29
发明人： 繆佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 楊青峰 , YANG, CHING FENG , 史朝文 , SHIH, CHAO WEN
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/7621 , H01L21/78 , H01L22/12 , H01L23/3178 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201539595A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103145150
申请日：2014-12-24
发明人： 繆佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 王彥評 , WANG, YEN PING , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING KAI
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/60 , H01L23/50 , H01L23/522
CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/565 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/0231 , H01L2224/02331 , H01L2224/02375 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05184 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05555 , H01L2224/05569 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05684 , H01L2224/11005 , H01L2224/11015 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/13005 , H01L2224/13014 , H01L2224/1302 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/1401 , H01L2224/73204 , H01L2224/81121 , H01L2224/81815 , H01L2924/181 , H01L2924/37001 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01074 , H01L2924/01013 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012
摘要： 半導體結構包含位於基板上方的傳導凸塊，以及被該傳導凸塊環繞的延伸鐵磁件，該延伸鐵磁件包含第一端與第二端並且從該第一端延伸至該第二端，該延伸鐵磁件係實質垂直於該基板，以使該傳導凸塊位於該基板的預定位向與預定位置。再者，製造半導體結構的方法包含提供基板、在該基板內形成傳導凸塊、施加電流流經該導電跡線以產生電磁場，以及響應該導電跡線產生的該電磁場，使含有延伸鐵磁件的傳導凸塊位於基板上方的預定位向與預定位置。
简体摘要： 半导体结构包含位于基板上方的传导凸块，以及被该传导凸块环绕的延伸铁磁件，该延伸铁磁件包含第一端与第二端并且从该第一端延伸至该第二端，该延伸铁磁件系实质垂直于该基板，以使该传导凸块位于该基板的预定位向与预定位置。再者，制造半导体结构的方法包含提供基板、在该基板内形成传导凸块、施加电流流经该导电迹线以产生电磁场，以及响应该导电迹线产生的该电磁场，使含有延伸铁磁件的传导凸块位于基板上方的预定位向与预定位置。
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公开(公告)号：TWI564976B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW103145150
申请日：2014-12-24
发明人： 繆佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 王彥評 , WANG, YEN PING , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING KAI
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/60 , H01L23/50 , H01L23/522
CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/565 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/0231 , H01L2224/02331 , H01L2224/02375 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05184 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05555 , H01L2224/05569 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05684 , H01L2224/11005 , H01L2224/11015 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/13005 , H01L2224/13014 , H01L2224/1302 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/1401 , H01L2224/73204 , H01L2224/81121 , H01L2224/81815 , H01L2924/181 , H01L2924/37001 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01074 , H01L2924/01013 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：TW201535499A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103145995
申请日：2014-12-29
发明人： 繆佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 楊青峰 , YANG, CHING FENG , 史朝文 , SHIH, CHAO WEN
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/7621 , H01L21/78 , H01L22/12 , H01L23/3178 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一種半導體結構包括：晶粒，其包括第一表面；凹槽，其從佈置在該第一表面上的洞孔延伸並包括佈置在該晶粒內的側壁；以及聚合物構件，其被配置用於填充並密封該凹槽，並包括第一外表面和第二外表面；其中，該第一外表面與該凹槽的該側壁交界。
简体摘要： 一种半导体结构包括：晶粒，其包括第一表面；凹槽，其从布置在该第一表面上的洞孔延伸并包括布置在该晶粒内的侧壁；以及聚合物构件，其被配置用于填充并密封该凹槽，并包括第一外表面和第二外表面；其中，该第一外表面与该凹槽的该侧壁交界。
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公开(公告)号：TW201508885A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW103114632
申请日：2014-04-23
发明人： 呂俊麟 , LU, CHUN LIN , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING KAI , 王彥評 , WANG, YEN PING , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 楊青峰 , YANG, CHING FENG , 繆佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05552 , H01L2224/05555 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/06051 , H01L2224/1134 , H01L2224/13012 , H01L2224/13026 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/13551 , H01L2224/13562 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13611 , H01L2224/13616 , H01L2224/14051 , H01L2224/16058 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81416 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/3512
摘要： 本揭露提供一種半導體裝置及其製造方法，半導體裝置包含有載體，球下冶金墊設置於載體上，以及支柱設置於球下冶金墊之表面上。於一些實施例當中，支柱之高度與球下冶金墊之最長長度之比率介於大約0.25~0.7之間。於半導體裝置製造方法，包含有提供載體，設置球下冶金墊於載體上，以及形成支柱於球下冶金墊上。
简体摘要： 本揭露提供一种半导体设备及其制造方法，半导体设备包含有载体，球下冶金垫设置于载体上，以及支柱设置于球下冶金垫之表面上。于一些实施例当中，支柱之高度与球下冶金垫之最长长度之比率介于大约0.25~0.7之间。于半导体设备制造方法，包含有提供载体，设置球下冶金垫于载体上，以及形成支柱于球下冶金垫上。
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