形成具有不同閾値電壓的半導體裝置的方法
    5.
    发明专利
    形成具有不同閾値電壓的半導體裝置的方法 审中-公开
    形成具有不同阈値电压的半导体设备的方法

    公开(公告)号:TW201633461A

    公开(公告)日:2016-09-16

    申请号:TW104139210

    申请日:2015-11-25

    Abstract: 用於製造半導體裝置之方法包括以下步驟:在第一鰭特徵結構的上方形成第一閘極堆疊及在第二鰭特徵結構的上方形成第二閘極堆疊;移除第一閘極堆疊以形成曝露第一鰭特徵結構之第一閘極溝道,移除第二閘極堆疊以形成曝露第二鰭特徵結構之第二閘極溝道;對第一鰭特徵結構之一部份執行高壓退火製程;及在第一鰭特徵結構之彼部份之上方的第一閘極溝道內部形成第一高介電金屬閘極及在第二鰭特徵結構之上方的第二閘極溝道內部形成第二高介電金屬閘極。因此形成具有第一、第二閾值電壓之第一、第二高介電金屬閘極,第二閾值電壓不同於第一閾值電壓。

    Abstract in simplified Chinese: 用于制造半导体设备之方法包括以下步骤:在第一鳍特征结构的上方形成第一闸极堆栈及在第二鳍特征结构的上方形成第二闸极堆栈;移除第一闸极堆栈以形成曝露第一鳍特征结构之第一闸极沟道,移除第二闸极堆栈以形成曝露第二鳍特征结构之第二闸极沟道;对第一鳍特征结构之一部份运行高压退火制程;及在第一鳍特征结构之彼部份之上方的第一闸极沟道内部形成第一高介电金属闸极及在第二鳍特征结构之上方的第二闸极沟道内部形成第二高介电金属闸极。因此形成具有第一、第二阈值电压之第一、第二高介电金属闸极,第二阈值电压不同于第一阈值电压。

Patent Agency Ranking