公开(公告)号：TWI602273B

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：TW103110611

申请日：2014-03-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林詠淇 ,  LIN, YUNG CHI ,  陳新瑜 ,  CHEN, HSIN YU ,  鍾明慈 ,  CHUNG, MING TSU ,  羅曉筠 ,  LO, HSIAO YUN ,  施泓業 ,  SHIH, HONG YE ,  陳佳吟 ,  CHEN, CHIA YIN ,  楊固峰 ,  YANG, KU FENG ,  吳倉聚 ,  WU, TSANG JIUH ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76898 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201505140A

公开(公告)日：2015-02-01

申请号：TW103110611

申请日：2014-03-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林詠淇 ,  LIN, YUNG CHI ,  陳新瑜 ,  CHEN, HSIN YU ,  鍾明慈 ,  CHUNG, MING TSU ,  羅曉筠 ,  LO, HSIAO YUN ,  施泓業 ,  SHIH, HONG YE ,  陳佳吟 ,  CHEN, CHIA YIN ,  楊固峰 ,  YANG, KU FENG ,  吳倉聚 ,  WU, TSANG JIUH ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76898 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明揭示一種半導體裝置，包括自一半導體基板的一前側延伸至一背側的一基底通孔電極(through-substrate via,TSV)。基底通孔電極包括鄰近於半導體基板背側的一凹陷或突起部。一隔離膜係形成於半導體基板的背側上。一導電層包括形成於基底通孔電極的凹陷或突起部上的第一部，以及形成於隔離膜上的第二部。一鈍化護層係部分覆蓋導電層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种半导体设备，包括自一半导体基板的一前侧延伸至一背侧的一基底通孔电极(through-substrate via,TSV)。基底通孔电极包括邻近于半导体基板背侧的一凹陷或突起部。一隔离膜系形成于半导体基板的背侧上。一导电层包括形成于基底通孔电极的凹陷或突起部上的第一部，以及形成于隔离膜上的第二部。一钝化护层系部分覆盖导电层。