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公开(公告)号：TWI653758B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW106125765
申请日：2017-07-31
Inventor： 鄭兆欽 , CHENG, CHAO CHING , 葉致鍇 , YEH, CHIH CHIEH , 吳政憲 , WU, CHENG HSIEN , 江宏禮 , CHIANG, HUNG LI , 邱榮標 , CHIU, JUNG PIAO , 陳自強 , CHEN, TZU CHIANG , 李宗霖 , LEE, TSUNG LIN , 楊玉麟 , YANG, YU LIN , 陳奕升 , CHEN, I SHENG
IPC: H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/336
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公开(公告)号：TW201830691A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106125765
申请日：2017-07-31
Inventor： 鄭兆欽 , CHENG, CHAO CHING , 葉致鍇 , YEH, CHIH CHIEH , 吳政憲 , WU, CHENG HSIEN , 江宏禮 , CHIANG, HUNG LI , 邱榮標 , CHIU, JUNG PIAO , 陳自強 , CHEN, TZU CHIANG , 李宗霖 , LEE, TSUNG LIN , 楊玉麟 , YANG, YU LIN , 陳奕升 , CHEN, I SHENG
IPC: H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一種半導體元件包含有鰭式場效電晶體。鰭式場效電晶體包括設置於鰭上的通道、設置於通道上方的閘極以及源極以及汲極。通道包括至少兩成對的第一半導體層與第二半導體層，第二半導體層形成於第一半導體層上。第一半導體層與第二半導體層具有不同的晶格常數。至少於一成對的第一半導體層與第二半導體層中第一半導體層的厚度為第二半導體層的厚度之3到10倍。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件包含有鳍式场效应管。鳍式场效应管包括设置于鳍上的信道、设置于信道上方的闸极以及源极以及汲极。信道包括至少两成对的第一半导体层与第二半导体层，第二半导体层形成于第一半导体层上。第一半导体层与第二半导体层具有不同的晶格常数。至少于一成对的第一半导体层与第二半导体层中第一半导体层的厚度为第二半导体层的厚度之3到10倍。
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公开(公告)号：TW201730956A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105124290
申请日：2016-08-01
Inventor： 彭成毅 , PENG, CHENG YI , 江宏禮 , CHIANG, HUNG LI , 楊玉麟 , YANG, YU LIN , 葉致鍇 , YEH, CHIH CHIEH , 楊 育佳 , YEO, YEE-CHIA , 劉繼文 , LIU, CHI WEN
IPC: H01L21/306 , H01L21/8238 , H01L21/84 , H01L27/092 , H01L27/12 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/66
CPC classification number: H01L29/0673 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0924 , H01L27/1211 , H01L29/0649 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66795 , H01L29/775
Abstract: 提供了電晶體結構與電晶體結構之形成方法。此電晶體結構包括一第一磊晶材料與一第二磊晶材料之交替膜層。於部分實施例中，於一N型或P型電晶體中可移除此第一磊晶材料與第二磊晶材料之一。可移除第一磊晶材料與第二磊晶材料之一最底層，及可凹刻或凹蝕第一磊晶材料與第二磊晶材料之一的側壁。
Abstract in simplified Chinese: 提供了晶体管结构与晶体管结构之形成方法。此晶体管结构包括一第一磊晶材料与一第二磊晶材料之交替膜层。于部分实施例中，于一N型或P型晶体管中可移除此第一磊晶材料与第二磊晶材料之一。可移除第一磊晶材料与第二磊晶材料之一最底层，及可凹刻或凹蚀第一磊晶材料与第二磊晶材料之一的侧壁。
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公开(公告)号：TWI584465B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW104139343
申请日：2015-11-26
Inventor： 彭成毅 , PENG, CHENG YI , 何嘉政 , HO, CHIA CHENG , 張智勝 , CHANG, CHIN SHENG , 楊 育佳 , YEO, YEE-CHIA , 楊玉麟 , YANG, YU LIN
IPC: H01L29/161 , H01L21/8238 , H01L29/78 , H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/16
CPC classification number: H01L29/7849 , H01L21/76224 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/823892 , H01L27/0924 , H01L29/0638 , H01L29/0653 , H01L29/1054 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/66537 , H01L29/66651
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公开(公告)号：TW201633461A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104139210
申请日：2015-11-25
Inventor： 彭成毅 , PENG, CHENG YI , 何嘉政 , HO, CHIA CHENG , 葉致鍇 , YEH, CHIH CHIEH , 李宗霖 , LEE, TSUNG LIN , 楊玉麟 , YANG, YU LIN
IPC: H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/82345 , H01L21/324 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823462 , H01L21/823807 , H01L21/823821
Abstract: 用於製造半導體裝置之方法包括以下步驟：在第一鰭特徵結構的上方形成第一閘極堆疊及在第二鰭特徵結構的上方形成第二閘極堆疊；移除第一閘極堆疊以形成曝露第一鰭特徵結構之第一閘極溝道，移除第二閘極堆疊以形成曝露第二鰭特徵結構之第二閘極溝道；對第一鰭特徵結構之一部份執行高壓退火製程；及在第一鰭特徵結構之彼部份之上方的第一閘極溝道內部形成第一高介電金屬閘極及在第二鰭特徵結構之上方的第二閘極溝道內部形成第二高介電金屬閘極。因此形成具有第一、第二閾值電壓之第一、第二高介電金屬閘極，第二閾值電壓不同於第一閾值電壓。
Abstract in simplified Chinese: 用于制造半导体设备之方法包括以下步骤：在第一鳍特征结构的上方形成第一闸极堆栈及在第二鳍特征结构的上方形成第二闸极堆栈；移除第一闸极堆栈以形成曝露第一鳍特征结构之第一闸极沟道，移除第二闸极堆栈以形成曝露第二鳍特征结构之第二闸极沟道；对第一鳍特征结构之一部份运行高压退火制程；及在第一鳍特征结构之彼部份之上方的第一闸极沟道内部形成第一高介电金属闸极及在第二鳍特征结构之上方的第二闸极沟道内部形成第二高介电金属闸极。因此形成具有第一、第二阈值电压之第一、第二高介电金属闸极，第二阈值电压不同于第一阈值电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI683355B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW106139679
申请日：2017-11-16
Inventor： 楊玉麟 , YANG, YU LIN , 李東穎 , LEE, TUNG YING , 余紹銘 , YU, SHAO MING , 鄭兆欽 , CHENG, CHAO CHING , 陳自強 , CHEN, TZU CHIANG , 黃昭憲 , HUANG, CHAO HSIEN
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公开(公告)号：TWI611516B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW104139210
申请日：2015-11-25
Inventor： 彭成毅 , PENG, CHENG YI , 何嘉政 , HO, CHIA CHENG , 葉致鍇 , YEH, CHIH CHIEH , 李宗霖 , LEE, TSUNG LIN , 楊玉麟 , YANG, YU LIN
IPC: H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/82345 , H01L21/324 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823462 , H01L21/823807 , H01L21/823821
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公开(公告)号：TW201633531A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104139343
申请日：2015-11-26
Inventor： 彭成毅 , PENG, CHENG YI , 何嘉政 , HO, CHIA CHENG , 張智勝 , CHANG, CHIN SHENG , 楊 育佳 , YEO, YEE-CHIA , 楊玉麟 , YANG, YU LIN
IPC: H01L29/161 , H01L21/8238 , H01L29/78 , H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/16
CPC classification number: H01L29/7849 , H01L21/76224 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/823892 , H01L27/0924 , H01L29/0638 , H01L29/0653 , H01L29/1054 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/66537 , H01L29/66651
Abstract: 半導體裝置包括半導體基板，其具有第一區與第二區。第一區包括第一組的多個鰭狀結構，其包含第一組的多個磊晶之抗擊穿結構，且第一組的磊晶之抗擊穿結構為第一導電型態。第一區亦包含第一組的多個電晶體，位於第一組的鰭狀結構上。第二區包括第二組的多個鰭狀結構，其包含第二組的多個磊晶之抗擊穿結構，第二組的磊晶之抗擊穿結構為第二導電型態，且第一導電型態與第二導電型態相反。第二區亦包含第二組的多個電晶體，位於第二組的鰭狀結構上。第一組的磊晶之抗擊穿結構與第二組的磊晶之抗擊穿結構實質上共平面。
Abstract in simplified Chinese: 半导体设备包括半导体基板，其具有第一区与第二区。第一区包括第一组的多个鳍状结构，其包含第一组的多个磊晶之抗击穿结构，且第一组的磊晶之抗击穿结构为第一导电型态。第一区亦包含第一组的多个晶体管，位于第一组的鳍状结构上。第二区包括第二组的多个鳍状结构，其包含第二组的多个磊晶之抗击穿结构，第二组的磊晶之抗击穿结构为第二导电型态，且第一导电型态与第二导电型态相反。第二区亦包含第二组的多个晶体管，位于第二组的鳍状结构上。第一组的磊晶之抗击穿结构与第二组的磊晶之抗击穿结构实质上共平面。
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公开(公告)号：TWI679704B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW106142708
申请日：2017-12-06
Inventor： 楊玉麟 , YANG, YU LIN , 陳奕升 , CHEN, I SHENG , 鄭兆欽 , CHENG, CHAO CHING , 陳自強 , CHEN, TZU CHIANG
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/78
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公开(公告)号：TWI623043B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW104139091
申请日：2015-11-25
Inventor： 楊玉麟 , YANG, YU LIN , 何嘉政 , HO, CHIA CHENG , 葉致鍇 , YEH, CHIH CHIEH , 彭成毅 , PENG, CHENG YI , 李宗霖 , LEE, TSUNG LIN
IPC: H01L21/336 , H01L29/772
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