公开(公告)号：TW201841232A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：TW106141146

申请日：2017-11-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李昆穆 ,  LI, KUN MU ,  陳兩儀 ,  CHEN, LIANG YI ,  蕭文助 ,  HSIAO, WEN CHU

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/43 ,  H01L29/66

Abstract: 一種半導體裝置包括閘極結構形成於此半導體裝置之通道區域之上，源極/汲極區域相鄰於此通道區域，以及導電接觸層位於此源極/汲極區域之上。此源極/汲極區域包括第一磊晶層具有第一材料組成，以及第二磊晶層形成於此第一磊晶層之上。此第二磊晶層具有不同於此第一材料組成的第二材料組成。導電接觸層接觸第一及第二磊晶層，且此導電接觸層之底部位於此第一磊晶層之最上部分之下。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包括闸极结构形成于此半导体设备之信道区域之上，源极/汲极区域相邻于此信道区域，以及导电接触层位于此源极/汲极区域之上。此源极/汲极区域包括第一磊晶层具有第一材料组成，以及第二磊晶层形成于此第一磊晶层之上。此第二磊晶层具有不同于此第一材料组成的第二材料组成。导电接触层接触第一及第二磊晶层，且此导电接触层之底部位于此第一磊晶层之最上部分之下。

公开(公告)号：TW201729417A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105132168

申请日：2016-10-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 宋學昌 ,  SUNG, HSUEH CHANG ,  陳兩儀 ,  CHEN, LIANG YI

IPC: H01L29/161 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848

Abstract: 源極/汲極(S/D)結構包含磊晶成長的SiGe結構，其具有斜向晶面於凹陷的鰭狀結構上，並與FinFET之通道部份相鄰。第一Ge結構具有圓潤表面，且磊晶成長於SiGe結構上。蓋層形成於Ge結構之圓潤表面上。蓋層之組成可為Si。這種S/D結構具有較大的物理尺寸以提供較低的觸電阻，並具有較大體積與較高濃度的Ge以施加更高的壓縮應變至FinFET的通道部份。

Abstract in simplified Chinese: 源极/汲极(S/D)结构包含磊晶成长的SiGe结构，其具有斜向晶面于凹陷的鳍状结构上，并与FinFET之信道部份相邻。第一Ge结构具有圆润表面，且磊晶成长于SiGe结构上。盖层形成于Ge结构之圆润表面上。盖层之组成可为Si。这种S/D结构具有较大的物理尺寸以提供较低的触电阻，并具有较大体积与较高浓度的Ge以施加更高的压缩应变至FinFET的信道部份。

公开(公告)号：TWI671808B

公开(公告)日：2019-09-11

申请号：TW106141146

申请日：2017-11-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李昆穆 ,  LI, KUN MU ,  陳兩儀 ,  CHEN, LIANG YI ,  蕭文助 ,  HSIAO, WEN CHU

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/43 ,  H01L29/66