公开(公告)号：TW201830691A

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：TW106125765

申请日：2017-07-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄭兆欽 ,  CHENG, CHAO CHING ,  葉致鍇 ,  YEH, CHIH CHIEH ,  吳政憲 ,  WU, CHENG HSIEN ,  江宏禮 ,  CHIANG, HUNG LI ,  邱榮標 ,  CHIU, JUNG PIAO ,  陳自強 ,  CHEN, TZU CHIANG ,  李宗霖 ,  LEE, TSUNG LIN ,  楊玉麟 ,  YANG, YU LIN ,  陳奕升 ,  CHEN, I SHENG

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一種半導體元件包含有鰭式場效電晶體。鰭式場效電晶體包括設置於鰭上的通道、設置於通道上方的閘極以及源極以及汲極。通道包括至少兩成對的第一半導體層與第二半導體層，第二半導體層形成於第一半導體層上。第一半導體層與第二半導體層具有不同的晶格常數。至少於一成對的第一半導體層與第二半導體層中第一半導體層的厚度為第二半導體層的厚度之3到10倍。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件包含有鳍式场效应管。鳍式场效应管包括设置于鳍上的信道、设置于信道上方的闸极以及源极以及汲极。信道包括至少两成对的第一半导体层与第二半导体层，第二半导体层形成于第一半导体层上。第一半导体层与第二半导体层具有不同的晶格常数。至少于一成对的第一半导体层与第二半导体层中第一半导体层的厚度为第二半导体层的厚度之3到10倍。

公开(公告)号：TWI653758B

公开(公告)日：2019-03-11

申请号：TW106125765

申请日：2017-07-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄭兆欽 ,  CHENG, CHAO CHING ,  葉致鍇 ,  YEH, CHIH CHIEH ,  吳政憲 ,  WU, CHENG HSIEN ,  江宏禮 ,  CHIANG, HUNG LI ,  邱榮標 ,  CHIU, JUNG PIAO ,  陳自強 ,  CHEN, TZU CHIANG ,  李宗霖 ,  LEE, TSUNG LIN ,  楊玉麟 ,  YANG, YU LIN ,  陳奕升 ,  CHEN, I SHENG

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336