公开(公告)号：TW201539553A

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：TW103146196

申请日：2014-12-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 徐曉秋 ,  HSU, HSIAO CHIU ,  楊復凱 ,  YANG, FU KAI ,  王美勻 ,  WANG, MEI YUN ,  王憲程 ,  WANG, HSIEN CHENG ,  劉仕文 ,  LIU, SHIH WEN ,  林欣穎 ,  LIN, HSIN YING

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/535 ,  H01L27/088 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種閘極結構的接觸窗結構形成方法被提供。在此方法中，設置於第一金屬閘極及第二金屬閘極之間的氧化層及第一側壁層被蝕刻，以暴露下方的矽基底。由接觸窗輪廓所定義之矽化物部分被沉積於矽基底暴露之部分中。在沉積矽化物部分之後，實質上覆蓋第一側壁層及至少部分地覆蓋矽化物部分之第二側壁層被形成。金屬黏著層被沉積以圍繞定義溝槽於矽化物部分之上的第一金屬閘極及第二金屬閘極。金屬插塞被沉積於溝槽內。

Abstract in simplified Chinese: 一种闸极结构的接触窗结构形成方法被提供。在此方法中，设置于第一金属闸极及第二金属闸极之间的氧化层及第一侧壁层被蚀刻，以暴露下方的硅基底。由接触窗轮廓所定义之硅化物部分被沉积于硅基底暴露之部分中。在沉积硅化物部分之后，实质上覆盖第一侧壁层及至少部分地覆盖硅化物部分之第二侧壁层被形成。金属黏着层被沉积以围绕定义沟槽于硅化物部分之上的第一金属闸极及第二金属闸极。金属插塞被沉积于沟槽内。

公开(公告)号：TWI643293B

公开(公告)日：2018-12-01

申请号：TW106135180

申请日：2017-10-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李筠 ,  LEE, YUN ,  李振銘 ,  LEE, CHEN MING ,  楊復凱 ,  YANG, FU KAI ,  黃意君 ,  HUANG, YI JYUN ,  王勝雄 ,  WANG, SHENG HSIUNG ,  王美勻 ,  WANG, MEI YUN

IPC: H01L21/768

公开(公告)号：TWI623058B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：TW106119513

申请日：2017-06-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 王朝勳 ,  WANG, CHAO HSUN ,  楊復凱 ,  YANG, FU KAI ,  王美勻 ,  WANG, MEI YUN ,  趙高毅 ,  CHAO, KUO YI

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/485

公开(公告)号：TWI679767B

公开(公告)日：2019-12-11

申请号：TW106135671

申请日：2017-10-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 許 劭銘 ,  KOH, SHAO-MING ,  李振銘 ,  LEE, CHEN MING ,  吳以雯 ,  WU, I WEN ,  楊復凱 ,  YANG, FU KAI ,  王嘉亨 ,  WANG, JIA HENG ,  王美勻 ,  WANG, MEI YUN

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：TWI669783B

公开(公告)日：2019-08-21

申请号：TW106120765

申请日：2017-06-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 許劭銘 ,  KOH, SHAO-MING ,  李振銘 ,  LEE, CHEN MING ,  楊復凱 ,  YANG, FU KAI

IPC: H01L21/768

公开(公告)号：TWI601286B

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105124398

申请日：2016-08-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李振銘 ,  LEE, CHEN MING ,  楊復凱 ,  YANG, FU KAI ,  王美勻 ,  WANG, MEI YUN ,  趙高毅 ,  CHAO, HUGO

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823864 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/535 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TW201839906A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：TW106119513

申请日：2017-06-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 王朝勳 ,  WANG, CHAO HSUN ,  楊復凱 ,  YANG, FU KAI ,  王美勻 ,  WANG, MEI YUN ,  趙高毅 ,  CHAO, KUO YI

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/485

Abstract: 複數個接觸插塞的製造方法包括形成電晶體，其包含形成源極/汲極區於虛擬閘極堆疊的一側，形成第一層間介電層覆蓋源極/汲極區，以及以取代閘極堆疊取代虛擬閘極堆疊。方法包括形成第二層間介電層於第一層間介電層以及取代閘極堆疊上方，以及形成電性耦合至源極/汲極區的下源極/汲極接觸插塞。第三層間介電層形成於第二層間介電層上方。閘極接觸插塞形成於第二層間介電層和第三層間介電層中。上源極/汲極接觸插塞被形成以重疊並接觸下源極/汲極接觸插塞。上源極/汲極接觸插塞和閘極接觸插塞係由不同材料所形成。

Abstract in simplified Chinese: 复数个接触插塞的制造方法包括形成晶体管，其包含形成源极/汲极区于虚拟闸极堆栈的一侧，形成第一层间介电层覆盖源极/汲极区，以及以取代闸极堆栈取代虚拟闸极堆栈。方法包括形成第二层间介电层于第一层间介电层以及取代闸极堆栈上方，以及形成电性耦合至源极/汲极区的下源极/汲极接触插塞。第三层间介电层形成于第二层间介电层上方。闸极接触插塞形成于第二层间介电层和第三层间介电层中。上源极/汲极接触插塞被形成以重叠并接触下源极/汲极接触插塞。上源极/汲极接触插塞和闸极接触插塞系由不同材料所形成。

公开(公告)号：TW201838092A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：TW106120765

申请日：2017-06-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 許劭銘 ,  KOH, SHAO-MING ,  李振銘 ,  LEE, CHEN MING ,  楊復凱 ,  YANG, FU KAI

IPC: H01L21/768

Abstract: 一種方法，包含形成第一與第二接觸窗開口，以分別顯露第一及第二源極/汲極區；形成罩幕層，其具有分別在第一和第二接觸窗開口中的第一部分和第二部分；分別形成第一和第二犧牲層間介電層於第一和第二接觸窗開口中；從第一接觸窗開口移除第一犧牲層間介電層；填入填充材至第一接觸窗開口中；及，蝕刻第二犧牲層間介電層。填充材保護罩幕層之第一部分，以避免被蝕刻。層間介電層形成於第二接觸窗開口中及罩幕層之第二部份上。使用濕式蝕刻移除填充材和罩幕層的第一部分，以顯露出第一接觸窗開口。接觸窗插塞係形成於第一接觸窗開口中。

Abstract in simplified Chinese: 一种方法，包含形成第一与第二接触窗开口，以分别显露第一及第二源极/汲极区；形成罩幕层，其具有分别在第一和第二接触窗开口中的第一部分和第二部分；分别形成第一和第二牺牲层间介电层于第一和第二接触窗开口中；从第一接触窗开口移除第一牺牲层间介电层；填入填充材至第一接触窗开口中；及，蚀刻第二牺牲层间介电层。填充材保护罩幕层之第一部分，以避免被蚀刻。层间介电层形成于第二接触窗开口中及罩幕层之第二部份上。使用湿式蚀刻移除填充材和罩幕层的第一部分，以显露出第一接触窗开口。接触窗插塞系形成于第一接触窗开口中。

公开(公告)号：TWI574369B

公开(公告)日：2017-03-11

申请号：TW103144916

申请日：2014-12-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 徐曉秋 ,  HSU, HSIAO CHIU ,  楊復凱 ,  YANG, FU KAI ,  王美勻 ,  WANG, MEI YUN ,  王憲程 ,  WANG, HSIEN CHENG ,  劉仕文 ,  LIU, SHIH WEN ,  林欣穎 ,  LIN, HSIN YING

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/02 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5228 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53257 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI701830B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：TW108116369

申请日：2019-05-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳亭綱 ,  CHEN, TING-GANG ,  黃泰鈞 ,  HUANG, TAI-CHUN ,  傅依婷 ,  FU, INEZ ,  溫明璋 ,  WEN, MING-CHANG ,  古淑瑗 ,  KU, SHU-YUAN ,  楊復凱 ,  YANG, FU-KAI ,  李資良 ,  LEE, TZE-LIANG ,  盧永誠 ,  LU, YUNG-CHENG

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L29/40