公开(公告)号：TW201838092A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：TW106120765

申请日：2017-06-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 許劭銘 ,  KOH, SHAO-MING ,  李振銘 ,  LEE, CHEN MING ,  楊復凱 ,  YANG, FU KAI

IPC: H01L21/768

Abstract: 一種方法，包含形成第一與第二接觸窗開口，以分別顯露第一及第二源極/汲極區；形成罩幕層，其具有分別在第一和第二接觸窗開口中的第一部分和第二部分；分別形成第一和第二犧牲層間介電層於第一和第二接觸窗開口中；從第一接觸窗開口移除第一犧牲層間介電層；填入填充材至第一接觸窗開口中；及，蝕刻第二犧牲層間介電層。填充材保護罩幕層之第一部分，以避免被蝕刻。層間介電層形成於第二接觸窗開口中及罩幕層之第二部份上。使用濕式蝕刻移除填充材和罩幕層的第一部分，以顯露出第一接觸窗開口。接觸窗插塞係形成於第一接觸窗開口中。

Abstract in simplified Chinese: 一种方法，包含形成第一与第二接触窗开口，以分别显露第一及第二源极/汲极区；形成罩幕层，其具有分别在第一和第二接触窗开口中的第一部分和第二部分；分别形成第一和第二牺牲层间介电层于第一和第二接触窗开口中；从第一接触窗开口移除第一牺牲层间介电层；填入填充材至第一接触窗开口中；及，蚀刻第二牺牲层间介电层。填充材保护罩幕层之第一部分，以避免被蚀刻。层间介电层形成于第二接触窗开口中及罩幕层之第二部份上。使用湿式蚀刻移除填充材和罩幕层的第一部分，以显露出第一接触窗开口。接触窗插塞系形成于第一接触窗开口中。

公开(公告)号：TWI679767B

公开(公告)日：2019-12-11

申请号：TW106135671

申请日：2017-10-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 許 劭銘 ,  KOH, SHAO-MING ,  李振銘 ,  LEE, CHEN MING ,  吳以雯 ,  WU, I WEN ,  楊復凱 ,  YANG, FU KAI ,  王嘉亨 ,  WANG, JIA HENG ,  王美勻 ,  WANG, MEI YUN

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：TWI669783B

公开(公告)日：2019-08-21

申请号：TW106120765

申请日：2017-06-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 許劭銘 ,  KOH, SHAO-MING ,  李振銘 ,  LEE, CHEN MING ,  楊復凱 ,  YANG, FU KAI

IPC: H01L21/768