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    背照式影像感測器與其形成方法
    3.
    发明专利
    背照式影像感測器與其形成方法 审中-公开
    背照式影像传感器与其形成方法

    公开(公告)号：TW201639135A

    公开(公告)日：2016-11-01

    申请号：TW104139347

    申请日：2015-11-26

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 鄭允瑋 ,  CHENG, YUN WEI ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI ,  王昭雄 ,  WANG, CHAO HSIUNG ,  周俊豪 ,  CHOU, CHUN HAO ,  蔡宗翰 ,  TSAI, TSUNG HAN ,  李國政 ,  LEE, KUO CHENG ,  許永隆 ,  HSU, YUNG LUNG

    IPC: H01L27/146

    CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685

    Abstract: 本發明關於一種背照式影像感測器(back-side illumination (BSI)image sensor)，其具有垂直地配置於一金屬網格之側壁之間的一彩色濾光片，與關於其形成方法。在一些實施例中，背照式影像感測器包括一像素感應器位於一半導體基板之內，與一層之介電材料覆於像素感應器上。一金屬網格，其藉由該層之介電材料與半導體基板分隔。一堆疊網格，被設置於金屬網格之上。堆疊網格與一開口鄰接，開口從堆疊網格之一上表面垂直地延伸至被橫向地設置於金屬網格之側壁之間的一位置。一彩色濾光片可被設置於開口之內。藉由具有垂直地延伸於金屬網格之側壁之間的彩色濾光片，可使得介於彩色濾光片與像素感應器的一距離相對地小，藉此降低串擾，並改善所產生之背照式影像感測器的光學性能。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明关于一种背照式影像传感器(back-side illumination (BSI)image sensor)，其具有垂直地配置于一金属网格之侧壁之间的一彩色滤光片，与关于其形成方法。在一些实施例中，背照式影像传感器包括一像素感应器位于一半导体基板之内，与一层之介电材料覆于像素感应器上。一金属网格，其借由该层之介电材料与半导体基板分隔。一堆栈网格，被设置于金属网格之上。堆栈网格与一开口邻接，开口从堆栈网格之一上表面垂直地延伸至被横向地设置于金属网格之侧壁之间的一位置。一彩色滤光片可被设置于开口之内。借由具有垂直地延伸于金属网格之侧壁之间的彩色滤光片，可使得介于彩色滤光片与像素感应器的一距离相对地小，借此降低串扰，并改善所产生之背照式影像传感器的光学性能。

    半導體元件及其製造方法
    8.
    发明专利
    半導體元件及其製造方法 审中-公开
    半导体组件及其制造方法

    公开(公告)号：TW201711178A

    公开(公告)日：2017-03-16

    申请号：TW105129366

    申请日：2016-09-09

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 鄭允瑋 ,  CHENG, YUN WEI ,  周俊豪 ,  CHOU, CHUN HAO ,  蔡宗翰 ,  TSAI, TSUNG HAN ,  李國政 ,  LEE, KUO CHENG ,  許永隆 ,  HSU, YUNG LUNG

    IPC: H01L27/146

    CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689

    Abstract: 一種半導體元件包含基材、元件層、抗反射覆蓋層、數個反射結構、複合格柵結構、鈍化層以及數個彩色濾光片。元件層設於基材上，其中數個溝渠形成於元件層與基材中。抗反射覆蓋層共形覆蓋元件層、基材與溝渠。反射結構分別設於溝渠中的抗反射覆蓋層上。複合格柵結構位於抗反射覆蓋層與反射結構上。複合格柵結構包含數個孔穴貫穿複合格柵結構，且複合格柵結構包含依序堆疊在反射結構上的金屬格柵層與介電格柵層。鈍化層共形覆蓋複合格柵結構。彩色濾光片分別填充孔穴。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件包含基材、组件层、抗反射复盖层、数个反射结构、复合格栅结构、钝化层以及数个彩色滤光片。组件层设于基材上，其中数个沟渠形成于组件层与基材中。抗反射复盖层共形覆盖组件层、基材与沟渠。反射结构分别设于沟渠中的抗反射复盖层上。复合格栅结构位于抗反射复盖层与反射结构上。复合格栅结构包含数个孔穴贯穿复合格栅结构，且复合格栅结构包含依序堆栈在反射结构上的金属格栅层与介电格栅层。钝化层共形覆盖复合格栅结构。彩色滤光片分别填充孔穴。

    圖像感測器、半導體裝置及其製造方法
    9.
    发明专利
    圖像感測器、半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    图像传感器、半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW202027264A

    公开(公告)日：2020-07-16

    申请号：TW108142637

    申请日：2019-11-22

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 鄭允瑋 ,  CHENG, YUN WEI ,  賈鈞偉 ,  CHIA, CHUN WEI ,  周俊豪 ,  CHOU, CHUN HAO ,  李國政 ,  LEE, KUO CHENG

    IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0352 ,  H04N5/335

    Abstract: 一圖像感測器包含光敏感測器、浮動擴散節點、重置電晶體，以及源極隨耦電晶體。重置電晶體包含耦接至浮動擴散節點的第一源極/汲極，以及耦接至第一電壓源的第二源極/汲極。源極隨耦電晶體包括耦接至浮動擴散節點的閘極及耦接至重置電晶體的第二源極/汲極的第一源極/汲極。第一伸長的觸點接觸重置電晶體的第二源極/汲極及源極隨耦電晶體的第一源極/汲極。第一伸長的觸點在水平橫截面中具有第一尺寸，以及在水平橫截面中具有第二尺寸。第二尺寸垂直於第一尺寸，以及第二尺寸小於第一尺寸。

    Abstract in simplified Chinese: 一图像传感器包含光敏传感器、浮动扩散节点、重置晶体管，以及源极随耦晶体管。重置晶体管包含耦接至浮动扩散节点的第一源极/汲极，以及耦接至第一电压源的第二源极/汲极。源极随耦晶体管包括耦接至浮动扩散节点的闸极及耦接至重置晶体管的第二源极/汲极的第一源极/汲极。第一伸长的触点接触重置晶体管的第二源极/汲极及源极随耦晶体管的第一源极/汲极。第一伸长的触点在水平横截面中具有第一尺寸，以及在水平横截面中具有第二尺寸。第二尺寸垂直于第一尺寸，以及第二尺寸小于第一尺寸。

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