-
公开(公告)号：TW201841232A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106141146
申请日：2017-11-27
Inventor： 李昆穆 , LI, KUN MU , 陳兩儀 , CHEN, LIANG YI , 蕭文助 , HSIAO, WEN CHU
Abstract: 一種半導體裝置包括閘極結構形成於此半導體裝置之通道區域之上，源極/汲極區域相鄰於此通道區域，以及導電接觸層位於此源極/汲極區域之上。此源極/汲極區域包括第一磊晶層具有第一材料組成，以及第二磊晶層形成於此第一磊晶層之上。此第二磊晶層具有不同於此第一材料組成的第二材料組成。導電接觸層接觸第一及第二磊晶層，且此導電接觸層之底部位於此第一磊晶層之最上部分之下。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包括闸极结构形成于此半导体设备之信道区域之上，源极/汲极区域相邻于此信道区域，以及导电接触层位于此源极/汲极区域之上。此源极/汲极区域包括第一磊晶层具有第一材料组成，以及第二磊晶层形成于此第一磊晶层之上。此第二磊晶层具有不同于此第一材料组成的第二材料组成。导电接触层接触第一及第二磊晶层，且此导电接触层之底部位于此第一磊晶层之最上部分之下。
-
公开(公告)号：TW201347049A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102114534
申请日：2013-04-24
Inventor： 蕭文助 , HSIAO, WEN CHU , 庄麗雲 , CHONG, LAI WAN , 王俊傑 , WANG, CHUN CHIEH , 周櫻旻 , CHOU, YING MIN , 葛翔翔 , KO, HSIANG HSIANG , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/28518 , H01L29/0603 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66515 , H01L29/6653 , H01L29/66636 , H01L29/7845 , H01L29/7847
Abstract: 在一種半導體裝置的製作方法中，於一基板上形成一源極/汲極特徵部件，於源極/汲極特徵部件上形成一含矽層，於含矽層上形成一金屬層，並由金屬層與含矽層之矽形成一金屬矽化物。
Abstract in simplified Chinese: 在一种半导体设备的制作方法中，于一基板上形成一源极/汲极特征部件，于源极/汲极特征部件上形成一含硅层，于含硅层上形成一金属层，并由金属层与含硅层之硅形成一金属硅化物。
-
公开(公告)号：TWI671808B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW106141146
申请日：2017-11-27
Inventor： 李昆穆 , LI, KUN MU , 陳兩儀 , CHEN, LIANG YI , 蕭文助 , HSIAO, WEN CHU
-
公开(公告)号：TWI594332B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW102114534
申请日：2013-04-24
Inventor： 蕭文助 , HSIAO, WEN CHU , 庄麗雲 , CHONG, LAI WAN , 王俊傑 , WANG, CHUN CHIEH , 周櫻旻 , CHOU, YING MIN , 葛翔翔 , KO, HSIANG HSIANG , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/28518 , H01L29/0603 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66515 , H01L29/6653 , H01L29/66636 , H01L29/7845 , H01L29/7847
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.017 seconds)
