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公开(公告)号：TWI679704B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW106142708
申请日：2017-12-06
发明人： 楊玉麟 , YANG, YU LIN , 陳奕升 , CHEN, I SHENG , 鄭兆欽 , CHENG, CHAO CHING , 陳自強 , CHEN, TZU CHIANG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/78
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公开(公告)号：TW201725630A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105141025
申请日：2016-12-12
发明人： 陳奕升 , CHEN, I SHENG , 吳政憲 , WU, CHENG HSIEN , 葉致鍇 , YEH, CHIH CHIEH , 楊 育佳 , YEO, YEE-CHIA
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/1054 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/0673 , H01L29/165 , H01L29/42392 , H01L29/66742 , H01L29/7856 , H01L29/78696
摘要： 半導體裝置的形成方法包含提供從基底延伸的鰭，且鰭具有源極/汲極區和通道區，鰭包含第一層、第二層設置於第一層上方及第三層設置於第二層上方，透過從通道區移除第二層的至少一部分以形成間隙，第一材料形成於通道區中，以形成第一界面層部分和第二界面層部分，分別至少部分地環繞第一層和第三層，第二材料沉積於通道區中，以形成第一高介電常數介電層部分和第二高介電常數介電層部分，分別至少部分地環繞第一界面層部分和第二界面層部分，沿通道區中的第一高介電常數介電層部分和第二高介電常數介電層部分的相對側壁形成包含清除材料的金屬層。
简体摘要： 半导体设备的形成方法包含提供从基底延伸的鳍，且鳍具有源极/汲极区和信道区，鳍包含第一层、第二层设置于第一层上方及第三层设置于第二层上方，透过从信道区移除第二层的至少一部分以形成间隙，第一材料形成于信道区中，以形成第一界面层部分和第二界面层部分，分别至少部分地环绕第一层和第三层，第二材料沉积于信道区中，以形成第一高介电常数介电层部分和第二高介电常数介电层部分，分别至少部分地环绕第一界面层部分和第二界面层部分，沿信道区中的第一高介电常数介电层部分和第二高介电常数介电层部分的相对侧壁形成包含清除材料的金属层。
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公开(公告)号：TWI682448B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW107129158
申请日：2018-08-21
发明人： 陳奕升 , CHEN, I SHENG , 陳自強 , CHEN, TZU CHIANG , 吳政憲 , WU, CHENG HSIEN
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/8258
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公开(公告)号：TW201830691A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106125765
申请日：2017-07-31
发明人： 鄭兆欽 , CHENG, CHAO CHING , 葉致鍇 , YEH, CHIH CHIEH , 吳政憲 , WU, CHENG HSIEN , 江宏禮 , CHIANG, HUNG LI , 邱榮標 , CHIU, JUNG PIAO , 陳自強 , CHEN, TZU CHIANG , 李宗霖 , LEE, TSUNG LIN , 楊玉麟 , YANG, YU LIN , 陳奕升 , CHEN, I SHENG
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 一種半導體元件包含有鰭式場效電晶體。鰭式場效電晶體包括設置於鰭上的通道、設置於通道上方的閘極以及源極以及汲極。通道包括至少兩成對的第一半導體層與第二半導體層，第二半導體層形成於第一半導體層上。第一半導體層與第二半導體層具有不同的晶格常數。至少於一成對的第一半導體層與第二半導體層中第一半導體層的厚度為第二半導體層的厚度之3到10倍。
简体摘要： 一种半导体组件包含有鳍式场效应管。鳍式场效应管包括设置于鳍上的信道、设置于信道上方的闸极以及源极以及汲极。信道包括至少两成对的第一半导体层与第二半导体层，第二半导体层形成于第一半导体层上。第一半导体层与第二半导体层具有不同的晶格常数。至少于一成对的第一半导体层与第二半导体层中第一半导体层的厚度为第二半导体层的厚度之3到10倍。
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公开(公告)号：TW202008512A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108126055
申请日：2019-07-23
发明人： 鄭兆欽 , CHENG, CHAO CHING , 江宏禮 , CHIANG, HUNG LI , 陳自強 , CHEN, TZU CHIANG , 陳奕升 , CHEN, I SHENG
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/088
摘要： 在製造半導體元件之方法中，鰭結構形成於底部鰭結構上方，其中鰭結構為交替堆疊第一半導體層及第二半導體層。具有側壁間隔物之犧牲閘極結構形成於鰭結構上方。去除未由犧牲閘極結構覆蓋之鰭結構之源極/汲極區域。橫向凹陷第二半導體層。介電內部間隔物形成在經凹陷第二半導體層之橫向端部。橫向凹陷第一半導體層。形成源極/汲極磊晶層以接觸經凹陷第一半導體層之橫向端部。去除第二半導體層，從而露出通道區域中之第一半導體層。圍繞第一半導體層形成閘極結構。
简体摘要： 在制造半导体组件之方法中，鳍结构形成于底部鳍结构上方，其中鳍结构为交替堆栈第一半导体层及第二半导体层。具有侧壁间隔物之牺牲闸极结构形成于鳍结构上方。去除未由牺牲闸极结构覆盖之鳍结构之源极/汲极区域。横向凹陷第二半导体层。介电内部间隔物形成在经凹陷第二半导体层之横向端部。横向凹陷第一半导体层。形成源极/汲极磊晶层以接触经凹陷第一半导体层之横向端部。去除第二半导体层，从而露出信道区域中之第一半导体层。围绕第一半导体层形成闸极结构。
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公开(公告)号：TW202008437A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108126053
申请日：2019-07-23
发明人： 鄭兆欽 , CHENG, CHAO CHING , 陳奕升 , CHEN, I SHENG , 江宏禮 , CHIANG, HUNG LI , 陳自強 , CHEN, TZU CHIANG
IPC分类号： H01L21/30 , H01L27/115 , H01L29/06 , H01L29/78
摘要： 一種製造半導體裝置的方法包含：形成鰭片結構，其中包含鍺的多個第一半導體層與多個第二半導體層交替地層疊於該鰭片結構的底部上；增加第一半導體層中的鍺濃度；於鰭片結構上形成犧牲閘極結構；於鰭片結構的源極/汲極區上形成源極/汲極磊晶層；移除犧牲閘極結構；移除於通道區中的第二半導體層，從而釋放鍺濃度增加的第一半導體層；以及在第一半導體層周圍形成閘極結構，其中鍺濃度增加。
简体摘要： 一种制造半导体设备的方法包含：形成鳍片结构，其中包含锗的多个第一半导体层与多个第二半导体层交替地层叠于该鳍片结构的底部上；增加第一半导体层中的锗浓度；于鳍片结构上形成牺牲闸极结构；于鳍片结构的源极/汲极区上形成源极/汲极磊晶层；移除牺牲闸极结构；移除于信道区中的第二半导体层，从而释放锗浓度增加的第一半导体层；以及在第一半导体层周围形成闸极结构，其中锗浓度增加。
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公开(公告)号：TW201904061A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW106136208
申请日：2017-10-20
发明人： 吳政憲 , WU, CHENG HSIEN , 陳奕升 , CHEN, I SHENG
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/41 , H01L29/43 , H01L29/66 , H01L29/772 , H01L21/28 , H01L21/335 , H01L21/8252
摘要： 半導體結構包含基材、介電特徵以及第二半導體材料。基材包含第一半導體材料。介電特徵嵌入於基材中。第二半導體材料嵌入於基材中。第二半導體材料與第一半導體材料之間具有一晶格失配。第二半導體材料具有兩上側壁以及兩下側壁。第二半導體材料的上側壁接觸介電特徵。第二半導體材料的下側壁接觸基材。第二半導體材料的下側壁不垂直於基材之頂表面。介電特徵之最底部位低於第二半導體材料之下側壁的最頂部位。
简体摘要： 半导体结构包含基材、介电特征以及第二半导体材料。基材包含第一半导体材料。介电特征嵌入于基材中。第二半导体材料嵌入于基材中。第二半导体材料与第一半导体材料之间具有一晶格失配。第二半导体材料具有两上侧壁以及两下侧壁。第二半导体材料的上侧壁接触介电特征。第二半导体材料的下侧壁接触基材。第二半导体材料的下侧壁不垂直于基材之顶表面。介电特征之最底部位低于第二半导体材料之下侧壁的最顶部位。
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公开(公告)号：TWI644431B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW106135542
申请日：2017-10-17
发明人： 鄭兆欽 , CHENG, CHAO CHING , 雲惟勝 , YUN, WEI SHENG , 陳奕升 , CHEN, I SHENG , 余紹銘 , YU, SHAO MING , 陳自強 , CHEN, TZU CHIANG , 葉致鍇 , YEH, CHIH CHIEH
IPC分类号： H01L29/41 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
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公开(公告)号：TW201730937A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105139311
申请日：2016-11-29
发明人： 陳奕升 , CHEN, I SHENG , 吳政憲 , WU, CHENG HSIEN , 葉致鍇 , YEH, CHIH CHIEH
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/24 , H01L29/267 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78618 , H01L21/30604 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L21/823842 , H01L21/82385 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L29/0649 , H01L29/0673 , H01L29/0847 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/42392 , H01L29/66742 , H01L29/6681 , H01L29/7848 , H01L29/7853 , H01L29/78696
摘要： 一種半導體元件包含：第一通道層，其設置於基板上方；第一源極/汲極區，其設置於基板上方；閘極介電層，其設置於第一通道層中之每一者上且纏繞第一通道層中之每一者；以及閘電極層，其設置於閘極介電層上且纏繞第一通道層中之每一者。第一通道層中之每一者包含由第一半導體材料製成之半導體線。半導體線延伸至第一源極/汲極區中。第一源極/汲極區中之半導體線由第二半導體材料捲繞。
简体摘要： 一种半导体组件包含：第一信道层，其设置于基板上方；第一源极/汲极区，其设置于基板上方；闸极介电层，其设置于第一信道层中之每一者上且缠绕第一信道层中之每一者；以及闸电极层，其设置于闸极介电层上且缠绕第一信道层中之每一者。第一信道层中之每一者包含由第一半导体材料制成之半导体线。半导体线延伸至第一源极/汲极区中。第一源极/汲极区中之半导体线由第二半导体材料卷绕。
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公开(公告)号：TWI685107B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW107133608
申请日：2018-09-25
发明人： 陳奕寰 , CHEN, YI HUAN , 陳奕升 , CHEN, YI SHENG , 范富傑 , FAN, FU JIER , 劉思賢 , LIU, SZU HSIEN , 林大為 , LIN, TA WEI , 鄭光茗 , THEI, KONG BENG , 周建志 , CHOU, CHIEN CHIH
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