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公开(公告)号：TWI670761B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW106135776
申请日：2017-10-18
发明人： 陳奕升 , CHEN, I SHENG , 陳自強 , CHEN, TZU CHIANG , 張智勝 , CHANG, CHIH SHENG , 吳政憲 , WU, CHENG HSIEN
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公开(公告)号：TWI679704B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW106142708
申请日：2017-12-06
发明人： 楊玉麟 , YANG, YU LIN , 陳奕升 , CHEN, I SHENG , 鄭兆欽 , CHENG, CHAO CHING , 陳自強 , CHEN, TZU CHIANG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/78
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公开(公告)号：TWI653758B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW106125765
申请日：2017-07-31
发明人： 鄭兆欽 , CHENG, CHAO CHING , 葉致鍇 , YEH, CHIH CHIEH , 吳政憲 , WU, CHENG HSIEN , 江宏禮 , CHIANG, HUNG LI , 邱榮標 , CHIU, JUNG PIAO , 陳自強 , CHEN, TZU CHIANG , 李宗霖 , LEE, TSUNG LIN , 楊玉麟 , YANG, YU LIN , 陳奕升 , CHEN, I SHENG
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/336
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公开(公告)号：TW201727832A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105134567
申请日：2016-10-26
发明人： 江宏禮 , CHIANG, HUNG LI , 葉致鍇 , YEH, CHIH CHIEH , 彭成毅 , PENG, CHENG YI , 陳自強 , CHEN, TZU CHIANG , 楊育佳 , YEO, YEE-CHIA
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823885 , H01L21/26513 , H01L21/28518 , H01L21/3065 , H01L21/324 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823828 , H01L21/823842 , H01L21/823871 , H01L21/823878 , H01L23/535 , H01L27/092 , H01L29/0649 , H01L29/42392 , H01L29/66484 , H01L29/66666 , H01L29/7827 , H01L29/7831
摘要： 一種半導體裝置，包含N型垂直式場效電晶體和P型垂直式場效電晶體。N型垂直式場效電晶體包含：第一垂直條狀結構配置於基板上方，且包含第一側壁和第二側壁；閘極沿第一垂直條狀結構的第一側壁配置；第二垂直條狀結構電性耦接至第一垂直條狀結構；以及第二源極/汲極特徵配置於第一垂直條狀結構上方。P型垂直式場效電晶體包含：第三垂直條狀結構配置於基板上且包含第三側壁和第四側壁；閘極沿第三垂直條狀結構的第三側壁配置；第四垂直條狀結構電性耦接至第三垂直條狀結構；以及第四源極/汲極特徵配置於第三垂直條狀結構上方。
简体摘要： 一种半导体设备，包含N型垂直式场效应管和P型垂直式场效应管。N型垂直式场效应管包含：第一垂直条状结构配置于基板上方，且包含第一侧壁和第二侧壁；闸极沿第一垂直条状结构的第一侧壁配置；第二垂直条状结构电性耦接至第一垂直条状结构；以及第二源极/汲极特征配置于第一垂直条状结构上方。P型垂直式场效应管包含：第三垂直条状结构配置于基板上且包含第三侧壁和第四侧壁；闸极沿第三垂直条状结构的第三侧壁配置；第四垂直条状结构电性耦接至第三垂直条状结构；以及第四源极/汲极特征配置于第三垂直条状结构上方。
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公开(公告)号：TWI682448B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW107129158
申请日：2018-08-21
发明人： 陳奕升 , CHEN, I SHENG , 陳自強 , CHEN, TZU CHIANG , 吳政憲 , WU, CHENG HSIEN
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/8258
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公开(公告)号：TW201830691A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106125765
申请日：2017-07-31
发明人： 鄭兆欽 , CHENG, CHAO CHING , 葉致鍇 , YEH, CHIH CHIEH , 吳政憲 , WU, CHENG HSIEN , 江宏禮 , CHIANG, HUNG LI , 邱榮標 , CHIU, JUNG PIAO , 陳自強 , CHEN, TZU CHIANG , 李宗霖 , LEE, TSUNG LIN , 楊玉麟 , YANG, YU LIN , 陳奕升 , CHEN, I SHENG
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 一種半導體元件包含有鰭式場效電晶體。鰭式場效電晶體包括設置於鰭上的通道、設置於通道上方的閘極以及源極以及汲極。通道包括至少兩成對的第一半導體層與第二半導體層，第二半導體層形成於第一半導體層上。第一半導體層與第二半導體層具有不同的晶格常數。至少於一成對的第一半導體層與第二半導體層中第一半導體層的厚度為第二半導體層的厚度之3到10倍。
简体摘要： 一种半导体组件包含有鳍式场效应管。鳍式场效应管包括设置于鳍上的信道、设置于信道上方的闸极以及源极以及汲极。信道包括至少两成对的第一半导体层与第二半导体层，第二半导体层形成于第一半导体层上。第一半导体层与第二半导体层具有不同的晶格常数。至少于一成对的第一半导体层与第二半导体层中第一半导体层的厚度为第二半导体层的厚度之3到10倍。
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公开(公告)号：TW202008512A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108126055
申请日：2019-07-23
发明人： 鄭兆欽 , CHENG, CHAO CHING , 江宏禮 , CHIANG, HUNG LI , 陳自強 , CHEN, TZU CHIANG , 陳奕升 , CHEN, I SHENG
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/088
摘要： 在製造半導體元件之方法中，鰭結構形成於底部鰭結構上方，其中鰭結構為交替堆疊第一半導體層及第二半導體層。具有側壁間隔物之犧牲閘極結構形成於鰭結構上方。去除未由犧牲閘極結構覆蓋之鰭結構之源極/汲極區域。橫向凹陷第二半導體層。介電內部間隔物形成在經凹陷第二半導體層之橫向端部。橫向凹陷第一半導體層。形成源極/汲極磊晶層以接觸經凹陷第一半導體層之橫向端部。去除第二半導體層，從而露出通道區域中之第一半導體層。圍繞第一半導體層形成閘極結構。
简体摘要： 在制造半导体组件之方法中，鳍结构形成于底部鳍结构上方，其中鳍结构为交替堆栈第一半导体层及第二半导体层。具有侧壁间隔物之牺牲闸极结构形成于鳍结构上方。去除未由牺牲闸极结构覆盖之鳍结构之源极/汲极区域。横向凹陷第二半导体层。介电内部间隔物形成在经凹陷第二半导体层之横向端部。横向凹陷第一半导体层。形成源极/汲极磊晶层以接触经凹陷第一半导体层之横向端部。去除第二半导体层，从而露出信道区域中之第一半导体层。围绕第一半导体层形成闸极结构。
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公开(公告)号：TW202008437A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108126053
申请日：2019-07-23
发明人： 鄭兆欽 , CHENG, CHAO CHING , 陳奕升 , CHEN, I SHENG , 江宏禮 , CHIANG, HUNG LI , 陳自強 , CHEN, TZU CHIANG
IPC分类号： H01L21/30 , H01L27/115 , H01L29/06 , H01L29/78
摘要： 一種製造半導體裝置的方法包含：形成鰭片結構，其中包含鍺的多個第一半導體層與多個第二半導體層交替地層疊於該鰭片結構的底部上；增加第一半導體層中的鍺濃度；於鰭片結構上形成犧牲閘極結構；於鰭片結構的源極/汲極區上形成源極/汲極磊晶層；移除犧牲閘極結構；移除於通道區中的第二半導體層，從而釋放鍺濃度增加的第一半導體層；以及在第一半導體層周圍形成閘極結構，其中鍺濃度增加。
简体摘要： 一种制造半导体设备的方法包含：形成鳍片结构，其中包含锗的多个第一半导体层与多个第二半导体层交替地层叠于该鳍片结构的底部上；增加第一半导体层中的锗浓度；于鳍片结构上形成牺牲闸极结构；于鳍片结构的源极/汲极区上形成源极/汲极磊晶层；移除牺牲闸极结构；移除于信道区中的第二半导体层，从而释放锗浓度增加的第一半导体层；以及在第一半导体层周围形成闸极结构，其中锗浓度增加。
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公开(公告)号：TWI683355B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW106139679
申请日：2017-11-16
发明人： 楊玉麟 , YANG, YU LIN , 李東穎 , LEE, TUNG YING , 余紹銘 , YU, SHAO MING , 鄭兆欽 , CHENG, CHAO CHING , 陳自強 , CHEN, TZU CHIANG , 黃昭憲 , HUANG, CHAO HSIEN
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公开(公告)号：TWI644431B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW106135542
申请日：2017-10-17
发明人： 鄭兆欽 , CHENG, CHAO CHING , 雲惟勝 , YUN, WEI SHENG , 陳奕升 , CHEN, I SHENG , 余紹銘 , YU, SHAO MING , 陳自強 , CHEN, TZU CHIANG , 葉致鍇 , YEH, CHIH CHIEH
IPC分类号： H01L29/41 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
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