公开(公告)号：TWI410527B

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：TW099114478

申请日：2010-05-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林詠淇 ,  LIN, YUNG CHI ,  林彥甫 ,  LIN, Y. F. ,  陳庭悅 ,  CHEN, TING YUEH ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAU LIN ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA

IPC: C25D17/06 ,  C25D7/12 ,  C25D5/02 ,  H01L23/48

公开(公告)号：TWI602273B

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：TW103110611

申请日：2014-03-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林詠淇 ,  LIN, YUNG CHI ,  陳新瑜 ,  CHEN, HSIN YU ,  鍾明慈 ,  CHUNG, MING TSU ,  羅曉筠 ,  LO, HSIAO YUN ,  施泓業 ,  SHIH, HONG YE ,  陳佳吟 ,  CHEN, CHIA YIN ,  楊固峰 ,  YANG, KU FENG ,  吳倉聚 ,  WU, TSANG JIUH ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76898 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201505140A

公开(公告)日：2015-02-01

申请号：TW103110611

申请日：2014-03-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林詠淇 ,  LIN, YUNG CHI ,  陳新瑜 ,  CHEN, HSIN YU ,  鍾明慈 ,  CHUNG, MING TSU ,  羅曉筠 ,  LO, HSIAO YUN ,  施泓業 ,  SHIH, HONG YE ,  陳佳吟 ,  CHEN, CHIA YIN ,  楊固峰 ,  YANG, KU FENG ,  吳倉聚 ,  WU, TSANG JIUH ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76898 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明揭示一種半導體裝置，包括自一半導體基板的一前側延伸至一背側的一基底通孔電極(through-substrate via,TSV)。基底通孔電極包括鄰近於半導體基板背側的一凹陷或突起部。一隔離膜係形成於半導體基板的背側上。一導電層包括形成於基底通孔電極的凹陷或突起部上的第一部，以及形成於隔離膜上的第二部。一鈍化護層係部分覆蓋導電層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种半导体设备，包括自一半导体基板的一前侧延伸至一背侧的一基底通孔电极(through-substrate via,TSV)。基底通孔电极包括邻近于半导体基板背侧的一凹陷或突起部。一隔离膜系形成于半导体基板的背侧上。一导电层包括形成于基底通孔电极的凹陷或突起部上的第一部，以及形成于隔离膜上的第二部。一钝化护层系部分覆盖导电层。

公开(公告)号：TWI544597B

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：TW099137150

申请日：2010-10-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林詠淇 ,  LIN, YUNG CHI ,  吳文進 ,  WU, WENG JIN ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAU LIN

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/76871 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TW201614792A

公开(公告)日：2016-04-16

申请号：TW104132797

申请日：2015-10-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 羅曉筠 ,  LO, HSIAO YUN ,  林詠淇 ,  LIN, YUNG CHI ,  吳倉聚 ,  WU, TSANG JIUH ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH ,  薛仰志 ,  HSUEH, YANG CHIH

IPC: H01L23/535 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53242 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L29/43 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/207

Abstract: 本揭示之內連線結構及其製造方法提供的內連線結構包含降低高低起伏變異的導電特徵，內連線結構包含接觸墊設置在基底之上，接觸墊包含第一導電材料之第一層和第二導電材料之第二層位於第一層上，第一導電材料和第二導電材料由大抵上相同的材料製成，且具有第一平均晶粒尺寸和小於第一平均晶粒尺寸的第二平均晶粒尺寸，內連線結構還包含保護層覆蓋基底和接觸墊，保護層具有開口暴露出接觸墊。

Abstract in simplified Chinese: 本揭示之内连接结构及其制造方法提供的内连接结构包含降低高低起伏变异的导电特征，内连接结构包含接触垫设置在基底之上，接触垫包含第一导电材料之第一层和第二导电材料之第二层位于第一层上，第一导电材料和第二导电材料由大抵上相同的材料制成，且具有第一平均晶粒尺寸和小于第一平均晶粒尺寸的第二平均晶粒尺寸，内连接结构还包含保护层覆盖基底和接触垫，保护层具有开口暴露出接触垫。

公开(公告)号：TWI490979B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW100106617

申请日：2011-03-01

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊固峰 ,  YANG, KU FENG ,  林詠淇 ,  LIN, YUNG CHI ,  張宏賓 ,  CHANG, HUNG PIN ,  吳倉聚 ,  WU, TSANG JIUH ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201838118A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：TW106136027

申请日：2017-10-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  林詠淇 ,  LIN, YUNG-CHI ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN-CHIH

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/29

Abstract: 本發明實施例提供一種方法包括將基板貼合到載體；使第一半導體封裝的第一表面上的外部連接件對準基板的背對所述載體的第一表面上的第一導電接墊；以及執行回焊製程，其中基板與載體之間的熱膨脹係數差異使得在回焊製程期間基板的第一表面為第一形狀，其中第一半導體封裝的各材料的熱膨脹係數差異使得在回焊製程期間第一半導體封裝的第一表面為第二形狀，且其中第一形狀實質上匹配所述第二形狀。所述方法進一步包括在回焊製程之後，從基板移除載體。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种方法包括将基板贴合到载体；使第一半导体封装的第一表面上的外部连接件对准基板的背对所述载体的第一表面上的第一导电接垫；以及运行回焊制程，其中基板与载体之间的热膨胀系数差异使得在回焊制程期间基板的第一表面为第一形状，其中第一半导体封装的各材料的热膨胀系数差异使得在回焊制程期间第一半导体封装的第一表面为第二形状，且其中第一形状实质上匹配所述第二形状。所述方法进一步包括在回焊制程之后，从基板移除载体。

公开(公告)号：TWI618215B

公开(公告)日：2018-03-11

申请号：TW104132797

申请日：2015-10-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 羅曉筠 ,  LO, HSIAO YUN ,  林詠淇 ,  LIN, YUNG CHI ,  吳倉聚 ,  WU, TSANG JIUH ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH ,  薛仰志 ,  HSUEH, YANG CHIH

IPC: H01L23/535 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53242 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L29/43 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/207

公开(公告)号：TWI430406B

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：TW100103852

申请日：2011-02-01

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 胡憲斌 ,  HU, HSIEN PIN ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  陳明發 ,  CHEN, MING FA ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  賴雋仁 ,  LAI, JIUN REN ,  林詠淇 ,  LIN, YUNG CHI

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TWI651824B

公开(公告)日：2019-02-21

申请号：TW106136027

申请日：2017-10-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  林詠淇 ,  LIN, YUNG-CHI ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN-CHIH

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/29