公开(公告)号：TW201717359A

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：TW105103805

申请日：2016-02-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李宜靜 ,  LEE, YI JING ,  郭紫微 ,  KWOK, TSZ-MEI ,  游明華 ,  YU, MING HUA ,  李昆穆 ,  LI, KUN MU

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/7853

Abstract: 一種半導體裝置包含基板、第一半導體鰭、第二半導體鰭、n型磊晶結構、p型磊晶結構及複數個介電鰭側壁結構。第一半導體鰭置於基板上。第二半導體鰭置於基板上且毗鄰第一半導體鰭。n型磊晶結構置於第一半導體鰭上。p型磊晶結構置於第二半導體鰭上且與n型磊晶結構分離。介電鰭側壁結構置於至少一個n型磊晶結構及p型磊晶結構之相對側面上。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包含基板、第一半导体鳍、第二半导体鳍、n型磊晶结构、p型磊晶结构及复数个介电鳍侧壁结构。第一半导体鳍置于基板上。第二半导体鳍置于基板上且毗邻第一半导体鳍。n型磊晶结构置于第一半导体鳍上。p型磊晶结构置于第二半导体鳍上且与n型磊晶结构分离。介电鳍侧壁结构置于至少一个n型磊晶结构及p型磊晶结构之相对侧面上。

公开(公告)号：TWI532184B

公开(公告)日：2016-05-01

申请号：TW103116196

申请日：2014-05-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 宋學昌 ,  SUNG, HSUEH CHANG ,  郭紫微 ,  KWOK, TSZ-MEI ,  李昆穆 ,  LI, KUN MU ,  李資良 ,  LEE, TZE LIANG ,  李啓弘 ,  LI, CHII HORNG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/823425 ,  H01L27/088 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TW201822292A

公开(公告)日：2018-06-16

申请号：TW106122824

申请日：2017-07-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 宋學昌 ,  SUNG, HSUEH CHANG ,  李昆穆 ,  LI, KUN MU

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/76

Abstract: 具有第一鰭狀結構與第二鰭狀結構於基板上的半導體裝置其形成方法包括：形成第一磊晶區於第一鰭狀結構上；以及形成第二磊晶區於第二鰭狀結構上。方法亦包括形成緩衝區於第一鰭狀結構的第一磊晶區上；以及回蝕刻部份的第二磊晶區。緩衝區有助於避免回蝕刻步驟蝕刻第一磊晶區的上表面。此外，蓋區形成於緩衝區與蝕刻後的第二磊晶區上。

Abstract in simplified Chinese: 具有第一鳍状结构与第二鳍状结构于基板上的半导体设备其形成方法包括：形成第一磊晶区于第一鳍状结构上；以及形成第二磊晶区于第二鳍状结构上。方法亦包括形成缓冲区于第一鳍状结构的第一磊晶区上；以及回蚀刻部份的第二磊晶区。缓冲区有助于避免回蚀刻步骤蚀刻第一磊晶区的上表面。此外，盖区形成于缓冲区与蚀刻后的第二磊晶区上。

公开(公告)号：TW201727793A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105135752

申请日：2016-11-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 宋學昌 ,  SUNG, HSUEH CHANG ,  張智強 ,  CHANG, CHIH CHIANG ,  李昆穆 ,  LI, KUN MU

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L22/30 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/7848

Abstract: 一半導體結構包含裝置區域和測試區域。在裝置區域，第一鰭狀間隔物覆蓋第一鰭狀結構且具有第一高度，且第一磊晶結構配置於第一鰭狀結構，第一磊晶結構的一部分高於第一鰭狀間隔物且具有第一寬度。在測試區域，第二鰭狀間隔物覆蓋第二鰭狀結構的側壁且具有第二高度，且第二高度大於第一高度。第二磊晶結構配置於第二鰭狀結構，且第二磊晶結構的一部分高於第二鰭狀間隔物且具有第二寬度，第二寬度小於第一寬度。

Abstract in simplified Chinese: 一半导体结构包含设备区域和测试区域。在设备区域，第一鳍状间隔物覆盖第一鳍状结构且具有第一高度，且第一磊晶结构配置于第一鳍状结构，第一磊晶结构的一部分高于第一鳍状间隔物且具有第一宽度。在测试区域，第二鳍状间隔物覆盖第二鳍状结构的侧壁且具有第二高度，且第二高度大于第一高度。第二磊晶结构配置于第二鳍状结构，且第二磊晶结构的一部分高于第二鳍状间隔物且具有第二宽度，第二宽度小于第一宽度。

公开(公告)号：TWI587486B

公开(公告)日：2017-06-11

申请号：TW105103805

申请日：2016-02-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李宜靜 ,  LEE, YI JING ,  郭紫微 ,  KWOK, TSZ-MEI ,  游明華 ,  YU, MING HUA ,  李昆穆 ,  LI, KUN MU

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/7853

公开(公告)号：TWI543232B

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：TW103146034

申请日：2014-12-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 郭 紫微 ,  KWOK, TSZ-MEI ,  宋學昌 ,  SUNG, HSUEH CHANG ,  李昆穆 ,  LI, KUN MU ,  李啓弘 ,  LI, CHII HORNG ,  李資良 ,  LEE, TZE LIANG

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/7378 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7847 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TWI671808B

公开(公告)日：2019-09-11

申请号：TW106141146

申请日：2017-11-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李昆穆 ,  LI, KUN MU ,  陳兩儀 ,  CHEN, LIANG YI ,  蕭文助 ,  HSIAO, WEN CHU

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/43 ,  H01L29/66

公开(公告)号：TWI559550B

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：TW104101435

申请日：2015-01-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李宜靜 ,  LEE, YI JING ,  李昆穆 ,  LI, KUN MU ,  李啓弘 ,  LI, CHII HORNG ,  李資良 ,  LEE, TZE LIANG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/165 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/161 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TW201508923A

公开(公告)日：2015-03-01

申请号：TW103100915

申请日：2014-01-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 郭紫微 ,  KWOK, TSZ MEI ,  李昆穆 ,  LI, KUN MU ,  宋學昌 ,  SUNG, HSUEH CHANG ,  李啓弘 ,  LI, CHII HORNG ,  李資良 ,  LEE, TZE LIANG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/265 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7847 ,  H01L29/7848

Abstract: 本發明提供一種積體電路結構，包含一半導體基板；一閘極堆疊配置於該半導體基板之上；一開口延伸至該半導體基板中，其中該開口與該閘極堆疊相鄰；一第一矽鍺區域位於該開口中，其中該第一矽鍺區域具有一第一鍺濃度百分比；一第二矽鍺區域位於該第一矽鍺區域之上，其中該第二矽鍺區域具有一第二鍺濃度百分比，且該第二鍺濃度百分比高於該第一鍺濃度百分比；以及，一第三矽鍺區域位於該第二矽鍺區域之上，其中該第三矽鍺區域具有一第三鍺濃度百分比，且該第三鍺濃度百分比低於該第二鍺濃度百分比。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种集成电路结构，包含一半导体基板；一闸极堆栈配置于该半导体基板之上；一开口延伸至该半导体基板中，其中该开口与该闸极堆栈相邻；一第一硅锗区域位于该开口中，其中该第一硅锗区域具有一第一锗浓度百分比；一第二硅锗区域位于该第一硅锗区域之上，其中该第二硅锗区域具有一第二锗浓度百分比，且该第二锗浓度百分比高于该第一锗浓度百分比；以及，一第三硅锗区域位于该第二硅锗区域之上，其中该第三硅锗区域具有一第三锗浓度百分比，且该第三锗浓度百分比低于该第二锗浓度百分比。

公开(公告)号：TWI699886B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：TW105134559

申请日：2016-10-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張智強 ,  CHANG, CHIH CHIANG ,  宋學昌 ,  SUNG, HSUEH CHANG ,  李昆穆 ,  LI, KUN MU ,  游明華 ,  YU, MING HUA

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78