公开(公告)号：TWI579971B

公开(公告)日：2017-04-21

申请号：TW104126338

申请日：2015-08-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  張宏賓 ,  CHANG, HUNG PIN ,  陳怡秀 ,  CHEN, YI HSIU ,  楊固峰 ,  YANG, KU FENG ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  H01L24/97

公开(公告)号：TWI573239B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW104132972

申请日：2015-10-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡承竣 ,  TSAI, CHENG CHUN ,  張宏賓 ,  CHANG, HUNG PIN ,  楊固峰 ,  YANG, KU FENG ,  陳怡秀 ,  CHEN, YI HSIU ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/80 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/19

公开(公告)号：TW201630117A

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：TW104126338

申请日：2015-08-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  張宏賓 ,  CHANG, HUNG PIN ,  陳怡秀 ,  CHEN, YI HSIU ,  楊固峰 ,  YANG, KU FENG ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  H01L24/97

Abstract: 本揭露係關於一種半導體裝置之製造方法。一種半導體裝置之製造方法包括形成一第一開口於一第一半導體晶圓中，第一開口位於一第一半導體晶粒與一第二半導體晶粒之間，第一開口具有一第一寬度平行於第一半導體晶圓的一主要表面。切割第一半導體晶圓以形成一第二開口，其中第一開口以及第二開口將第一半導體晶粒與第二半導體晶粒分離，第二開口具有一第二寬度平行於第一半導體晶圓的主要表面且小於第一寬度。薄化第一半導體晶粒直到第一半導體晶粒具有一筆直的側壁。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露系关于一种半导体设备之制造方法。一种半导体设备之制造方法包括形成一第一开口于一第一半导体晶圆中，第一开口位于一第一半导体晶粒与一第二半导体晶粒之间，第一开口具有一第一宽度平行于第一半导体晶圆的一主要表面。切割第一半导体晶圆以形成一第二开口，其中第一开口以及第二开口将第一半导体晶粒与第二半导体晶粒分离，第二开口具有一第二宽度平行于第一半导体晶圆的主要表面且小于第一宽度。薄化第一半导体晶粒直到第一半导体晶粒具有一笔直的侧壁。

公开(公告)号：TWI494979B

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW099109332

申请日：2010-03-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳文進 ,  WU, WENG JIN ,  楊固峰 ,  YANG, KU FENG ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

公开(公告)号：TWI440130B

公开(公告)日：2014-06-01

申请号：TW098113287

申请日：2009-04-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳文進 ,  WU, WENG JIN ,  涂宏榮 ,  TU, HUNG JUNG ,  楊固峰 ,  YANG, KU FENG ,  胡榮治 ,  HU, JUNG CHIH ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/301 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/3157 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

公开(公告)号：TWI602273B

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：TW103110611

申请日：2014-03-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林詠淇 ,  LIN, YUNG CHI ,  陳新瑜 ,  CHEN, HSIN YU ,  鍾明慈 ,  CHUNG, MING TSU ,  羅曉筠 ,  LO, HSIAO YUN ,  施泓業 ,  SHIH, HONG YE ,  陳佳吟 ,  CHEN, CHIA YIN ,  楊固峰 ,  YANG, KU FENG ,  吳倉聚 ,  WU, TSANG JIUH ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76898 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201626533A

公开(公告)日：2016-07-16

申请号：TW104132972

申请日：2015-10-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡承竣 ,  TSAI, CHENG CHUN ,  張宏賓 ,  CHANG, HUNG PIN ,  楊固峰 ,  YANG, KU FENG ,  陳怡秀 ,  CHEN, YI HSIU ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/80 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/19

Abstract: 本揭露係關於一種半導體裝置及其製造方法，其使用一單一遮罩以形成用於貫穿基板導孔與貫穿介電質導孔的開口。在一實施例中，一接觸蝕刻停止層沉積於第一半導體裝置與第二半導體裝置上以及之間。一介電材料沉積於位於第一半導體裝置與第二半導體裝置之間的接觸蝕刻停止層上。接觸蝕刻停止層與介電材料使用不同的材料，因此一單一遮罩可用來形成穿過第一半導體裝置的貫穿基板導孔，以及形成穿過介電材料的貫穿介電質導孔。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露系关于一种半导体设备及其制造方法，其使用一单一遮罩以形成用于贯穿基板导孔与贯穿介电质导孔的开口。在一实施例中，一接触蚀刻停止层沉积于第一半导体设备与第二半导体设备上以及之间。一介电材料沉积于位于第一半导体设备与第二半导体设备之间的接触蚀刻停止层上。接触蚀刻停止层与介电材料使用不同的材料，因此一单一遮罩可用来形成穿过第一半导体设备的贯穿基板导孔，以及形成穿过介电材料的贯穿介电质导孔。

公开(公告)号：TW201505140A

公开(公告)日：2015-02-01

申请号：TW103110611

申请日：2014-03-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林詠淇 ,  LIN, YUNG CHI ,  陳新瑜 ,  CHEN, HSIN YU ,  鍾明慈 ,  CHUNG, MING TSU ,  羅曉筠 ,  LO, HSIAO YUN ,  施泓業 ,  SHIH, HONG YE ,  陳佳吟 ,  CHEN, CHIA YIN ,  楊固峰 ,  YANG, KU FENG ,  吳倉聚 ,  WU, TSANG JIUH ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76898 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明揭示一種半導體裝置，包括自一半導體基板的一前側延伸至一背側的一基底通孔電極(through-substrate via,TSV)。基底通孔電極包括鄰近於半導體基板背側的一凹陷或突起部。一隔離膜係形成於半導體基板的背側上。一導電層包括形成於基底通孔電極的凹陷或突起部上的第一部，以及形成於隔離膜上的第二部。一鈍化護層係部分覆蓋導電層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种半导体设备，包括自一半导体基板的一前侧延伸至一背侧的一基底通孔电极(through-substrate via,TSV)。基底通孔电极包括邻近于半导体基板背侧的一凹陷或突起部。一隔离膜系形成于半导体基板的背侧上。一导电层包括形成于基底通孔电极的凹陷或突起部上的第一部，以及形成于隔离膜上的第二部。一钝化护层系部分覆盖导电层。

公开(公告)号：TWI397977B

公开(公告)日：2013-06-01

申请号：TW098132045

申请日：2009-09-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊固峰 ,  YANG, KU FENG ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH ,  吳文進 ,  WU, WENG JIN ,  涂宏榮 ,  TU, HUNG JUNG

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

公开(公告)号：TWI490979B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW100106617

申请日：2011-03-01

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊固峰 ,  YANG, KU FENG ,  林詠淇 ,  LIN, YUNG CHI ,  張宏賓 ,  CHANG, HUNG PIN ,  吳倉聚 ,  WU, TSANG JIUH ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00