公开(公告)号：TW201820481A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：TW106120371

申请日：2017-06-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 周雷峻 ,  CHOU, LEI-CHUN ,  陳志良 ,  CHEN, CHIH-LIANG ,  賴志明 ,  LAI, CHIH-MING ,  楊 超源 ,  YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN ,  曾晉沅 ,  TSENG, CHIN-YUAN ,  陳欣志 ,  CHEN, HSIN-CHIH ,  朱熙甯 ,  JU, SHI-NING ,  曾健庭 ,  TZENG, JIANN-TYNG ,  蕭錦濤 ,  SIO, KAM-TOU ,  劉如淦 ,  LIU, RU-GUN ,  林威呈 ,  LIN, WEI-CHENG ,  林緯良 ,  LIN, WEI-LIANG

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/41

Abstract: 一種製造半導體裝置的方法包括：在基底上沉積第一材料；在所述基底上沉積第二材料，所述第二材料的蝕刻選擇性與所述第一材料的蝕刻選擇性不同；在所述第一材料及所述第二材料上沉積間隙壁材料；以及使用所述間隙壁材料作為蝕刻罩幕來蝕刻所述基底，以在所述第一材料之下形成鰭以及在所述第二材料之下形成鰭。

Abstract in simplified Chinese: 一种制造半导体设备的方法包括：在基底上沉积第一材料；在所述基底上沉积第二材料，所述第二材料的蚀刻选择性与所述第一材料的蚀刻选择性不同；在所述第一材料及所述第二材料上沉积间隙壁材料；以及使用所述间隙壁材料作为蚀刻罩幕来蚀刻所述基底，以在所述第一材料之下形成鳍以及在所述第二材料之下形成鳍。