半導體裝置
    3.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号:TW201822292A

    公开(公告)日:2018-06-16

    申请号:TW106122824

    申请日:2017-07-07

    Abstract: 具有第一鰭狀結構與第二鰭狀結構於基板上的半導體裝置其形成方法包括:形成第一磊晶區於第一鰭狀結構上;以及形成第二磊晶區於第二鰭狀結構上。方法亦包括形成緩衝區於第一鰭狀結構的第一磊晶區上;以及回蝕刻部份的第二磊晶區。緩衝區有助於避免回蝕刻步驟蝕刻第一磊晶區的上表面。此外,蓋區形成於緩衝區與蝕刻後的第二磊晶區上。

    Abstract in simplified Chinese: 具有第一鳍状结构与第二鳍状结构于基板上的半导体设备其形成方法包括:形成第一磊晶区于第一鳍状结构上;以及形成第二磊晶区于第二鳍状结构上。方法亦包括形成缓冲区于第一鳍状结构的第一磊晶区上;以及回蚀刻部份的第二磊晶区。缓冲区有助于避免回蚀刻步骤蚀刻第一磊晶区的上表面。此外,盖区形成于缓冲区与蚀刻后的第二磊晶区上。

    積體電路結構及其形成方法
    9.
    发明专利
    積體電路結構及其形成方法 审中-公开
    集成电路结构及其形成方法

    公开(公告)号:TW201508923A

    公开(公告)日:2015-03-01

    申请号:TW103100915

    申请日:2014-01-10

    Abstract: 本發明提供一種積體電路結構,包含一半導體基板;一閘極堆疊配置於該半導體基板之上;一開口延伸至該半導體基板中,其中該開口與該閘極堆疊相鄰;一第一矽鍺區域位於該開口中,其中該第一矽鍺區域具有一第一鍺濃度百分比;一第二矽鍺區域位於該第一矽鍺區域之上,其中該第二矽鍺區域具有一第二鍺濃度百分比,且該第二鍺濃度百分比高於該第一鍺濃度百分比;以及,一第三矽鍺區域位於該第二矽鍺區域之上,其中該第三矽鍺區域具有一第三鍺濃度百分比,且該第三鍺濃度百分比低於該第二鍺濃度百分比。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种集成电路结构,包含一半导体基板;一闸极堆栈配置于该半导体基板之上;一开口延伸至该半导体基板中,其中该开口与该闸极堆栈相邻;一第一硅锗区域位于该开口中,其中该第一硅锗区域具有一第一锗浓度百分比;一第二硅锗区域位于该第一硅锗区域之上,其中该第二硅锗区域具有一第二锗浓度百分比,且该第二锗浓度百分比高于该第一锗浓度百分比;以及,一第三硅锗区域位于该第二硅锗区域之上,其中该第三硅锗区域具有一第三锗浓度百分比,且该第三锗浓度百分比低于该第二锗浓度百分比。

Patent Agency Ranking