具有複數個接觸插塞的裝置及其製造方法
    7.
    发明专利
    具有複數個接觸插塞的裝置及其製造方法 审中-公开
    具有复数个接触插塞的设备及其制造方法

    公开(公告)号:TW201839906A

    公开(公告)日:2018-11-01

    申请号:TW106119513

    申请日:2017-06-12

    Abstract: 複數個接觸插塞的製造方法包括形成電晶體,其包含形成源極/汲極區於虛擬閘極堆疊的一側,形成第一層間介電層覆蓋源極/汲極區,以及以取代閘極堆疊取代虛擬閘極堆疊。方法包括形成第二層間介電層於第一層間介電層以及取代閘極堆疊上方,以及形成電性耦合至源極/汲極區的下源極/汲極接觸插塞。第三層間介電層形成於第二層間介電層上方。閘極接觸插塞形成於第二層間介電層和第三層間介電層中。上源極/汲極接觸插塞被形成以重疊並接觸下源極/汲極接觸插塞。上源極/汲極接觸插塞和閘極接觸插塞係由不同材料所形成。

    Abstract in simplified Chinese: 复数个接触插塞的制造方法包括形成晶体管,其包含形成源极/汲极区于虚拟闸极堆栈的一侧,形成第一层间介电层覆盖源极/汲极区,以及以取代闸极堆栈取代虚拟闸极堆栈。方法包括形成第二层间介电层于第一层间介电层以及取代闸极堆栈上方,以及形成电性耦合至源极/汲极区的下源极/汲极接触插塞。第三层间介电层形成于第二层间介电层上方。闸极接触插塞形成于第二层间介电层和第三层间介电层中。上源极/汲极接触插塞被形成以重叠并接触下源极/汲极接触插塞。上源极/汲极接触插塞和闸极接触插塞系由不同材料所形成。

    低阻抗接觸窗插塞之形成方法
    8.
    发明专利
    低阻抗接觸窗插塞之形成方法 审中-公开
    低阻抗接触窗插塞之形成方法

    公开(公告)号:TW201838092A

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:TW106120765

    申请日:2017-06-21

    Abstract: 一種方法,包含形成第一與第二接觸窗開口,以分別顯露第一及第二源極/汲極區;形成罩幕層,其具有分別在第一和第二接觸窗開口中的第一部分和第二部分;分別形成第一和第二犧牲層間介電層於第一和第二接觸窗開口中;從第一接觸窗開口移除第一犧牲層間介電層;填入填充材至第一接觸窗開口中;及,蝕刻第二犧牲層間介電層。填充材保護罩幕層之第一部分,以避免被蝕刻。層間介電層形成於第二接觸窗開口中及罩幕層之第二部份上。使用濕式蝕刻移除填充材和罩幕層的第一部分,以顯露出第一接觸窗開口。接觸窗插塞係形成於第一接觸窗開口中。

    Abstract in simplified Chinese: 一种方法,包含形成第一与第二接触窗开口,以分别显露第一及第二源极/汲极区;形成罩幕层,其具有分别在第一和第二接触窗开口中的第一部分和第二部分;分别形成第一和第二牺牲层间介电层于第一和第二接触窗开口中;从第一接触窗开口移除第一牺牲层间介电层;填入填充材至第一接触窗开口中;及,蚀刻第二牺牲层间介电层。填充材保护罩幕层之第一部分,以避免被蚀刻。层间介电层形成于第二接触窗开口中及罩幕层之第二部份上。使用湿式蚀刻移除填充材和罩幕层的第一部分,以显露出第一接触窗开口。接触窗插塞系形成于第一接触窗开口中。

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