半導體結構及方法
    7.
    发明专利
    半導體結構及方法 审中-公开
    半导体结构及方法

    公开(公告)号:TW201838118A

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:TW106136027

    申请日:2017-10-20

    Abstract: 本發明實施例提供一種方法包括將基板貼合到載體;使第一半導體封裝的第一表面上的外部連接件對準基板的背對所述載體的第一表面上的第一導電接墊;以及執行回焊製程,其中基板與載體之間的熱膨脹係數差異使得在回焊製程期間基板的第一表面為第一形狀,其中第一半導體封裝的各材料的熱膨脹係數差異使得在回焊製程期間第一半導體封裝的第一表面為第二形狀,且其中第一形狀實質上匹配所述第二形狀。所述方法進一步包括在回焊製程之後,從基板移除載體。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种方法包括将基板贴合到载体;使第一半导体封装的第一表面上的外部连接件对准基板的背对所述载体的第一表面上的第一导电接垫;以及运行回焊制程,其中基板与载体之间的热膨胀系数差异使得在回焊制程期间基板的第一表面为第一形状,其中第一半导体封装的各材料的热膨胀系数差异使得在回焊制程期间第一半导体封装的第一表面为第二形状,且其中第一形状实质上匹配所述第二形状。所述方法进一步包括在回焊制程之后,从基板移除载体。

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